Осуществление диффузии Zn при уровнях концентрации, ко­торые необходимы для образования р — n-перехода, возможно во всех полупроводниковых соединениях AIUBV..Диффузия про­исходит в соответствии с механизмом диффузии по междоуз­лиям с замещением. В этой модели предполагается, что скорость диффузии по междоузлиям значительно выше, чем скорость диффузии атомов замещения по узлам, и поэтому она является преобладающей в процессе диффузии. […]

Если для изготовления р *— n-переходов светодиодов приме­няется процесс диффузии, то необходимо контролировать сле­дующие параметры: глубину залегания р — п-перехода; вводимые при диффузии неоднородности кристалла и степень однородности плоскости р — п-перехода; оптические свойства диффузионного слоя; центры безызлучательной рекомбинации, возникающие во время диффузии. Этими параметрами можно управлять, выбирая: источник диффузии; температуру диффузии; продолжительность диффузии; полупроводниковый […]

Технология изготовления р ‘■— л-перехода существенно влияет и на квантовый выход излучения в р — n-переходе, и на вывод света из полупроводникового материала. Для изготовления од­ной или обеих областей р — n-переходов в полупроводниковых материалах типа AUIBV можно использовать диффузию, газовую и жидкостную эпитаксии. В табл. 5.1 приведены характери­стики обычно используемых материалов для светодиодов, на […]

Этот метод в настоящее время наиболее успешно приме­няется при промышленном изготовлении кристаллов GaP боль­шого диаметра [24], а также является наиболее перспективным методом получения слитков GaAs [20, 25]. Схема установки для вытягивания кристаллов под высоким давлением показана на рис. 5.6 [26]. Стехиометрический расплав GaP окружен рас­плавленной окисью бора В203. Остальной объем системы запол­нен инертным газом, находящимся […]

Интересными с экономической точки зрения и пригодными для GaAs и GaP методами, которые объединяют синтез мате­риала и рост кристаллов в одной установке, являются горизон­тальный метод по Бриджмену для GaAs [17] и метод синтеза и диффузии в растворе для GaP [18]. Следует отметить, что по­следний процесс дает поликристаллический материал такой чи­стоты, что его можно непосредственно использовать […]

Техника очистки элементов, используемых при синтезе со­единений AIHBV, хорошо известна и описана в работе [1]. Здесь мы рассмотрим только синтез и рост кристаллов двух соедине­ний, обычно применяемых для изготовления подложек, — GaAs и GaP. Химические и кристаллографические свойства этих ма­териалов близки, поэтому результаты, справедливые для одного материала, обычно верны и для другого, В отлрчие от […]

Технология изготовления полупроводников середины 60-х го­дов оказала сильное влияние на развитие технологии изготов­ления светодиодов. В это время выращивали большие кристаллы GaAs для подложек, а технология кремниевых приборов была высоко развита. Эпитаксиальные слои кремния и GaAs нано­сились в промышленном масштабе с помощью метода газовой эпитаксии; распространенным методом получения р — «-пере­ходов была диффузия. Поэтому не удивительно, […]

Лучшие антистоксовы люминофоры для зеленой области спектра были изготовлены на основе фторидов редкоземельных элементов. Были разработаны новые люминофоры на основе NaYF4, которые по своим характеристикам превосходят люми­нофор Y2O2S : Yb, Er, примерно соответствующий лучшим фто­ридам (табл. 4.1). Из табл. 4.1 видно, что оксисульфидные лю­минофоры обладают достаточно хорошими характеристиками при уровнях возбуждения, меньших 1 Вт/см2; такие […]

Важнейшим фактором о оптическом согласовании светодио­дов с люминофорным покрытием является соответствие спек­тров люминесценции инфракрасных светодиодов и спектров по­глощения ионов сенсибилизатора Yb. Для эффективных полу­сферических диодов (рис. 4.4), изготовленных из GaAs, слабо легированного кремнием, перекрытие этих спектров невелико. Если бы удалось осуществить сдвиг максимума ИК-излучения светодиода с 930 нм в область больших длин волн (~960— 970 […]

Коэффициент полезного действия светодиодов, покрытых ан­тистоксовым люминофором, зависит от произведения трех фак­торов: квантового выхода инфракрасного светодиода, Эффектив­ности, с которой ИК-излучение вводится в люминофор, и, нако­нец, коэффициента преобразования ИК-излучения в видимое внутри люминофора. В разд. 4.3 мы увидим, что использование этих светодиодов в основном зависит от третьего фактора (т. е. от наличия антистоксовых люминофоров с достаточно […]