На гетерогранице между подложкой из GaAs и слоем Gai-.rAljcAs происходит резкое изменение ширины запрещенной зоны Eg: это отличает приборы с так называемой гетерострукту­рой. Хотя светодиоды с гетероструктурой и инжекционные ла­зеры в настоящей книге специально не рассматриваются, мы. кратко упомянем об успехах, достигнутых в последнее время в области увеличения эффективности лазеров, в которых исполь­зуются уникальные свойства […]

Описанные в разд. 3.4.2 явления деградации люминесценции при изменении состава твердого раствора могут быть обуслов­лены большим рассогласованием постоянных решетки между GaAs (ао = 5,6532 А) и GaP (ао = 5,4512 А) и соответственно между ІпР (ао — 5,8688 А) и GaP. Влияние этого эффекта на квантовый выход промышленных красных светодиодов из GaAsi_*P*, полученных эпитаксией из […]

Об участии вакансий в комплексах — центрах, определяю­щих широкие бесструктурные полосы люминесценции, располо­женные по энергии намного ниже линии краевой люминесцен­ции в GaAs, свидетельствует значительное число эксперимен­тальных работ [343]. Энергии максимумов одной группы этих линий лежат в интервале 1,18—1,22 эВ и зависят от типа доно­ров в вытянутых из расплава кристаллах, в которых эта полоса люминесценции особенно […]

Наиболее интересные результаты для твердых растворов со­единений АП1ВУ с точки зрения создания светодиодов были по­лучены при использовании легирования азотом для увеличения квантового выхода люминесценции вблизи перехода к непрямо­зонному полупроводнику [302]. Это предсказанное Дином и Фолкнером [276] увеличение происходит из-за того, что «эффект зонной структуры» (разд. 3.1.1) возрастает с уменьшением раз­ности энергий в знаменателе ДЯ (которая […]

Как следует из модели виртуального кристалла, при измене­нии состава тройных твердых растворов внешний квантовый выход светодиодов часто не изменяется существенным образом, цока Г-минимум остается на (4—§) квТ ниже ближайшего не- X Рис. 3.50. а — внешний квантовый выход светодиодов из GaAs^^P^. при 300 К в зависимости от параметра состава к, ие легированных азотом (сплошная линия) […]

В этом разделе нас будут интересовать твердые растворы, из которых могут быть изготовлены светодиоды с большим кван­товым выходом в видимой области спектра. Особый интерес представляют твердые растворы, которые при увеличении ши­рины запрещенной зоны остаются прямозонными. Наиболее удачные светодиоды до сих пор получались из твердых растворов, в которых энергия прямых переходов Гіс -► —>■ Гі5у арсенида […]

В качестве прямозонных полупроводников с шириной запре­щенной зоны, достаточно большой для получения люминесцен­ции в видимой области спектра, рассмотрим тройные твердые растворы. На рис. 3.1 показаны только некоторые твердые рас­творы соединений АШВУ, которые можно легко вырастить и в которых можно получить слои п — и р-типа с хорошей электро­проводностью. В этом разделе мы обсудим главным образом […]

Для планарных светодиодов из GaAs : Si получено значение внешнего квантового выхода ~4% при 300 К (рис. 3.46, встав­ка) [250]. Для куполообразных структур, конструкция которых позволяет избежать полного внутреннего отражения в телесном угле стерадиан (рис. 4.4), т]е да 20% при 300 К [257а, 2576) :). На основании этих данных можно сделать вывод о том, что […]

Сильное зависящее от энергии поглощение вблизи края запрещенной зоны прямозонного полупроводника (рис. 2.7) приводит к существенному самопоглощению люминесценции и “О Т — 297 К — р-]013ш~3 10 1,30 1,40 Энергия hv, зЗ а I I I I В і і I S 1 1 f, S0 1,20 _ г Г-297К — п-10,!см’3 ‘ /vV і […]

На природу излучательных переходов очень сильно влияют примеси. В результате возможны непрямые переходы, отличаю­щиеся от тех, для которых кс ф ку в экстремумах зон (разд. 3.1.1). Квазиимпульс сохраняется из-за рассеяния На ионизированных примесях вплоть до | kc — kv | ^ (4me2/ekBT)y (3.31) Если правила отбора допускают переходы между любыми состояниями валентной зоны и зоны […]