ТЕРМОДИНАМИКА ПРОЦЕССА СХВАТЫВАНИЯ
Ищемої рим несколько идеализированных случаев; в первом в > пич дна монокристалла (Л и В) одного и того же вещества, без цч|іемон кристаллического строения, с одинаково ориентированными іфіісіаллографическими осями и с абсолютно ровными и чи ' іымп поверхностями CD и EF (рис. 5, а) сближаются в вакууме мк, что атомы :>а этих поверхностях располагаются точно друг
против друга.
В твердом теле, так же как в жидкости, имеется поверхностное натяжение, вызываемое тем, что атомы, находящиеся на поверхности, окружены меньшим числом соседей, чем атомы, лежащие внутри тела. Поэтому поверхностные
•и N |
в) Рис. 5. Идеализированные схемы схватывания: |
а — монокристаллов одинакового вещества с полной когерентностью поверх пости; б — то же, со смещением кристаллографических осей на величину Л; в—разноименных веществ с образованием полукоге - рентвой границы
атомы обладают некоторым избытком свободной энергии, которая составляет на единицу поверхности величину Fn, зависящую ь от рода вещества, температуры и окружающей среды.
Вернемся к монокристаллам А и В. Сначала допустим, что на их поверхности нет так называемых активных центров [113, 122]. Это значит, что поверхностные атомы, так же как атомы, расположенные внутри тела, не возбуждены. При сближении таких монокристаллов между ними возникнут силы межмолекулярного притяжения Р„р — силы Ван дер Ваальса (рис. 6, а), и дальнейшее их сближение под действием этих сил пойдет самопроизвольно. На некотором расстоянии начнется перекрытие стабильных электронных оболочек поверхностных атомов и появятся быстрорастущие силы отталкивания (Рот). При г > а (а — период решетки) результирующая сила Рв = РПр — Рот станет равной нулю. Потенциальная энергия системы изменяется по кривой I (рис. 6, б). Ее минимум соответствует г — гв, а величина Ев равна энергии вандерваальсовской связи, которая, как отмечалось выше, невелика. Всегда Ев < 2Еп. При г = гв образуется физический контакт между сближаемыми поверхностями.
Предположим теперь, что тем или иным способом (см. § 3) на поверхностях CD и EF созданы активные центры. Для этого потребуется энергия активации Еа (см. рис. 6, б). При сближении таких монокристаллов в условиях, обеспечивающих сохранение активных центров, на расстояние, соизмеримое с периодом решетки а, будут действовать значительные силы межатомного притяжения, вызываемые обменными процессами между внешними электронами возбужденных поверхностных атомов. В результате такого взаимодействия (химического по природе) образуются энергетически устойчивые конфигурации электронов, присущие невозбужденным атомам внутри тела. При г — а граница раздела между А и В исчезает и два монокристалла объединяются в один — происходит их схватывание (сварка), а потенциальная энергия системы достигает минимума £mln (см. кривую II на рис. 6, б). Этот минимум соответствует равновесию системы, которая термодинамически всегда стремится к состоянию с минимальной свободной энергией. Энергия Етin равна свободной энергии 2Fn двух исчезающих поверхностей раздела. Высвобождаемая энергия 2Fn может частично пойти на нагрев поверхностных атомов, а частично распространиться внутрь кристалла в виде упругой волны, энергия которой быстро рассеивается в объеме тела без заметного локального повышения температуры. Распределение энергии 2Fn между поверхностными и глубинными слоями неизвестно.
