ПРОЯВЛЕНИЕ
После экспонирования в слое резиста возникает скрытое изображение, которое необходимо проявить для образования рельефа. Проявление — визуализация скрытого изображения ■— процесс комплексный; он оказывает влияние прежде всего на качество рельефа, четкость краев и возможное возникновение вуали.
I |
Существует два типа проявления: в растворах (мокрое) и сухое (плазменное). Сухое проявление стало предметом повышенного интереса только в последние несколько лет (см. VI.3). Опти
мизируя процесс проявления, стремятся обеспечить минимальное изменение толщины слоя резиста в участках рельефа и при наименьшем времени проявления (менее 1 мин) свести к минимуму набухание полимера в рельефе. Искажение изображения под влиянием набухания ограничивает точность воспроизведения рисунка шаблона.
Самопроизвольное растворение аморфных полимеров протекает только при условии, что энергия Гиббса системы, определяемая как AG = АН — ГAS отрицательная [76]. Это условие может быть выполнено в двух случаях. Если АН < 0, это означает, что энергия, выделяющаяся при образовании сольватной оболочки растворителя вокруг макромолекулы превышает энергию связи между молекулами как растворителя, так и полимера. Условие AS > О выполняется практически всегда вследствие того, что неупорядоченность молекул полимера в растворе больше неупорядоченности его отдельных компонентов: макромолекула в растворе может принимать в результате повышенной подвижности сегментов большее число конформаций, чем макромолекула в твердой фазе. Отсюда следует и тот факт, что полимеры с гибкой цепью растворяются легче, чем полимеры с жесткой цепью, так как полимеры первой группы могут иметь в растворе большее число конформаций. Повышение температуры растворения увеличивает значение энтропийного члена TAS, что отвечает росту скорости растворения.
Взаимодействие между растворителем и полимером может быть оценено с помощью параметра Флори — Хаггинса %, зависящего от температуры:
(1.20) |
х = у,(б, —б 2f(RT) 1 + Р
где эмпирический член р имеет значение около 0,35 и отвечает энтропийной компоненте параметра %■, Vt — молярный объем растворителя; 6i и 6i— параметры растворимости растворителя и полимера.
Значения параметров растворимости растворителей и полимеров табулированы и их можно использовать для выбора растворителя или нерастворяющего вещества для полимера данного типа
[10] . Для растворения полимера необходимо, чтобы разность 62 — 6i была меньше 25% их абсолютных значений. Параметры растворимости типичных растворителей и полимеров приведены ниже:
Полимеры
6, (МДж/м3)0-5 |
6, (МДж/м3)0'5
12.7 14.7 15.5 15,9 16.5 16.5 18,4 |
1°,0 19.2 19.2 19,4 21,8 24.9 25.9 27,7 |
18,6 |
Политетрафторэтилен Политрифторхлорэтилен Полидиметилсилоксан Полиизобутилен Полиэтилен Полиизопрен Полифенилметил- |
силоксан Полистирол |
Полиметилметакрилат Поливинилацетат Полихлоропрен Поливинилхлорид Полиэтилентерефталат Поли (винил иденхлорид) Полиакрилонитрил Поли-е-капролактам |
Растворители
в, (МДж/м!)0-5 10.6- 11,4 15.7- 16,5 14.3— 16,3 17.3— 18,8 17.3— 20,4 18.4— 20,4 18.4— 22,4 20.4— 26,5 20.4— 30,6 |
Перфторироваииые насыщенные углеводороды Перфорированные ароматические углеводороды Насыщенные углеводороды Ароматические углеводороды Г алогеиуглеводороды Кетоиы
Сложные эфиры Карбоновые кислоты Спирты
Растворение линейных аморфных полимеров в отличие от низкомолекулярных веществ начинается с набухания [76]. Молекулы растворителя проникают в полимерную структуру посредством диффузии и образуют набухший поверхностный слой между растворителем и исходным полимером. В случае позитивных резистов достигается минимальная деформация рельефа из-за слабого набухания области, соседней с экспонированной, которая удаляется растворителем. В случае негативных резистов желательно минимальное набухание облученных областей при экстракции растворимой фракции (золя) полимера из структурированной нерастворимой фракции (геля). В результате набухания и увеличения объема полимера происходит распрямление макромолекул и диффузия сольватированных полимерных клубков в растворитель. Скорость набухания и растворения уменьшается с ростом ММ полимера. Коэффициент диффузии оказывает влияние на кинетику растворения, а термодинамический параметр растворимости-—на толщину набухшего слоя [77]. Скорость растворения и степень набухания определяются концентрационной зависимостью коэффициента диффузии растворителя в полимер [78]. Факторы, определяющие подвижность растворителя в полимерной матрице (тактичность, и характер термообработки полимера, размер молекул растворителя), влияют на растворимость полимера нередко больше, чем его ММ [79].
