Разработка процесса жидкостной эпитаксии материала для зеленых светодиодов из GaP показала, что большей частью достоинств метода газовой эпитаксии (с точки зрения промыш­ленного производства) может обладать и метод эпитаксии из жидкой фазы без снижения качества, а следовательно, и кван­тового выхода выращенных р — я-переходов. Ключ к этому лежит в использовании тонких слоев расплава [149] и во […]

Впервые возможности красных светодиодов из GaP были продемонстрированы с помощью 1%-ных светодиодов, изготов­ленных методом эпитаксии из жидкой фазы [137]. Хотя с тех пор приборы с такими характеристиками получены и другими методами (табл. 5.1), методом жидкостной эпитаксии обычно изготавливают светодиоды с наивысшим квантовым выходом. Этим методом получали также различные полупроводниковые соединения [138, 139]; затем он нашел […]

Химическое осаждение фосфида галлия из газовой фазы мы рассмотрим для того, чтобы показать ряд преимуществ и недо­статков этого метода с точки зрения введения примесей. Мы покажем, что, применяя этот метод, можно ввести значительно большую концентрацию азота, чем при жидкостной эпитаксии; введение же больших количеств кислорода в методе химиче­ского осаждения из газовой фазы в принципе более […]

Существует много способов эпитаксиального нанесения полу­проводниковых соединений A’"BV из газовой фазы. Эпитаксия осуществляется как в запаянной трубке [96], так и в проточных системах [97] с участием одного транспортирующего агента. Этим агентом могут быть пары воды [98] и галогеноводороды [99] . Хотя эти методы и пригодны для получения бинарных со­единений, они не позволяют точно и независимо […]

Синтез полупроводниковых соединений AIUBV обычно за­труднен из-за высоких температур плавления, высоких давлений паров в точке плавления и большой разности концентраций примесей в жидкой и твердой фазах, находящихся в химиче­ском равновесии в изотермических условиях. Многих из этих трудностей, однако, можно избежать или можно ослабить их влияние, если выращивать кристаллы при более низких темпе­ратурах. Тонкие кристаллы можно […]

Хотя путем диффузии в подложку из соответствующего ис­точника в течение необходимого времени проведения диффузии можно получить хорошо выраженные р—n-переходы с низкой плотностью дефектов, рабочие характеристики диффузионных диодов хуже характеристик светодиодов, полученных жидкост­ной эпитаксией. Внешний квантовый выход лучших диффузион­ных светодиодов из прямозонного материала [60] примерно в 2 раза ниже значения квантового выхода лучших светодиодов, полученных жидкостной […]

В работах по диффузии в полупроводниковых соединениях часто рассматриваются связанные с диффузией дефекты [84, 87] и дислокации, а также неровные фронты диффузии с игольча­тыми неоднородностями [88]. В общем случае количество де­фектов, вводимых диффузией, может быть снижено, если улуч­шить качество подложки или использовать, полностью испаряю- О, IS 0,2 0,3 0,4 0,6 0,8 1,0′ 1,S Дабление пароб […]

Механизм диффузии, описанный выше, относится ко всем бинарным и тройным соединениям AIUBV, исследованным до на­стоящего времени. Можно ожидать, что коэффициенты диффу­зии и глубины залегания р — n-переходов монотонно изменяют­ся с составом. В качестве примера приведем изменение глубины залегания р — я-перехода в зависимости от мольной доли GaP при диффузии Zn в GaAsi-^P* n-типа при 925 […]

Глубина залегания р— n-перехода зависит от температуры через зависимость К и С0 в выражении (5.6). Для более часто встречающихся экспериментальных условий все параметры, вхо­дящие в К и С0, зависят от температуры экспоненциально. По­этому выражение (5.6) можно [76] записать в виде (6.9) х, = Vа exp (— A4/kBT). Константы Аг и А4 связаны с концентрацией Zn […]

перехода от продолжительности диффузии Зависимость глубины залегания р — n-перехода Xj от про­должительности диффузии t для данной температуры и концен­трации на поверхности Со дается выражением [76] Х1 — А2 (Kt)’/2 Со12, (5.6) где K=*D, Ki/[Vq а]. Время проведения диффузии t, ч Время проведения диффузии tf^2, ч’^г Рис. 5.10. Зависимость глубины залегаиия р — /г-перехода от […]