Если создание активных центров на поверхности сближаемых тел идет одновременно с процессом их сближения до физического контакта, то при г > г0 потенциальная энергия изменяется по кривой I (см. рнс. 6, б), а при г <[ г0 — по кривой II и образование активных центров потребует энергии активации Еа < Еа. 12
Что произойдет в результате сближения двух идеальных моно - |рпс галлов, но с узлами решетки, взаимно смещенными на величину А (см. рис. 5, б)? При относительно большом расстоянии г (п и.'шдсрваальсовской области) результирующая сила Рв (см. рік. (», я) не будет зависеть от смещения А. При активированной пппорхпостн и дальнейшем уменьшении г принципиально возможны дни случая: если преобладают ненаправленные связи со фсричіткоГі симметрией, то поля поверхностных атомов (напрямі р, (»' и //) ш рекроются вне зависимости от А и для осуществления ( к ни і І. НС. НІ ни не потребуется какой-либо подстройки атомов на кои пік і пруюіцих поверхностях. В результате схватывания сме - Щічіиис монокристаллы объединятся с образованием границы, на коїорой правильное кристаллическое строение нарушится. Созда - ПІН і. жоп границы потребует затраты энергии Fep, связанной і упругим искажением решетки. Однако величина Егр значи - itvii по мепыпе, чем 2F„, и процесс схватывания термодинамически ш'роиіеп, так как он ведет к уменьшению свободной энергии на "" пічниу
І їли же н кристалле преобладают направленные ковалентные ними (как, например, во многих переходных металлах [143]), то ноля поверхностных атомов К и L перекроются только при их смен и пни в положения К.' и L' на рас-
міянш из равновесного состояния. Но поіребует дополнительной энергии лк і пнации Еа, по-видимому, меньшей, чем основная энергия активации поверхности Еа. Энергия Еа относительно ма - ли потому, что смещение р. трмов на - g-
мс связано с актами диффузии или разрыва существующих связей в кристаллической решетке.
Перейдем теперь к анализу термодинамических условий для идеализированного случая схватывания двух поликристаллов одного и того же вещества с ровными (в пределах, допустимых расположением поверхностных атомов в узлах решетки) и атомночистыми поверхностями.
В процессе соединения, для чего требуется образование активных центре®, а при жестко направленных связях — и взаимная подстройка атомов на кон
тактирующих поверхностях, исчезнут две поверхности раздела с высвобождением энергии 2Fn и образованием границы между зернами с различно ориентированными кристаллографическими осями. Вблизи такой границы, как правило, имеются упругие искажения решетки в узкой приграничной области шириной в несколько атомных слоев, связанные с затратой энергии 77,,,. Термодинамически схватывание (сварка) поликристаллов возможно в том случае, если оно приведет к уменьшению свободной энергии системы, т. е.
(рис. 7) с шагом D = - Ц - (а — период решетки).
Энергия малоугольной границы изменяется почти пропорционально числу дислокаций на единицу ее длины, и, как следствие,
0
она растет с увеличением отношения б— (рис. 8), где 0max coot-
ветствует максимуму Fep, равному для олова 12,2°, для свинца 25,7° и для кремнистого железа 26, 6—29,8е [102].
Образование малоугольной границы между идеальными кристаллами не связано с массопереносом и поэтому не требует дополнительной энергии активации (по сравнению с рассмотренными выше случаями соединения монокристаллов с направленными и ненаправленными связями, но при 0 = 0).
Нет общепризнанной теории строения большеугольной границы зерна [ 102]. Моттом высказано предположение, что на такой границе заштрихованные когерентные участки (участки со строгой
ІІІ. ІІІМНОЙ ориентировкой узлов решетки по обе стороны пт границы) чередуются с не - мн орентными (рис. 9,а). Можно представить себе границу с двухмерным строением (рис. У, б), при котором струк- lyplILH несоответствие между двум»! кристаллами оказы - п пі і си минимальным. По Ь Чалмерсу, такую границу нгеїди можно провести так,
•но межатомные расстояния не будут сильно отличаться III величины, ТИПИЧНОЙ для дислокации [157] Энергия ее обрактппня практически нс Иннин г от степени рторнси | іпровкії, ЧТО ІІОДПіерЖДНеТСЯ
їли болыних ЧШЧСНІІІіО ІКС - шріїмеїпалі. по (см, рис. 8).