Существенное влияние на проявление негативного резиста оказывают температура и наличие влаги в растворителе [4]. Еще сильнее это проявляется у позитивных резистов, для большинства которых добиваются различной растворимости экспонированных и неэкспонированных полимерных слоев с одинаковой ММ. Присутствие воды в растворителях при проявлении негативных резистов может стать причиной возникновения вуали, особенно на поверхности диоксида кремния, который адсорбирует воду в процессе проявления в местах, где локальная концентрация полимера в проявляющем растворе как раз наибольшая. Промышленные растворители, такие, как ксилол и бензин, имеют непостоянное содержание воды, но и относительно «сухие» растворители могут абсорбировать влагу из воздуха. Избирательная сорбция воды может приводить к ее диффузии в сшитые участки слоя резиста и к поверхности диоксида кремния и снижать тем самым адгезию этих слоев.
Проявление двухкомпоиеитиых позитивных фоторезистов осложняется набуханием не сильно потому, что алкилиоволаки, которые образуют основную часть слоя, иизкомолекуляриы и растворяются в основаниях послойно с минимальным набуханием поверхностного слоя. Это одна из причин, по которой у позитивных фоторезистов хииоидиазидного типа достигается высокое разрешение. Оптимальная концентрация проявителя определяется скоростью растворения экспоиироваииого резиста при разных коицеитрациях оснований.
Ионы металлов, входящие в состав проявителя, могут адсорбироваться на поверхности подложки и при последующей термодиффузии примесей в подложку вызывать дефекты полупроводниковых структур. Для сверхбольших интегральных схем отрицательное влияние удерживания подвижных ионов металлов особенно велико и повышается с ростом плотности элементов схемы. Поэтому необходимо, чтобы максимальное содержание ионов Na+ и К+ в резисте составляло 0,2—5 млн-1. Поскольку проявление позитивных резистов проводится растворами щелочей, требуется хорошая промывка подложки после проявления. Заметна тенденция использовать растворители, не содержащие иоиов металлов, и для проявления позитивных резистов, так как при этом меньше вносится всевозможных загрязнений. Примером таких проявителей могут служить MF-314 Shipley, а также системы иа основе водных растворов аминов [2] и смесей этаноламииов с глицерином [79].
Необходимо строго выдерживать время проявления, так как при длительном действии растворителя происходит растворение и неэкспонированных областей резиста. Тонкие слои резиста при использовании менее концентрированного проявителя дают пленки меньшей пористости.
Сшивание негативных резистов не изменяет химической природы полимера, т. е. у сшитого полимера сохраняется способность взаимодействовать с растворителем и набухать в местах экспонирования. Степень набухания такого полимера зависит от концентрации поперечных связей и природы растворителя, она определяется по уравнению Флори — Ренера (1.21):
V=---------------------------- г;-------------- —---------------------------------------- (I. 21)
V] ф2/з —2ф 2f
где v — молярная концентрация сшивок в единице объема; ф2 — объемная доля структурированного полимера в набухшей сети; f — функциональность узлов, т. е. число цепей, выходящих из разветвления [76].
