Механизм диффузии, описанный выше, относится ко всем бинарным и тройным соединениям AIUBV, исследованным до на­стоящего времени. Можно ожидать, что коэффициенты диффу­зии и глубины залегания р — n-переходов монотонно изменяют­ся с составом. В качестве примера приведем изменение глубины залегания р — я-перехода в зависимости от мольной доли GaP при диффузии Zn в GaAsi-^P* n-типа при 925 °С, проводившейся в течение 14 ч [рис. 5.12] [81]. Глубина залегания р — п-пере - &ода для большинства практически используемых устройств на

тройных соединениях лежит в диапазоне 5—15 мкм. Для GaAsi_*P* в качестве источника при диффузии обычно исполь­зуется ZnAs2, находящийся при 800 °С. Диффузия ведется 45— 60 мин; при этом Xj да 5 мкм [40]. Несколько более глубокие переходы в Gai_*Al*As (х, да 10 мкм) получают с тем же источ­ником при температуре 850 °С [83]. р— n-Переходы в GaP на глубине 15 мкм могут быть получены при 900 °С из аналогич­ного полностью испаряющегося источника ZnP2 [46] при про­должительности диффузии 16 ч.