Некоторые результаты действия излучения на диеновые поли­меры приведены в обзорной статье Партриджа [31]. Голуб с со­трудниками [32] исследовал изомеризацию диеновых полимеров по двойным связям под влиянием ионизирующего излучения. Воз­буждение двойных связей делает возможным вращение вокруг связи С—С и стабилизацию в новом положении. Повышенная спо­собность к изомеризации определяется, согласно Голубу, длиной полимерной цепи. Бём, изучая влияние […]

Действие ионизирующего излучения на полимеры не удается описать с точки зрения единого механизма, поскольку конкурирующее образование новых свя- Рис. VII. 11. Влияние ионизирующего излучения иа мик­роструктуру ПММА: w — молярная доля изотактических (У), гетеротактиче* ских (2) и снндиотактических (S) участков. зей и разрыв старых у разных полимеров приводит к различным результатам [31].

У большинства полимерных материалов под действием ионизи­рующего излучения структурирование и деструкция протекают одновременно. Однако на основании экспериментальных данных полимерные материалы можно разделить на две группы по типу преобладающего процесса: полимеры деструктирующие и поли­меры структурирующиеся. Критерием при отнесении полимера к одной из групп может служить теплота полимеризации соответствующего мономера, ко­торая, за небольшим исключением, выше у полимеров, […]

При облучении полимерных материалов идет одновременно де­струкция, циклизация, структурирование (трехмерная полимери­зация, сшивание), а также соединение концов полимерных цепей. Сшивание является межмолекулярной реакцией в объеме поли­мера, поскольку возникают химические связи между звеньями раз­ных полимерных цепей; образование химической связи между звеньями одной и той же полимерной цепи называют цикли­зацией. К деструкции относят процессы, при которых разрушаются химические […]

В потоке электронов отдельные частицы взаимодействуют друг с другом [4]. Рассеяние электронов ведет к распространению элек­тронного излучения по всем направлениям. Следовательно, и элек — тронорезист (рис. VII. 1) экспонируется в тех местах, куда перво­начально не направлялся пучок электронов. Поток электронов в слое резиста делят на излучение, сохраняющее направление перво­начального пучка, и обратно отраженное электронное излучение. […]

!■ Световая энергия поглощается селективно, тогда как излуче­ния высокой энергии поглощаются менее избирательно, практи­чески независимо от химического строения полимера. Существует несколько механизмов передачи энергии среде электронами. Пре­обладание того или иного механизма определяется прежде всего энергией электронов и в меньшей степени характером поглогцаю — j щего материала. При высоких энергиях электронов ее потеря (пе­редача) идет в […]

Развивающийся в последние десятилетия новый способ офсет­ной плоской печати (сухой офсет, «драйография») заключается в том, что при печатании с плоских печатных форм разделение про­бельных и печатающих элементов проводится без использования увлажняющего раствора. Так, пробельные участки офсетной формы покрываются полисилоксановым слоем, поверхностное натяжение которого ниже критического поверхностного натяжения печатной краски; таким образом используются не только гидрофобные, […]

Способ «переноса изображения» позволяет при применении фоторезистных композиций получать рельефное изображение на слое подложки и одновременно на верхнем прозрачном покровном слое. Светочувствительный слой является промежуточным между несущим и принимающим слоями. В настоящее время предлага­ется ряд светочувствительных композиций, содержащих обычный набор очувствителей — сшивающих агентов или сенсибилизаторов и специально выбранные пленкообразующие. В результате различ­ных химических реакций […]

Фоторезисты-диффузанты — новые светочувствительные мате­риалы, на основе которых могут быть осуществлены обе основные операции планарной технологии изготовления полупроводниковых приборов: фотолитография и диффузия. Диффузионный процесс определяет’ уровень глубины электронно-дырочного перехода в кремнии и концентрацию легирующей примеси. Создание однород­ных диффузионных переходов относится к числу сложных задач планарной технологии, решение которых обусловлено в большой степени выбором диффузанта. В […]

При многослойном монтаже в производстве больших ИС резистный микрорельеф, полученный с помощью фотолитографии, может выполнять функцию межслойной изоляции. Однако по усло­виям технологии одновременно с этим он должен быть термостой­ким— выдерживать температуру до 500 °С. Слои многих фоторези­стов обладают электроизоляционными свойствами (а. с. СССР 398916, см. раздел IV. 2). Однако для получения термостойкого рельефа необходимо применять […]