Светочувствительные полимерные материалы

Превращения за счет боковых цепей полимеров

/ / / По-видимому, потенциальная поверхность возбужденного со­стояния хромофора N02 взаимодействует с электронным облаком связи С—Н таким образом, что результатом потери энергии воз­буждения оказывается внедрение атома кислорода в связи С—Н, Дальнейшая судьба гидроксильной функции зависит от при­роды других заместителей у атома углерода. Из о-нитробензальде- гида образуется о-нитрозобензойная кислота; из эфиров 2-нитро- Ароматические нитросоединения, содержащие в […]

Композиции с веществом, генерирующим под действием света кислоту, и с неустойчивым полимером

Позитивное изображение шаблона может быть получено в ре­зультате фрагментации основной цепи пленкообразующего поли­мера в местах действия света и удаления низкомолекулярных фракций с экспонированных участков, например, с помощью рас­творителя. Дельзене и Ларидон синтезировали полимеры, содер­жащие фрагменты эфира оксима в основной цепи [пат. США 3558311]; Во время длительного экспонирования слоя полимера протекал гидролиз этих фрагментов, что разрушало […]

Композиции с фотоокислителем и дигидропиридином

Светочувствительная система, разработанная фирмой Dupont (США) [пат. США 4271260], состоит из замещенного 1,4-дигидро — пиридина, например 2,4,5-триметил-3,5-дикарбэтокси-1,4-дигидропи — ридина или 4-пропильного аналога, и гексаарилбисимидазола, на­пример 2-(2-хлорфенил)-4,5-дифенилбисимидазола, взятых в соот­ношении 1:2 (по массе). Эта система препятствует растворению в основании НС, смешанных полимеризатов ненасыщенных соеди­ нений, имеющих кислотную функцию, например Смеси сополимера этилакрилата, метилметакрилата и акриловой кислоты […]

Композиции с веществом, генерирующим под действием света кислоту, и с циклическим ацеталем

В последние годы найдены новые светочувствительные компо­ненты, аналогично нафтохинондиазидам препятствующие растворе­нию в основаниях НС и других полимеров, но после фотореакций при экспонировании гидрофилизирующие слой (см. также раз­дел VI. 1). Этой способностью обладают вещества со связями М I уС—О—CHZ—СН— (где Z =» OAr, NRS02Ar; R =- Aik, N-фено- тиазинил и др.), например бис-2-тетрагидропираниловый эфир бис — […]

Улучшение свойств резистного слоя

Путем введения различных добавок, а также варьированием условий обра­ботки удается изменять те или иные свойства резистного слоя. Ниже эти до­бавки и условия обработок сгруппированы в основном по технологическим опе­рациям, на результаты которых с их помощью стремятся повлиять. Однако, улучшая одно свойство слоя, можно изменить или даже ухудшить другие. По­этому очевидно, что эти добавки и режимы […]

Хинондиазидные композиции

Композиции хинондиазидных фоторезистов состоят, как пра­вило, из эфира полифенола с 5-сульфокислотой 2-диазо-1-нафта — линона, низкомолекулярной фенольной или крезольной НС с Мп = 500-1-900 или этилакрилат-стирол-метакрилатного сополиме­ра (фирма GAF, США) и растворителя. Кроме этих основных ком­понентов в состав композиции могут входить промоторы адгезии, красители, индикаторы, пластификаторы, наполнители и др. Фо — торезистные пленки толщиной до 10 […]

ПОЗИТИВНЫЕ ФОТОРЕЗИСТЫ

Позитивные фоторезисты можно разделить на две группы, от­личающиеся по механизму образования рельефного позитивного изображения. Самую большую группу составляют материалы, у которых растворяющийся в щелочах пленкообразующий полимер совме­щается с гидрофобным светочувствительным ингибитором раство­рения; при действии света в результате фотохимических и после­дующих термических реакций ингибитор разрушается или превра­щается в растворяющийся в основаниях гидрофильный продукт (например, карбоновую кислоту), […]

АДГЕЗИЯ РЕЗИСТОВ К ПОДЛОЖКЕ

Зоны низкой адгезии могут Направление Для достижения высоких результатов всего литографического процесса необходимо обеспечить хорошую адгезию резиста к под­ложке на всех стадиях обработки, возникать из-за загрязнений поверх­ности подложки [15]. Необходимым условием хорошей адгезии являет­ся планарность подложки. Нерав — нота поверхности приводит к труд­ностям при удалении из углублений адсорбированного воздуха, который обусловливает возникновение ло­кальных зон низкой […]

ТРАВЛЕНИЕ ПОДЛОЖКИ И СНЯТИЕ РЕЗИСТА

Перенос рельефного изображения фоторезиста в материал под­ложки достигается ее травлением по рисунку рельефа резиста. Для травления используют как растворы травителей, так и плазму. Для снятия тонких слоев подложки применяют разбавленные растворы травителей, чтобы иметь возможность контролироватьскорость травления и снизить подтравливание фоторезистного рельефа. Так же, как и проявление, травление может проводить окунанием или пульверизацией. Для получения […]

Постэкспозиционная термообработка

В результате постэкспозиционной термообработки (второй тер­мообработки, доотверждения или термозадубливания) все типы резистов приобретают большую химическую стойкость при травле­нии, повышенную адгезию к подложке и меньшую пористость. Про­текающие при этом физико-химические процессы очень важны. У негативных и позитивных резистов при повышенной температуре происходит дальнейшее структурирование и тем самым упрочнение рельефа. При этом удаляются также летучие вещества и […]