Если для изготовления р *— n-переходов светодиодов приме­няется процесс диффузии, то необходимо контролировать сле­дующие параметры:

глубину залегания р — п-перехода;

вводимые при диффузии неоднородности кристалла и степень однородности плоскости р — п-перехода; оптические свойства диффузионного слоя; центры безызлучательной рекомбинации, возникающие во время диффузии.

Этими параметрами можно управлять, выбирая: источник диффузии; температуру диффузии; продолжительность диффузии; полупроводниковый материал требуемого качества.