Если процесс жидкостной эпитаксии происходит в пределах выделенной площади подложки, то могут быть образованы изолированные друг от друга р— я-переходы [158]. Обычная процедура заключается в нанесении слоя Si02 на подложку из GaP и в последующем снятии слоя окисла с той части поверх­ности, где необходимо создать р — я-переход. Слой окисла сна­чала используется как маска для травления, с помощью кото­рого часть подложки снимается на глубину, сравнимую по тол­щине с требуемым эпитаксиальным слоем. После травления можно проводить жидкостную эпитаксию. Окисел является при этом маской для покрытых им областей подложки. Трудно бы­вает, однако, равномерно зарастить вытравленные области из-за зависимости скорости роста кристалла от ориентации [159]. В частности, скорость роста GaP очень велика в направлении (2 1 1), что ведет к введению Ga в виде включений в слои, вы­ращенные на обычно применяемых поверхностях (1 1 1) В (рис. 5.31). Эту трудность можно устранить, выбрав в качестве плоскости роста плоскость (1 0 0), которая составляет 55° с на­правлением (2 1 1) [160]. При эпитаксии на плоскости (100) может быть достигнуто однородное осаждение без бокового ро­ста на краях вытравленных окон в подложке (рис. 5.32). Из-за того что технология жидкостной эпитаксии развивается мед­ленно, этот способ изготовления изолированных переходов до сих пор не получил широкого распространения.