U ыбл. 2 принедеиы данные по свободной энергии попер хвое in F, і, границы зерна / п при большой разори - ініпровке ІМ7І и вычислен - ш, и по ним шачепия AF = 2Fn—Fep. Для металлов (вероятно, и дли любых поликристаллических материалов) Fep - Д 2Fn. Для мемллов Fep ^ (0,12^-0,20) 2F„, вследствие чего схватывание (спарка) поликристалловодноименных металлов всегда сопровождается значительным уменьшением свободной энергии системы и является экзотермическим процессом, выгодным в термодинамическом отношении. Образование сложной двухмерной границы юриа связано с перегруппировкой атомов в поверхностных слоях. Этот процесс требует некоторой энергии активации.
Таблица 2 Свободная энергия поверхности и границы зерна в эрг/см2
|
Как изменятся термодинамические условия схватывания (сварки) при переходе от соединения идеальных кристаллов одного и того же вещества к соединению таких же кристаллов разноименных веществ? Следует иметь в виду, что термодинамические соображения определяют лишь направление возможных процессов, но не позволяют оценить их скорость (кинетику), зависящую от необходимой энергии активации (см. § 3). Рассмотрим только факторы, влияющие на соотношение величин в уравнении (1). Начнем с анализа размерного фактора, т. е. несоответствия периодов кристаллической решетки. Пусть в простейшем случае два идеальных, одинаково ориентированных монокристалла металлов М и N с периодами решетки ах и а2 сблизятся до расстояния г
(см. рис. 5, в) при одновременном создании на контактирующих поверхностях активных центров. Если произойдет схватывание, то между этими кристаллами образуется так называемая полуко- герентная граница, на которой возникнут краевые дислокации s с шагом
Энергия упруюго искажения решетки дислокацией длиной 1 см равна [83]
где р, — модуль упругости;
у — коэффициент Пуассона;
Ь — вектор Бюргерса '^в рассматриваемом случае Ь ^
^ ai - f - fls
~~ 2 )'
г і — радиус распространения упругой деформации (гг =
— ci-°2 .
2(02 — at) ) ’
г0 — радиус центра дислокации.
Количество дислокаций на 1 см длины границы
а энергия, на 1 см2 границы, вызванная дислокациями,
Для границы меди (at = 3,61 А) и алюминия (a2 = 4.04А) при а2 ^ 1,12 аг АРгр ^ 100 эрг/см2. С увеличением размерного несоответствия растет л, но вследствие одновременного уменьшения г 1 энергия AF гр изменяется мало. Полученное значение AFsp невелико по сравнению с 2Fn (для меди 3300 эрг! см2) и существенно 16
Ч> ' сЧ 1 гочкн зрения термодинамики способность к схватыванию, (нырке) разноименных металлов должна увеличиваться, если они (при гемнературе опыта) взаимно растворимы или дают устойчи - ньн* химические соединения, так как образование твердых растворим н новых фаз всегда сопровождается уменьшением свободной •мері ни системы, а следовательно, увеличением AF в уравнении (1). 11рн этом можно предположить, что степень взаимной растворимости металлов мало влияет на процесс схватывания, так как при «нырке без расплавления взаимное растворение ограничивается приповерхностными слоями атомов, в которых в результате повышенного количества дефектов кристаллического строения, осо - бенно вакансий, создаются более благоприятные условия для растворения инородных атомов, чем внутри тела. Сварка давлением разноименных металлов облегчается с понижением статистического веса и энергетической устойчивости стабильных электронных конфигураций атомов соединяемых металлов, а также при увеличении вероятности образования стабильных конфигураций и их энергетической устойчивости в результате сварки [124]. Если при схватывании разноименных материалов в результате электронного обмена между атомами соединяемых металлов повышаются статистический вес и устойчивость электронных конфигураций, то такой процесс идет с выигрышем энергии и его реализация термодинамически наиболее вероятна. Поясним это на примере сварш^ехадла-с его нитридами, |
По Г. В. Самсонову и др., изолированный атом азота, имеющий конфигурацию валентных электронов s2p3, благодаря s —» р-пере - ходу может приобретать в твердом теле «реконфигурацию, которая в нитриде переходных металлов преобразуется в очень стабильную «реконфигурацию с передачей одного электрона в коллективизированное состояние [124]. Поэтому при образовании нитрида переходного металла статистический вес нелокализованных электродов повышается, а стабильных конфигураций, образуемых локализованными электронами, относительно уменьшается. При контакте металла с его нитридом процессы схватывания (и последующей диффузии) должны привести к электронным обменам, повышающим статистический вес стабильных конфигураций и уменьшающим свободную энергию системы.
