Настоящая глава посвящена физическим и физико-химическим основам создания рельефных изображений в слое резиста с учетом возможностей техники литографии будущего, которая позволит получить в широком масштабе структуры субмикронных размеров. Достижение субмикронных размеров элементов необходимо преж­де всего для использования литографии (в этом случае микролито­графии) в микроэлектронике, в отличие от применяемой в поли­графии (макролитография), где требования к разрешающей спо­собности существенно ниже [1].

Технологические процессы литографии включают как физиче­ские, так и химические обработки. Их взаимное влияние на обра­зование конечного рельефа часто является решающим для опре­деления допустимых отклонений размеров изображаемых элемен­тов. С уменьшением минимального размера элементов схемы снижается и абсолютное значение допустимого отклонения. Со­гласно эмпирическому правилу допустимое отклонение составляет +20 % размера минимального элемента.