Синтез полупроводниковых соединений AIUBV обычно за­труднен из-за высоких температур плавления, высоких давлений паров в точке плавления и большой разности концентраций примесей в жидкой и твердой фазах, находящихся в химиче­ском равновесии в изотермических условиях. Многих из этих трудностей, однако, можно избежать или можно ослабить их влияние, если выращивать кристаллы при более низких темпе­ратурах. Тонкие кристаллы можно выращивать на монокристал - лических подложках при температурах на несколько сот граду­сов Цельсия ниже их точки плавления методом химического осаждения из газовой фазы или методом жидкостной эпитак­сии. Из этих двух методов более развит метод химического оса­ждения из газовой фазы, хотя методом жидкостной эпитаксии были получены структуры, обладающие максимальным кванто­вым выходом. Мы рассмотрим оба метода по очереди и покажем их достоинства и недостатки.

Метод химического осаждения из газовой фазы был разра­ботан за последние 10 лет для производства кремниевых при­боров и в настоящее время широко применяется при изготов­лении кремниевых интегральных схем [95]. Имеются также и промышленные способы получения соединений AnIBv, например процесс, используемый для нанесения гомогенных твердых рас­творов арсенид галлия — фосфид галлия. Другая техника —'Тех­ника выращивания слоев GaP, легированного N2, и твердых растворов системы фосфид галлия — фосфид индия — позволяет продемонстрировать основные стадии этого процесса. Мы рас­смотрим эти три системы материалов и покажем основные прин­ципы химического осаждения из газовой фазы, а также его воз-* можности и ограничения.