На рис. 4.18 схематически представлена граница зерна. Поскольку центры кристаллизации соседних зерен A и B воз­никают независимо, кристаллографические плоскости соседних зерен наклонены друг к другу под случайными углами а (в пло­скости х, у) и Р (в плоскости y, z). Если касательные напряжения т действуют в плоскости х, у, а кристаллографические плоскости разориентированы только по уг­лу […]

При жестком закреплении описанный источник дислокаций будет работать до тех пор, пока приложенное напряжение не упа­дет до уровня: xeff < xc = G ■ b/L. Если приложенное напряжение постоянно, источник будет работать до тех пор, пока первая из генерированных петель не упрется в препятствие, и затем осталь­ные петли не будут остановлены силами взаимодействия между парами […]

4.2.8.1. ИСТОЧНИК ДИСЛОКАЦИЙ И КРИТИЧЕСКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ ДЛЯ ЕГО ОТКРЫТИЯ На рис. 4.14а показан закрепленный в точках A и B участок краевой дислокации. Допустим, что лишняя плоскость вставлена сверху, вектор Бюргерса положителен и направлен вдоль оси у. Точки закрепле­ния могли возникнуть в результате того, что при своем движении дислокация натолкнулась на два твердых неметаллических вклю­чения, либо […]

Схема перемещения дислокации при скольжении показана на рис. 4.12. На рис. 4.12а, б, в показано сечение, перпендикулярное линии краевой дислокации, направленной вдоль оси 2. Краевая дислока­ция в исходном положении (рис. 4.12а) заканчивается атомами лишней плоскости A и B. Под действием напряжений т атомная плоскость I сдвигается относительно плоскости II вправо, и меж­атомная связь D и […]

На рис. 4.8 показана часть кристалла единичной толщины, нагруженная напряжениями т с одной краевой дислокацией. Дислокацию перемещает приложенная к ней погонная сила F. В момент появления дислокации на левой грани кристалла обра­зуется уступ шириной b, показанный на левом рисунке. После пе­ремещения дислокации на расстояние d на правой грани появляет­ся соответствующий уступ, показанный на правом рисунке. […]

На рис. 4.7 показана схема растяжения линии дислокации L силами T до длины L + dL. Чтобы найти величину сил Т, прирав — L dL няем работу сил Т при увеличении длины J | * * I * * дислокации приращению энергии дисло — Рис 4 7 кации, связанной с увеличением длины: Натяжение дислокации T […]

Удельная упругая энергия на единицу объема материала w вы­числяется по формуле: w = zjк • dzn). В случае винтовой дислокации из 6 компонентов напряжений по формуле (4.6) имеем только один тг0, поэтому тг0 тг0 d _2 w = Jt*0-d! zB= “Gf = yG;- (4.18) 0 0 Чтобы вычислить упругую энергию Е, приходящуюся на еди­ницу длины […]

Около винтовой дислокации (рис. 4.5а) единственные переме­щения uz образуют винтовую линию: А • r u=b • • (4Л2> Координаты r и 0 показаны на рис. 4.5в. Обходя вокруг винтовой дислокации по кристаллографической плоскости, можно подниматься, как по винтовой лестнице, на b за каждый оборот. Сдвиговая деформация хорошо видна, если начертить разверт­ку цилиндра с произвольным радиусом […]

Мощность дислокации (величина несовершенства кристалла, связанная с дислокацией) определяется вектором Бюргерса b. На­правим ось 2 вдоль линии дислокации L (для краевой дислокации рис. 4.2 эта линия является краем лишней плоскости, вставлен­ной в кристалл). Если линия дислокации изогнута, то ось 2 направляют по ка­сательной к этой линии в рассматриваемой точке. Ось у направ­лена по лишней плоскости, […]

4.1. ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ПРОЧНОСТЬ МЕТАЛЛА НА СДВИГ Задача о приближенной оценке величины теоретической прочно­сти металла на сдвиг была решена в 1920-х годах на основании схемы, приведенной ниже. На рис. 4.1 схематически показана диагональная плоскость объемно центрированной кубической кри­сталлической решетки с межатомными расстояниями b. Под действием касательных напряжений т верхняя часть кри­сталла сдвигается относительно нижней части на […]