Внутренняя яркость прозрачного плоского источника света определяется выражением

Lvі (0і) = kLei (0() = (/ті7/гv/С/4jx) sec 0*, (6.78)

где Le — энергетическая яркость (Вт-ср_1 - cm-2), j — плотность питающего тока (А-см-2), ту — внутренний квантовый выход, К. — видность [выражение (6.76)], а яркость измеряется в стильбах (1 сб = 1 лм-ср_1-см_2). Чтобы выразить яркость в канделах на квадратный метр, приведенное выражение необ­ходимо умножить на я и на соответствующий переводной мно­житель (3,4); в результате получим

Lvi (9*) = 7&9Kjr,h sec 0г, (6.79)

а для внешней яркости имеем соответственно

Lvо(0,) = 789А: (n0/«i)2 Т(0О, 0г) /ті, ftv sec 0,. (6.80)

Если взять типичные получаемые в настоящее время значе­ния ці « 10% для красных и ц, « 0,3% для зеленых светодио­дов из GaP, то для яркости, отнесенной к плотности тока (для источника, подчиняющегося закону Ламберта, это эквивалентно к. п. д. по току), получим значения, приведенные в табл. 6.7.

При небольших плотностях тока яркости как красных, так и зеленых светодиодов приблизительно. одинаковы. С увеличе­нием плотности тока яркость зеленых светодиодов растет быст­рее, чем яркость красных. Приведенные значения яркости ниже будут использованы при оценках; следует подчеркнуть, что эти значения не соответствуют полному свету, который можно полу­чить от светодиодов из GaP. Приведенные значения яркости со­ответствуют лишь тому свету, который выходит через плоскую поверхность светодиода при первом падении на нее. Это экви­валентно полному свету, который можно получить от светодио­дов, изготовленных из прямозонных полупроводников. (Хоро­ший диод из GaAsi-xPx с « 2,5 • 10—3 и К ~ 50 имеет поверх­ностную яркость ~170 кд-м_2-А-1-см2.) В прозрачных непря­мозонных полупроводниках коэффициент вывода света можно увеличить, если предусмотреть дополнительные возможности для вывода света, отраженного внутрь полупроводника, а также если выводить свет через искривленную поверхность или через систему плоских поверхностей.