Три типа монолитных конструкций светодиодов, которые рас­сматриваются ниже, представлены на рис. 6.35. Любую из этих конструкций можно использовать для изготовления циф­рового индикатора из семи полосок или буквенно-цифрового индикатора из матрицы 5X7 элементов. Первый тип представ­ляет собой плоскую структуру, пригодную как для прямозонных, так и для непрямозонных полупроводников, р — я-Переходы формируются диффузией или селективной жидкостной эпитак­сией. Два других типа выгоднее всего использовать в случае прозрачных полупроводников, так что они будут рассмотрены при обсуждении светодиодов из GaP.

~П - Подложка

—Эпитаксиальный слой v.« v>v>^vuJr ^диффузионный р-п-переход

''Контакт

Эпитаксиальный слой п-типа - Эпитаксиальный слои p-mutta

Омический контакт

/о ^—Подложка

/Зпитаксиальньш

слой. п~типа

Ь7/Г/^^Щ7У7Л7. ЭпитаксиальньТар-п-переход слой p-muna п

~~Омический контакт

Рис. 6.35. Схема монолитных структур для цифровых и буквенно-цифровых

индикаторов.

а — планарная структура; 6 — меааструктура; в —структура полусферической формы.