Работа светодиодов определяется видом прямой ветви вольт» амперной характеристики диода /р = /0 exp (qVF/nkBT), (7.9) где значение п лежит обычно в пределах 1,5—2,0. Люкс-ампер — ные характеристики приборов описываются аналогичным выражением (кроме области очень малых токов):где п — 1 вплоть до насыщения излучающих центров (при плотности тока 1—5 А/см2 для красных светодиодов из GaP […]
СВЕТОДИОДЫ
Многоцветные индикаторы. Различимость цветов
Элементы колориметрии были рассмотрены в гл. 1, а спектральное распределение излучения светодиодов обсуждалось в разд, 6.2.3. В колориметрии информация о цвете описывается такими понятиями, как оттенок, чистота и яркость цвета, причем определяющую роль играет длина волны. В субъективном различении цветов важную роль играют другие факторы, такие, как удобство наименования цветов, цвет и яркость фона и […]
Индикаторы состояния
Ламповые индикаторы имеют широкую область применения. В некоторых случаях они указывают на наличие рабочих условий, например на включение питания в различных приборах или на занятость линии в клавишном телефоне. В других случаях они служат предупреждающими сигналами, например в различных указателях на приборной панели современного автомобиля. Во всех перечисленных случаях необходимо, чтобы наблюдатель сразу замечал момент […]
ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ ЛАМПЫ
Схемы некоторых наиболее широко используемых конструкций ламп на основе светодиодов показаны на рис. 7.6. В конструкциях а и б использованы обычные транзисторные и диодные крисгаллодержатели. Светодиод в конструкции а герметически закрыт крышкой с прозрачным стеклянным окном. В конструкции в на металлических выводах, одновременно образующих основу кристаллодержателя, закреплены и светодиод, и последовательно с ним включенный кремниевый […]
ПРИМЕНЕНИЯ
Хотя явление элект^люминесценции известно уже несколько десятилетий, промышленное использование светодиодов началось лишь в конце 60-х годов. Некоторые из новых приборов заменяют существующие источники света, другие находят применение в специальных условиях в точном соответствии с их свойствами. В перспективе светодиоды, по-видимому, в основном будут не заменять другие источники света, а дополнять их. Само собой разумеется, что, […]
Конструкции светодиодов полусферической формы
Наивысшее значение коэффициента вывода света достигается в приборах полусферической формы (разд. 6.3). Хотя с экономической точки зрения диоды с идеально сферической поверх- для контакта — Рис. 6.39. Схематическое изображение квазипланарного светодиода из GaP с балочными выводами [28] и буквенно-цифрового индикатора с 5 X 7 элементами на его основе. ностью изготавливать невыгодно, хорошим приближением к тайкой […]
Мезаструктуры
Впервые семиэлементные цифровые индикаторы на меза — структурах, показанные на рис. 6.37, были предложены в работе [91] . Аналогичные структуры были изготовлены также на основе красных светодиодов из GaP с высоким квантовым выходом, причем материал выращивался жидкостной эпитаксией [92] . Оказалось, что отражение от задней поверхности ухудшает четкость восприятия изображения, поэтому для повышения резкости необходимо […]
Планарные структуры
Планарные цифровые и буквенно-цифровые индикаторы можно изготавливать на базе диффузионных р — «-переходов как из GaP [87], так и из GaAsi-xP* [88]. Семиполосковый цифровой индикатор зеленого цвета, описанный в работе [87], сформирован в одном эпитаксиальном слое, выращенном из жидкой фазы, с помощью низкотемпературной диффузии цинка через маску из нитрида кремния. Строение отдельной полоски показано на […]
Монолитные конструкции приборов
Три типа монолитных конструкций светодиодов, которые рассматриваются ниже, представлены на рис. 6.35. Любую из этих конструкций можно использовать для изготовления цифрового индикатора из семи полосок или буквенно-цифрового индикатора из матрицы 5X7 элементов. Первый тип представляет собой плоскую структуру, пригодную как для прямозонных, так и для непрямозонных полупроводников, р — я-Переходы формируются диффузией или селективной жидкостной […]
Поверхностная яркость различных светодиодов
Внутренняя яркость прозрачного плоского источника света определяется выражением Lvі (0і) = kLei (0() = (/ті7/гv/С/4jx) sec 0*, (6.78) где Le — энергетическая яркость (Вт-ср_1 — cm-2), j — плотность питающего тока (А-см-2), ту — внутренний квантовый выход, К. — видность [выражение (6.76)], а яркость измеряется в стильбах (1 сб = 1 лм-ср_1-см_2). Чтобы выразить яркость […]