ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ, ПРИЕМЫ И ПРОЦЕССЫ ЛИТОГРАФИИ


Настоящая глава посвящена физическим и физико-химическим основам создания рельефных изображений в слое резиста с учетом возможностей техники литографии будущего, которая позволит получить в широком масштабе структуры субмикронных размеров. Достижение субмикронных размеров элементов необходимо прежде всего для использования литографии (в этом случае микролитографии) в микроэлектронике, в отличие от применяемой в полиграфии (макролитография), где требования к разрешающей способности существенно ниже [1].
Технологические процессы литографии включают как физические, так и химические обработки. Их взаимное влияние на образование конечного рельефа часто является решающим для определения допустимых отклонений размеров изображаемых элементов. С уменьшением минимального размера элементов схемы снижается и абсолютное значение допустимого отклонения. Согласно эмпирическому правилу допустимое отклонение составляет +20 % размера минимального элемента.