Основное уравнение получим при допущениях /?7 обес­печивает компенсацию нелинейности характеристики вход—выход ЧИИП; обратными токами коллекторов /ко5 и /коб транзисторов

Г5, Т6 и токами утечки конденсаторов Сь С2 пренебрегаем; считаем

длительность импульсов с одновибраторов существенно меньше пе­риода.

Функция преобразования двухполярного ЧИИП записывается:

f “ с2(иДм + и,.бМ) ’ (107)

Решая совместно (106) и (107), после перехода к конечным при­ращениям получим:

А(7вх = ^с7 ^Л(з)+ Уэ-бз(з))* (108>

Из основного уравнения (108) могут быть получены необходи­мые характеристики РДИИП.

Экспериментальные результаты

Результаты экспериментального исследования приводятся для РДИИП, выполненного по схеме на рис. 24 и имевшего следующие параметры: #1 = 5,1 ком; /?2=#е=1 ком; R3=2J ком; /?4=/?5 = = 10 ком; Ri = Ri3—Rift—Rn—Ru—R22—Rz^=2 ком; R^ — R^—R^^

72

=680 ом /?ц=Яі8=Яі9=/?26=30 ком Ri2=R2o = 20 ком; Ris = = /?2з=300 ом #16=/?24=3 ком Сi = 1 лш£; С2=0,05 ш:ф; С3 = С4 = -0,01 лиф; £п=12,6 б; Гь Г3, Ги, Г42 — МП16Б; Г2, Г4 — МП37Б; Ть, Г7 — МП104; Г6, Т8-Ті0- МП102; Дь Д2-Д219; Д3, Дг - 2С156А; Д5, Де —Д105.

На рис. 25 приведены экспериментальные амплитудно-частот­ные характеристики ДЭ: 1 — без эмиттерного повторителя на тран­зисторе Г4; 2 —с ним.

На рис. 26 приведена экспериментальная характеристика вход — выход двухполярного ЧИИП.

б) Следящий РДИИП

Следящий РДИИП может быть построен на базе следящего ЧИИП, приведенного на рис. 21. Для этого необходимо вместо источника эталонного напряжения ИЭН подключить источник диф­ференцируемого напряжения ИДИ, а входной ток /вх сделать по­стоянным и использовать в качестве смещающего тока /см, как по­казано на схеме рис. 27. Практически в принципиальной электри-

ческой схеме на рис. 21,6 необходимо вместо стабилитрона Дъ включить ИДН. Если необходимо, чтобы выход ИДН имел общую точку с шиной источника питания Еп, то вместо канального тран­зистора Тг с каналом p-типа нужно включить канальный транзистор с каналом п-типа (или биполярный транзистор я-р-я-типа). При этом затвор (база) должен быть подключен к выходу ИДН, исток (эмиттер) — к конденсатору С2, а сток (коллектор) — к базе тран­зистора Т3.

Как следует из (100), частота fo = l/To не зависит от уровня на­пряжения И ЭН (или ИДН). Покажем, что приращение частоты Д/ пропорционально скорости изменения напряжения ИДН. Для этого обратимся к графику на рис. 28, где по оси абсцисс отложено вре­мя, а по "оси ординат — напряжение на конденсаторе С%. Передний фронт пилообразного импульса соответствует сбросу (наклон опре­деляется ТОКОМ /эт—/см), задний — разряду ТОКОМ /См = /вх.

Полагая, что скорость изменения входного напряжения (напря­жение на выходе ИДН) внутри интервала дискретизации Тп остает­ся неизменной, можно записать:

Решая совместно уравнения (109) и (110), получим:

С dU

- ■, j

1 ему о

Из (111) следует, что отклонение частоты пропорционально скорости изменения входного напряжения. Другими словами, при­ращение числа импульсов за вычетом импульсов при неизменном

*)

входном напряжении пропорционально приращению входного на­пряжения за такое же время.

Результаты экспериментального исследования РДИИП пред­ставлены на рис. 29. На верхнем рис. 29,а показан смещенный си­нусоидальный сигнал, поданный на один из входов СЭ. На нижнем

ряс. 29,а показан сигнал на выходе одновибратора. Анализ кри­вых показывает, что наибольшая частота соответствует наибольшей положительной скорости изменения входного сигнала, а наимень­шая — наибольшей отрицательной скорости. При прохождении вход­ного сигнала через экстремум частота соответствует нулевой ско­рости изменения входного сигнала (независимо от его уровня). На рис. 29,6 показано, что частота не зависит от уровня входного сиг­нала.