Настоящая глава посвящена физическим и физико-химическим основам создания рельефных изображений в слое резиста с учетом возможностей техники литографии будущего, которая позволит получить в широком масштабе структуры субмикронных размеров. Достижение субмикронных размеров элементов необходимо преж­де всего для использования литографии (в этом случае микролито­графии) в микроэлектронике, в отличие от применяемой в поли­графии (макролитография), где требования к разрешающей […]

Б. Беднарж, А. В. Ельцов, Я. Заховал, Я. Краличек, Т. А. Юрре Среди большого разнообразия материалов, используемых со­временной радиоэлектроникой и полиграфией, фото-, электроно — и рентгенорезисты занимают особое положение. Они предназначены для проведения литографии — создания под действием излучения на поверхности подложки в виде рельефного изображения топо­логии будущей радиоэлектронной схемы или полиграфической печатной формы. С […]