В мировой практике до сих пор не созданы. нормы для стандартизации и унификации светочувствительности полимеров. Поэтому представляют большой интерес работы, в которых при помощи построения моделей в сочетании с но­выми оценками процесса проявления предпринимаются попытки количественно описать экспозиционные характеристики фоторезистов. Важные работы в этой области выполнены Диллом с сотрудниками [1, 35, 36, 83]. Модель построена […]

После экспонирования в слое резиста возникает скрытое изо­бражение, которое необходимо проявить для образования рельефа. Проявление — визуализация скрытого изображения ■— процесс комплексный; он оказывает влияние прежде всего на качество рельефа, четкость краев и возможное возникновение вуали. I Существует два типа проявления: в растворах (мокрое) и су­хое (плазменное). Сухое проявление стало предметом повышен­ного интереса только в […]

-1 Оптимальное время контактного экспонирования определяется с помощью миры, измерения ширины линий и клина оптических плотностей. Клин содержит поля, у которых оптическая плотность Рис. 1.25. Принцип оптического клина: 1 — свет; 2 — модель клина оп­тических плотностей; 3 — слой фоторезиста; Sj—Sn— номера клиньев с переменной оптиче­ской плотностью. возрастает ступенчато на определенную величину. При постоянном […]

Технология сверхбольших интегральных схем с субмикронными размерами элементов не требует обязательного образования суб — микронных рельефов во всех слоях интегральной схемы. Принимая во внимание малую скорость переноса изображения пучком элек­тронов, которая ограничивает скорость всего процесса производ­ства микросхемы, целесообразно использовать этот прием для образования рельефа в слое, где требуется создание субмикронных элементов, а для создания микрорельефов […]

Впервые возможности получения структур с большим числом элементов с помощью рентгеновского излучения продемонстриро­вали в 1972 г. Спирс и Смит [54], которые высказали предположе­ние, что этот метод может быть с высокой производительностью использован для получения полупроводниковых микросхем [55]. Рентгеновская литография — технология будущего. Для нее можно использовать квазиточечный источник мягкого (0,25— 3,0 кэВ) рентгеновского излучения. Наиболее […]

С точки зрения литографии электронное излучение интересно главным образом тем, что его длина волны на несколько порядков меньше, чем УФ-излучения, поэтому с помощью пучка электронов можно в принципе сформировать изображение на несколько по­рядков меньшее, чем с помощью света. Электронным пучком легко управлять, его можно сфокусировать в пятно диаметром менее 10 нм. Такая фокусировка необходима для […]

Ограничения разрешающей способности оптического метода формирования микроизображения определяются длиной X света, характеристиками светового излучения, такими, как когерентность, спектральный состав, а также качеством совокупной оптической системы, природой регистрирующей среды, условиями, при кото­рых создается микроизображение (наличие турбулентной и рас­сеивающей среды, вибрации, температурная деформация и т. д.). Предельные возможности контактного и проекционного оптиче­ских способов формирования изображения определяются простыми […]

Экспонирование является самым существенным этапом при получении рельефов из пленок резиста — в них в результате этой операции создаются скрытые изображения. В фотолитографии 1 шш- Рис. I. 3. Схема контактного и бесконтактного экспонирования: 1 — свет; 2 — маска; 3 — пространство между маской и слоем ре­зиста (при контактном экспонировании минимальное, при бескон­тактном имеет ширину […]

Предэкспозиционная термообработка (первая термообработка, сушка, предварительная термообработка) необходима для прида­ния однородности пленке резиста по всей поверхности и обеспе­чения ее хорошей адгезии. Сушка является важной технологиче­ской операцией, оптимизация которой снижает брак. В большинстве полимерных резистов используются аморфные полимеры, физико-химические свойства которых определяются кон­формацией полимерной цепи или ее сегментов. Молекулярное движение полимерной цепи или ее сегментов зависит […]

Все реагенты, используемые для создания резистных компози­ций и при работе с подложками и резистными слоями, должны иметь квалификацию не ниже ч. д. а. Растворы резистных компо­зиций с целью повышения их стабильности и улучшения качества пленок очищают от примесей центрифугированием, а также филь­труют через специальные фторопластовые фильтры с размером пор 0,2 мкм. Растворы резистов постепенно разлагаются […]