В большинстве электролюминесцентных приборов излуча* тельной рекомбинации обязательно предшествует инжекция не­основных носителей в область кристалла, где происходит акт ре­комбинации (рис. 2.1, а). Случаи, представляющие собой исклю­чения, в данной книге будут рассмотрены очень кратко. Более сложные (и обычно малоэффективные) структуры, предназна­ченные для осуществления инфекции неосновных носителей в, кристаллы, в которых трудно реализовать примесную про­водимость и п- и p-типа, также подробно не рассматриваются. Если легирование примесями обоих типов осуществимо, то можно в одном монокристалле этого материала изготовить го­могенный р — я-переход (рис. 2.1,6). Мы начнем с крат-

кого описания процесса инжекции в идеальном гомогенном переходе, а затем' рассмотрим диод из фосфида галлия как пример типичного реального прибора с р—n-переходом. В по­следнее время вопросам изготовления р — «-переходов из фос­фида галлия и исследованиям их электрических свойств уде­ляется большое внимание в связи с практическим значением светодиодов на основе фосфида галлия (GaP).