Кинетика рекомбинации была вновь рассмотрена в более широком интервале температур (до ~450 К) в работе [118]. Стандартная модель Шокли — Рида—Холла [119] была до­полнена с учетом того, что ловушка Zn — О может находиться в трех возможных состояниях (пустом, занятом электроном, за-, нятом экситоном) [65]. Увеличение времени релаксации при температурах ниже 60 К, т. е. […]

В данном разделе рассмотрена природа эффективной крас­ной электролюминесценции в светодиодах из фосфида галлия, изготовленных методом жидкостной эпитаксии, и показано, что электролюминесценция в этом случае определяется также изо — электронными ловушками, но другого типа. Диоды, легирован­ные цинком и кислородом, излучают в довольно широкой спек­тральной полосе с максимумом на длине волны ~690 нм (~ 1,8 эВ) при […]

Благодаря уникальному сочетанию большой силы осцилля­тора и малой глубины ловушки, характерной для притягиваю­щей электрон изоэлектронной ловушки N в фосфиде галлия — ^полупроводнике с благоприятным эффектом зонной структуры в зоне проводимости, — на светодиодах из GaP : N при 300 К удается получить люминесценцию в зеленой области спектра (с энергией излучения, близкой к Eg); никакая другая […]

В 1964 г. в работах [70] для CdS : Те и [71] для GaP: N было «оказано, что изоэлектронные примеси замещения могут приво­дить к появлению в полупроводнике связанных состояний (так *) Оба механизма с участием донора О — межпримесная рекомбинация иа донорно-акцепторных парах [69] и рекомбинация свободных дырок на нейтральных донорах [47] — вызывают инфракрасное […]

Оже-рекомбинация была исследована сначала в полупровод­никах с узкой запрещенной зоной типа InSb, в которых этот безызлучательный механизм, включающий три свободных но­сителя, определяет скорость рекомбинации неосновных носите­лей при 300 К [59]. В случае инжекции электронов в материал p-типа время жизни неосновных носителей равно (Ср2)~1; для InAs С — 10~26 см6-с_|. В работах [60—62] обсуждаются огра­ничения квантового […]

Вследствие относительно большого излучательного вре­мени жизни и малой энергии активации (~30 мэВ) процесса. теплового гашения люминесценции, который определяется пере­ходом электрона в зону проводимости[52], излучательная ре­комбинация связанных экситонов становится несущественной при температурах выше 100 К даже для максимальных уровней возбуждения, достижимых в светодиодах [45], или при катодо — .люминесценции [54]. Кроме того, излучательная рекомбина­ция связанных экситонов […]

Силу осцилляторов переходов с участием доноров гораздо >проще можно определить из поглощения, обусловленного пере­ходами третьего типа, а именно фотовозбуждением экситонов, •связанных на нейтральных донорах. Комплексы такого типа2) были исследованы во многих полупроводниках. Энергия связи. локализованного экситона обычно пропорциональна энергии ионизации донора (или акцептора) [50, 51], т. е. можно счи­тать, что дырка удерживается на ионе донора […]

Полупроводники обычно компенсированы до уровня по край­ней мере ■— 10%. Избыточные электроны и дырки быстро за­хватываются компенсированными донорно-акцепторными па­рами, и при температурах, достаточно низких, чтобы тепловая ионизация была несущественной, единственным значительным процессом релаксации является межпримесная рекомбинация электронов и дырок. На возможность такого механизма, назы­ваемого излучательной рекомбинацией на донорно-акцепторных парах, впервые указали Пр^нер и Вильямс [26]; […]

Как показано в разд. 3.1, в непрямозонных полупроводни­ках вероятность межзонной излучательной рекомбинации мала вследствие тоге, что непрямые переходы являются переходами второго порядка. Это в свою очередь ведет к низкому внутрен­нему квантовому выходу, который часто определяется конкури­рующей безызлучательной рекомбинацией на неидентифициро — ванных глубоких уровнях. Мы также видели, что полупровод­ники, пригодные для изготовления диодов с точки […]

Во многих случаях для эффективной люминесценции необхо­димо присутствие в материале примесей или дефектов решетки, действующих как центры активации. Обычно захват по крайней мере одного типа носителей (электрона или дырки) на эти центры активации является необходимой предпосылкой для из­лучательной рекомбинации. Сечение захвата мелких центров обычно велико: для центров с 8-образным потенциалом, как, на­пример, для изоэлектронных ловушек […]