При конструировании светодиодов, как и других полупровод­никовых приборов, требуется найти наилучшее сочетание раз­личных параметров, чтобы получить оптимальные характери­стики прибора для определенных условий применения. Некото­рые условия оптимизации важнейших параметров красных светодиодов из GaP приведены в качестве примера в табл. 6.1. Таблица 6.1 Оптимальные условия для красных светодиодов из GaP Оптимизируемый Степень легирования Площадь Размер параметр «•области […]

Механизм, описывающий влияние поглощения света контак­тами на коэффициент вывода света из светодиодов на основе GaP, можно аппроксимировать с помощью простой диффузной модели [205]. Рассмотрим диод как оптическую полость с ма­лыми внутренними потерями и предположим, что энергия рас­пределена диффузно; коэффициент вывода света г|о опреде­ляется тогда равновесием между пропусканием и поглощением света в объеме и на стенках. […]

В то время как интенсивно изучались характеристики оми­ческих контактов и совершенствовались методы измерения их удельного сопротивления [201], о металлургии границы раздела металл — полупроводник было известно очень мало. Было об­наружено, что под границей раздела сплава с полупроводником образуются тонкие слои с высоким сопротивлением; их образо — еание объяснялось ВЫСОКОЙ плотностью точечных дефектов и дислокаций в […]

В светодиодах из GaP успешно использовались контакты на золотой основе: Au — Si для контактов к материалу я-типа и Au — Zn для контактов к материалу р-типа [194]. Впоследствии цинк был заменен бериллием для контактов к материалу р-типа [195]. Давление паров Be значительно ближе к давлению паров Au, чем у Zn; следовательно, напылять из одного […]

Высокая концентрация носителей в полупроводнике может быть получена во время процесса, предшествующего образова­нию контакта (например, при диффузии Zn, которую можно использовать для получения р — я-перехода). Поверхностная — концентрация Zn после диффузии обычно такая высокая, что для получения контакта может быть использован любой ме­талл, например золото или алюминий; оба эти металла обычно применяются в процессе […]

На практике определенный выше идеальный контакт может быть получен только с некоторым приближением. Обычно это достигается с помощью контакта сильнолегированного полупро­водника с металлом. По мере увеличения концентрации носите­лей уменьшается ширина обедненного слоя полупроводника. При очень высоких концентрациях носителей обедненный слой становится достаточно тонким, и сквозь него происходит кван­товомеханическое туннелирование носителей. При уменьшении толщины обедненного слоя […]

Омическим контактом называют Контакт между металлом и полупроводником, который имеет линейную и симметричную вольт-амперную характеристику. Другими словами, в ней нет потенциального барьера (отсюда «симметрия») и нет бесконеч­но большой скорости поверхностной рекомбинации (отсюда «лц- С ВА Рис. 5.36. Вольт-амперные характеристики металлического контакта к образ­цам GaAs при увеличении концентрации носителей [178]. А соответствует низкой концентрации; В — […]

Хотя, как было сказано выше, р — n-переходы в слоях Gai_*Al*As получаются обычно методом диффузии, мы рассмо­трим здесь эпитаксиальное выращивание этого тройного твер­дого раствора для того, чтобы еще раз проиллюстрировать преимущества и недостатки метода жидкостной эпитаксии. Ана­лизируя фазовую диаграмму системы Ga — Al — As [172, 162], можно предсказать состав твердой фазы в зависимости от […]

В течение последних 10 лет интенсивно изучались свойства диодов из GaAs, легированных кремнием и имеющих высокий квантовый выход [161 —168]. До сих пор эти диоды имели ма­ксимальные значения внешнего квантового выхода при комнат­ной температуре. Диоды с куполом из стекла с высоким пока­зателем преломления [169] имеют в постоянном режиме кван­товый выход, равный 32% [39]. р — […]

Если процесс жидкостной эпитаксии происходит в пределах выделенной площади подложки, то могут быть образованы изолированные друг от друга р— я-переходы [158]. Обычная процедура заключается в нанесении слоя Si02 на подложку из GaP и в последующем снятии слоя окисла с той части поверх­ности, где необходимо создать р — я-переход. Слой окисла сна­чала используется как маска для […]