Условные обозначения
А, |
Механический эквивалент света |
К |
Постоянная Больцмана |
В |
Сииий свет |
К, |
Коэффициент передачи по току |
С |
Скорость света в свободном простран |
Ку |
Коэффициент световой эффективности |
Стве |
Коэффициент усиления лазера |
||
Ся |
Емкость диода |
К |
Коэффициент потерь излучения |
А, |
Коэффициент диффузии электронов |
В резонаторе лазера |
|
°р |
Коэффициент диффузии дырок |
Аф |
Импульс фотона |
</ |
Толщина диэлектрика |
Яркость светящейся поверхности |
|
Е |
Энергия, освещенность поверхности, |
Длина когерентности |
|
Вектор напряженности |
^лаз |
Длина лазерного излучения |
|
£фОТ |
Энергия фотона |
И- |
Энергетическая яркость |
■^фои |
Энергия фонона |
Яркость |
|
£з |
Энергетическая ширина запрещенной |
М |
Светимость излучающей поверхности |
Зоны |
Мф |
Масса фотона |
|
Ев |
Энергия дна зоны проводимости |
Ме |
Энергетическая светимость |
Свободного электрона |
П |
Показатель преломления |
|
Е. |
Энергия потолка валентной зоны |
N. |
Число Авогадро |
Е ^■вын |
Энергия вынуждающего излучения |
Р |
Мощность |
Ее |
Облученность поверхности |
Р. ых |
Выделяемая мощность |
Е, |
Энергия накачки |
Р 1 ПОГП |
Поглощаемая мощность |
£ф |
Энергия Ферми |
Р 1 пред |
Предельная мощность |
Ею |
Модуль Юнга |
Р» |
Импульс электрона |
Е |
Коэффициент теплового шума |
Лол |
Мощность излучения |
Е{1) |
Функция видности |
Лтн |
Мощность генерируемая внутри |
/ |
Частота |
Кристалла |
|
/гр |
Граничная частота |
Рх |
Мощность излучения для длины |
С |
Зеленый свет |
Волны X |
|
//, |
Энергетическая экспозиция |
П„ |
Плотность энергии электромагнитного |
//с |
Световая экспозиция |
Поля |
|
Фе |
Поток излучения |
Е |
Добротность |
Фv |
Световой поток |
И |
Коэффициент отражения |
И |
Постоянная Планка |
Я» |
Сопротивление диода |
I. |
Сила излучения |
ГЛ |
Динамический резистор |
/* |
Ток насыщеня транзистора |
Рогр |
Ограничивающее сопротивление СИД |
/„ |
Электронная составляющая тока |
Рп |
Сопротивление потерь |
!р |
Дырочная составляющая тока |
Последовательный резистор |
|
'диф |
Диффузионный ток |
Ріс. |
Темновое сопротивление |
/и |
Ток насыщения |
Я |
Красный свет, коэффициент отражения |
/о |
Обратный ток при насыщении |
Б |
Площадь поверхности |
'обр |
Обратный ток |
/ |
Время |
*ПОВ |
Ток утечки по поверхности |
^диф |
Время диффузии |
*пр |
Прямой ток |
'и |
Длительность импульса |
*пр тах |
Максимально допустимый прямой ток через светодиод |
Р*тшх |
Максимально допустимая температура корпуса светодиода |
*рек |
Ток рекомбинации |
Тв |
Температура перехода |
/’с |
Сигнальный ток |
Иж |
Напряжение контактной разности |
'сд |
Ток через светодиод |
Потенциалов |
|
*г |
Ток теплового шума |
И„ |
Напряжение источника питания |
Т. Г. |
Ток термогенерации |
Ипр |
Напряжение прямого смещения |
*тун |
Ток туннельный |
^обр |
Напряжение обратного смещения |
1Ш |
Шумовой ток |
^обрпих |
Максимально допустимое обратное |
‘V |
Сила света |
Напряжение светодиода |
С4брип. ах максимально допустимое импульсное
|
X |
Длина волны |
^•шах |
Максимальное спектральное |
Распределение светодиода |
|
М |
Магнитная проницаемость диэлектрика |
Мр |
Подвижность дырок |
V |
Частота оптического излучения |
V« |
Центральная частота излучения |
Т. м |
Внутримодовая дисперсия |
Тк |
Время когерентности |
*^мд |
Материальная дисперсия |
Тмм |
Межмодовая дисперсия |
Тр |
Время релаксации |
Тф |
Время излучения фотона |
Ъ |
Время жизни на уровне у |
0 |
Угол излучения; |
Характеристическая температура Дэбая |
|
Єр |
Расходимость излучения |
П |
Телесный угол |
Величина М = —, лм/м, называется светимостью излучающей площади Д£.
Д5
Согласно (2.9) и рис. 2.4 светимость М численно равна световому потоку, излучаемому с единицы площади светящейся поверхности в телесный угол 2л ср.
[2] — обедненная область их использование в микросхемах.
[3] - 3322