Технология сверхбольших интегральных схем с субмикронными размерами элементов не требует обязательного образования суб - микронных рельефов во всех слоях интегральной схемы. Принимая во внимание малую скорость переноса изображения пучком элек­тронов, которая ограничивает скорость всего процесса производ­ства микросхемы, целесообразно использовать этот прием для образования рельефа в слое, где требуется создание субмикронных элементов, а для создания микрорельефов в остальных слоях при­менять фотолитографию. Для такой комбинации литографических приемов используется термин смешанная (гибридная) литогра­фия [68]. Комбинация может включать и рентгеновскую лито­графию с фотолитографией. Основной проблемой смешанной лито­графии является достижение качественного совмещения. Принци­пиально эта проблема может быть решена, поэтому смешанная литография является перспективным направлением развития техно­логии производства микроэлектронных приборов [69].

Дозы излучения, используемые при экспонировании пучком электронов или рентгеновским излучением, достигают значений 10—500 кГр. Эти дозы поглощаются в чувствительных оксидах за­твора и могут привести к его повреждению [70, 71]. По этой при­чине необходимо, чтобы доза экспонирования электроно - и рент - генорезистов была как можно меньшей.