В светодиодах из GaP успешно использовались контакты на золотой основе: Au — Si для контактов к материалу я-типа и Au — Zn для контактов к материалу р-типа [194]. Впоследствии цинк был заменен бериллием для контактов к материалу р-типа [195]. Давление паров Be значительно ближе к давлению паров Au, чем у Zn; следовательно, напылять из одного источника сплав Be — Au значительно удобнее, чем Zn —Au. Для изготов­ления высокотемпературных контактов к GaP температуры вплавления пленок Au, Al, Ag и Ni должны быть равны соот­ветственно 520, 635, 690 и 760 °С [196]. Вплавные контакты на серебряной основе (Ag—Ge, Ag—Те и Ag—Те—Sb), покрытые пленкой Ni, становились омическими после термообработки при высоких температурах (вплоть до 600—700°С), причем наи­меньшее удельное сопротивление контакта, полученного с по­мощью системы Ag—Те—Sb, составляло 4-Ю-4 Ом/см2.

Для GaAs^Pi-x р-типа, в который была проведена диффузия Zn, можно применить ронтакты из А1, напыленные или изго­товленные ультразвуковой пайкой [40, 197]. Контакты из

Au—Ge—Ni, впервые разработанные для GaAs, могут быть ис­пользованы также для AUGai-^As, GaAsxPi-* и GaP я-типа с результирующей концентрацией доноров, лежащей в диапа­зоне 1017—1018 см~3. Омические контакты были получены ко всем трем материалам после вжигания при оптимальных тем­пературах, соответственно равных 490—540, 530—580 и 590— 630 °С [198]. Удельные сопротивления контактов увеличивались после того, как полупроводник нагревался до больших темпе­ратур (рис. 5.41). Удельное сопротивление контакта ко всем трем материалам уменьшалось обратно пропорционально корню квадратному из концентрации доноров [198]. Этот результат отличен от того, который получен на GaAs я-типа, где удельное контактное сопротивление оказывается обратно пропорциональ­ным концентрации носителей [199]; аналогичное поведение на­блюдалось ранее на контактах к кремнию и германию [200]. Для контактов к материалам р-типа с результирующей концен­трацией носителей ~2-1.019 см-3 удовлетворительны только сплавы Au—Zn как для A^Gai-xAs, так и для GaP после вжи­гания при температурах выше 550 °С. И Au—Zn, и А1 дают

одинаково хорошие контакты к GaAs^Pi-^; алюминиевый кон­такт, однако, необходимо вжечь при температуре ~ 550 °С [198].