ОМИЧЕСКИЕ КОНТАКТЫ


Омическим контактом называют Контакт между металлом и полупроводником, который имеет линейную и симметричную вольт-амперную характеристику. Другими словами, в ней нет потенциального барьера (отсюда «симметрия») и нет бесконечно большой скорости поверхностной рекомбинации (отсюда «лц-
С ВА Рис. 5.36. Вольт-амперные характеристики металлического контакта к образцам GaAs при увеличении концентрации носителей [178]. А соответствует низкой концентрации; В — концентрации Ю1* см~3; С — концентрации 1019 см'3. |
нейность»), В месте омического контакта концентрации электронов н дырок соответствуют тепловым равновесным значениям.