При набухании полимера значительно увеличивается его объем (до 1000—1500 %), а давление набухания, которое падает с ростом степени набухания, достигает максимального значения при низкой степени набухания (например, при набухании 0,1 % давление набухания может доходить до 103 МПа). Поэтому для снижения набухания целесообразно использовать не самые лучшие растворители, которые, однако, могут вызывать образование вуали. Следует находить компромиссное решение. В большинстве случаев необходима комбинация растворителей. У рельефов набухание может привести к контакту соседних линий при проявлении, а их взаимная адгезия — к неполному разделению при промывке и сушке. Особенно отрицательно проявляется это в потере четкости краев [15]. Влияние набухания может быть уменьшено подбором подходящих условий промывки после проявления. Для этой цели используются смеси растворителей с понижающимся значением параметра %. Этим способом можно постепенно снижать степень набухания, однако резкий переход к нерастворяющему веществу может стать причиной полного разрушения рельефа в результате деформаций (свертывание и сморщивание линий).
Проявление растворителями проводится пульверизацией или окунанием [4] (последнее равносильно прополаскиванию [80]). При проявлении по способу фирмы National Hunt Puddle Process (США) кассеты с подложками с нанесенным резистом помещают в непрерывно проявляющее устройство. Кассеты последовательно вводят в центрифуге в поток свежего проявителя, причем кассеты сначала неподвижны. Проявитель WX-108 моментально покрывает всю подложку, что исключает временные изменения при проявлении, наблюдаемые при окунании. После действия проявителя в течение нескольких секунд кассета с подложками центрифугируется при малой частоте вращения, а затем промывается при центрифугировании водой. В заключение проводится центрифугирование при большой частоте вращения, после чего кассету с высушенными подложками помещают в сушилку для доотверждения. На подобном принципе работают и проявляющие устройства фирмы Fuji (Япония) [81].
Однако для получения хорошо воспроизводимых схем с суб - микронными размерами элементов каждую пластину обрабатывают в отдельности, используя специальные поточные линии.
Пульверизация обычно дает лучшие и более воспроизводимые результаты, так как имеется возможность лучшего контроля времени и температуры, непрерывно используется чистый растворитель, который можно при этом фильтровать. Расход растворителя и пожароопасность при пульверизации значительно выше, чем при окунании. Поэтому часто используется комбинация обоих методов. При окунании образуется набухший гель, который затем растворяется или частично смывается при промывке пульверизацией. Преимуществом окунания является однородный контакт растворителя с пленкой фоторезиста, однако контроль времени проявления менее точен, потому что эта операция обычно проводится вручную. При пульверизации необходимо правильно установить сопло, чтобы вся поверхность подложки обрабатывалась однородно. В результате испарения растворителя при пульверизации понижается температура, поэтому ее необходимо корректировать; это можно осуществлять автоматически.
Патентуется аппаратура и метод проявления резиста, при котором экспонированная пластина вводится в контакт с парами растворителя, которые конденсируются на слое резиста, проявляя рельеф (яп. пат. 58-52645).
Основным требованием воспроизводимости процесса проявления является поддержание постоянного времени действия проявителя, температуры, концентрации и состава растворов, чистоты. На этой стадии обработки резистный рельеф особенно чувствителен к загрязнениям, поэтому требуемая степень чистоты отвечает классу 100. Колебания температуры не должны превышать ±0,5 °С, относительной влажности воздуха ±2%. Постоянства всех параметров легче всего достичь при использовании боксов.
Сушка рельефа после проявления и промывки обычно проводится в потоке сухого и теплого воздуха или азота в центрифуге с частотой вращения примерно 100 об/мин. Испарение растворителя понижает температуру подложки и рельефа в зависимости от типа растворителя вплоть до 10 °С, что может привести к конденсации на поверхности резиста влаги. Поэтому последнюю промывку проводят в растворителе, способном удалять воду, например изопропиловом спирте [16]. При изготовлении хромовых масок воздействие воды приводит к образованию пятен при травлении.
Перед доотверждением желательно устранить возможную вуаль и провести коррекцию формы краев рельефа, прежде всего у рельефов на основе негативных резистов. Целесообразно использовать несильное плазменное травление, которое хотя и удаляет слой толщиной около 10 нм на всей поверхности, но не оказывает влияния на функционирование резиста при травлении. Этим способом устраняются последствия набухания негативного резиста, деформация краев рельефа и при доотверждении [82].