/ / / По-видимому, потенциальная поверхность возбужденного состояния хромофора N02 взаимодействует с электронным облаком связи С—Н таким образом, что результатом потери энергии возбуждения оказывается внедрение атома кислорода в связи С—Н, Дальнейшая судьба гидроксильной функции зависит от природы других заместителей у атома углерода. Из о-нитробензальде- гида образуется о-нитрозобензойная кислота; из эфиров 2-нитро- Ароматические нитросоединения, содержащие в […]
Светочувствительные полимерные материалы
Композиции с веществом, генерирующим под действием света кислоту, и с неустойчивым полимером
Позитивное изображение шаблона может быть получено в результате фрагментации основной цепи пленкообразующего полимера в местах действия света и удаления низкомолекулярных фракций с экспонированных участков, например, с помощью растворителя. Дельзене и Ларидон синтезировали полимеры, содержащие фрагменты эфира оксима в основной цепи [пат. США 3558311]; Во время длительного экспонирования слоя полимера протекал гидролиз этих фрагментов, что разрушало […]
Композиции с фотоокислителем и дигидропиридином
Светочувствительная система, разработанная фирмой Dupont (США) [пат. США 4271260], состоит из замещенного 1,4-дигидро — пиридина, например 2,4,5-триметил-3,5-дикарбэтокси-1,4-дигидропи — ридина или 4-пропильного аналога, и гексаарилбисимидазола, например 2-(2-хлорфенил)-4,5-дифенилбисимидазола, взятых в соотношении 1:2 (по массе). Эта система препятствует растворению в основании НС, смешанных полимеризатов ненасыщенных соеди нений, имеющих кислотную функцию, например Смеси сополимера этилакрилата, метилметакрилата и акриловой кислоты […]
Композиции с веществом, генерирующим под действием света кислоту, и с циклическим ацеталем
В последние годы найдены новые светочувствительные компоненты, аналогично нафтохинондиазидам препятствующие растворению в основаниях НС и других полимеров, но после фотореакций при экспонировании гидрофилизирующие слой (см. также раздел VI. 1). Этой способностью обладают вещества со связями М I уС—О—CHZ—СН— (где Z =» OAr, NRS02Ar; R =- Aik, N-фено- тиазинил и др.), например бис-2-тетрагидропираниловый эфир бис — […]
Улучшение свойств резистного слоя
Путем введения различных добавок, а также варьированием условий обработки удается изменять те или иные свойства резистного слоя. Ниже эти добавки и условия обработок сгруппированы в основном по технологическим операциям, на результаты которых с их помощью стремятся повлиять. Однако, улучшая одно свойство слоя, можно изменить или даже ухудшить другие. Поэтому очевидно, что эти добавки и режимы […]
Хинондиазидные композиции
Композиции хинондиазидных фоторезистов состоят, как правило, из эфира полифенола с 5-сульфокислотой 2-диазо-1-нафта — линона, низкомолекулярной фенольной или крезольной НС с Мп = 500-1-900 или этилакрилат-стирол-метакрилатного сополимера (фирма GAF, США) и растворителя. Кроме этих основных компонентов в состав композиции могут входить промоторы адгезии, красители, индикаторы, пластификаторы, наполнители и др. Фо — торезистные пленки толщиной до 10 […]
ПОЗИТИВНЫЕ ФОТОРЕЗИСТЫ
Позитивные фоторезисты можно разделить на две группы, отличающиеся по механизму образования рельефного позитивного изображения. Самую большую группу составляют материалы, у которых растворяющийся в щелочах пленкообразующий полимер совмещается с гидрофобным светочувствительным ингибитором растворения; при действии света в результате фотохимических и последующих термических реакций ингибитор разрушается или превращается в растворяющийся в основаниях гидрофильный продукт (например, карбоновую кислоту), […]
АДГЕЗИЯ РЕЗИСТОВ К ПОДЛОЖКЕ
Зоны низкой адгезии могут Направление Для достижения высоких результатов всего литографического процесса необходимо обеспечить хорошую адгезию резиста к подложке на всех стадиях обработки, возникать из-за загрязнений поверхности подложки [15]. Необходимым условием хорошей адгезии является планарность подложки. Нерав — нота поверхности приводит к трудностям при удалении из углублений адсорбированного воздуха, который обусловливает возникновение локальных зон низкой […]
ТРАВЛЕНИЕ ПОДЛОЖКИ И СНЯТИЕ РЕЗИСТА
Перенос рельефного изображения фоторезиста в материал подложки достигается ее травлением по рисунку рельефа резиста. Для травления используют как растворы травителей, так и плазму. Для снятия тонких слоев подложки применяют разбавленные растворы травителей, чтобы иметь возможность контролироватьскорость травления и снизить подтравливание фоторезистного рельефа. Так же, как и проявление, травление может проводить окунанием или пульверизацией. Для получения […]
Постэкспозиционная термообработка
В результате постэкспозиционной термообработки (второй термообработки, доотверждения или термозадубливания) все типы резистов приобретают большую химическую стойкость при травлении, повышенную адгезию к подложке и меньшую пористость. Протекающие при этом физико-химические процессы очень важны. У негативных и позитивных резистов при повышенной температуре происходит дальнейшее структурирование и тем самым упрочнение рельефа. При этом удаляются также летучие вещества и […]