Прежде чем приступить к анализу различных структур, ис­пользуемых для цифровых или буквенно-цифровых индикаторов, рассмотрим коэффициент вывода света из плоского р — я-пере­хода через плоскую поверхность, параллельную плоскости пе­рехода. Важно определить, какая доля света выходит через по­верхность при первом попадании на нее и какая доля света задерживается внутри полупроводника. Поскольку нерегуляр­ное рассеяние света, остающегося в полупроводнике, […]

Большое значение внешнего квантового выхода светодиодов из GaP обусловлено не высокой эффективностью преобразова­ния внутри диода, а прозрачностью GaP для излучения, возбуж­даемого в р — я-переходе. Впрочем, последнее достоинство мо­жет стать существенным недостатком при разработке монолит­ных индикаторов, тогда как внутреннее поглощение в прямо­зонных полупроводниках обеспечивает в этом случае оптическую изоляцию между соседними излучающими свет элементами. Дру­гим […]

Спектры внутреннего излучения наиболее эффективных, а по­тому и наиболее интересных с практической точки зрения крас­ных светодиодов из GaP : Zn,0 [73] и зеленых из GaP : N [23] показаны на рис. 6.28. Цвет излучения определяется домини­рующими длинами волн 637 нм для красного и 556 нм для зе­леного светодиодов. Как уже обсуждалось в разд. 6.2, мате­риал, […]

Спектр излучения светодиодов, изготовленных из тройного твердого раствора GaAsi_*P*, можно непрерывно изменять в об­ласти 680—560 нм за счет изменения х от 0,3 до 1,0 (разд. 3.4.2), Слои с х < 0,5 обычно выращиваются на подложке из GaAs, Энергия максимума излучения, эВ 1,8 1,9 2,0 2,1 2,2 Рис. 6.25. Зависимость яркости от длины волны максимума излучения […]

В предыдущих разделах изложены общие принципы кон­струирования светодиодов с точки зрения повышения внешнего квантового выхода. В данном разделе рассматривается вопрос о цвете излучения светодиодов, изготовленных из наиболее рас­пространенных материалов — GaAsi-xPx и GaP. Основные понятия колориметрии изложены в гл. 1, На рис. 1.5 изображен стандартный цветовой график МКО. Каждая точка графика представляет собой множество нормализованных […]

В предыдущих разделах были обсуждены способы вывода света из непрямозонных полупроводников, а также рассмотрен вопрос о том, как довести большую долю излучения до поверх­ности полупроводника в случае прямозонных материалов. Было показано, что полное внутреннее отражение может сильно уменьшить внешний квантовый выход диода в обоих случаях. ‘) В работе Алферова Ж. И. и др. Высокоэффективные гетеросветодиоды […]

Как показано в предыдущих разделах, при конструирова­нии светодиодов на основе прямозонных полупроводников основ­ной проблемой является собственное поглощение материала. Из-за большой величины коэффициента поглощения приходится использовать очень мелкие р — я-переходы, что в свою очередь приводит к увеличению безызлучательной поверхностной реком­бинации, снижающей внутренний квантовый выход. Известны два способа разнесения спектров излучения и поглощения для снижения внутреннего […]

Если поверхность полупроводника, примыкающая к пере­ходу, оптически согласована с внешней средой, квантовый выход с внутренней поверхности T]/s макс равен ВНЄШНЄМУ КВЭНТОВОМу выходу г]в. Вследствие различия показателей преломления полу­проводника и воздуха значительная доля света может оста­ваться внутри диода. Определим коэффициент вывода света с поверхности r|os (эквивалентный коэффициенту пропускания поверхности Ts) следующим образом: Ло5 Л /:/^ I […]

После того как состав полупроводника определен, р — п-пе­реход обычно создается путем диффузии цинка в эпитаксиально выращенный материал я-типа [44]. Диффузия примесей в со­единениях AmBv рассмотрена в разд. 5,2, поэтому мы не будем здесь останавливаться на этом вопросе. Обсудим конструктив­ные соображения [45], связанные с квантовым выходом для внутренней поверхности полупроводника, граничащей с неглу­боким р — […]

Прямозонные полупроводники A, nBv, излучающие в види­мой части спектра, являются тройными твердыми растворами (разд. 3.4). Некоторые различия между светодиодами из прямо­зонных полупроводников и рассмотренными выше красными диодами из GaP заключаются в следующем: 1. Спектр излучаемого света зависит от составляющих ком­понентов соединения AmBv [37]. 2. В таком тройном твердом растворе коэффициент поглоще­ния испускаемого излучения в области […]