Прежде чем приступить к анализу различных структур, ис­пользуемых для цифровых или буквенно-цифровых индикаторов, рассмотрим коэффициент вывода света из плоского р — я-пере­хода через плоскую поверхность, параллельную плоскости пе­рехода. Важно определить, какая доля света выходит через по­верхность при первом попадании на нее и какая доля света задерживается внутри полупроводника. Поскольку нерегуляр­ное рассеяние света, остающегося в полупроводнике, приводит к нежелательному взаимодействию соседних элементов индика­тора, то его необходимо сводить до минимума. В прямозонных полупроводниках это достигается за счет поглощения отражен­ного от поверхности света в материале. В случае непрямозон­ных полупроводников разработан целый ряд структур, в кото­рых часть отраженного света используется аналогично тому, как это описано ниже.

Отношение светового потока Фt, прошедшего через плоскую поверхность, параллельную плоскости р — я-перехода, к по­току Фг, возникшему в элементе р — я-перехода [84], равно

(6.77)

В плоской конфигурации при первом падении на границу через нее проходит очень малая доля света, если только не уменьшить разность показателей преломления полупроводника и окружаю­щей среды (рис. 6.34). Через границу GaP — воздух проходит только 1,6% света, генерируемого внутри полупроводника; при

покрытии эпоксидной смолой эта величина возрастает до 4,4%. Ниже мы приведем значения поверхностной яркости L0 для не­которых разработанных к настоящему времени светодиодов.