Например, все атомы карбонитрида бора (BNC) имеют высокий статистический вес стабильных «реконфигураций, поэтому добиться его соединения с металлом, по-видимому, невозможно, так как любой электронный обмен между BNC и металлом приведет только к понижению статистического веса стабильных электронных конфигураций. В BNC атом азота sp4 приобретает «реконфигурацию, отдавая один электрон бору с доведением его конфигурации из sp2 до sp3, а углерод с конфигурацией свободного атома s2p2 приобретает в кристалле «реконфигурацию благодаря s —» р-переходу.
Уменьшение свободной энергии системы при схватывании за счет высвобождения поверхностной энергии 2Fn, вероятно, может перекрыть некоторое повышение энергии приграничных атомных слоев, вступивших в химическое взаимодействие. Трудности, встретившиеся при попытке сварки BNC с металлами [124], могут быть связаны и с тем, что даже при температуре, близкой к Тплав металла, не удается создать активные центры на поверхности исключительно тугоплавкого карбонитрида бора.
Из изложенного следует, что по крайней мере для металлов процесс схватывания, как правило, сопровождается уменьшением свободной энергии системы и термодинамически выгоден. Однако принципиальная возможность схватывания тех или иных металлов еще не означает, что всегда можно получить их работоспособное сварное соединение. Из-за недостаточной технологической прочности, связанной с большими остаточными напряжениями, хрупкостью и другими причинами, соединение, полученное в результате схватывания, после изменения внешних условий (остывания, снятия давления) может разрушиться. Поэтому целесообразно разграничить два понятия — схватывание как процесс образования связи между твердыми телами, т. е. первичный акт сварки, и сварка как процесс получения прочного соединения.
Следует подчеркнуть, что для сварки в твердом состоянии металлов, кроме теории, исходящей из необходимости создания на соединяемых поверхностях активных центров, развиваемой 18
II. Н. Рыкалиным, М. X. Шоршоровым, Ю. Л. Красулиным и др. [122] и поддерживаемой Г. Д. Никифоровым, В. В. Дьяченко, Б. Д. Орловым и др. [109], существует и точка зрения, по которой атомы металла, расположенные на идеально чистой поверхности, всегда обладают достаточной активностью для образования новых связей. По этим представлениям, поддерживаемым С. Б. Айнбин - дером [2], Ю. В. Грдиной и В. В. Неверовым [52] и ранее — автором [28], при сближении идеальных монокристаллов металлов с атомночистыми поверхностями и одинаковой ориентировкой кристаллографических осей (см. рис. 5, а) силы Ван дер Ваальса монотонно перейдут в межатомное притяжение. При этом сварка осуществится спонтанно и не потребует энергии активации. Однако при несовпадении кристаллографических осей и неровной поверхности, что соответствует реальным условиям, для осуществления сварки необходима некоторая активация поверхностных атомов, обеспечивающая взаимную их подстройку (см. рис. 5,6)
■ ' обрыва существующих связей.
Таким образом, обе теории (первая, требующая и для металлов со «Дания активных центров с частичным обрывом связей, и вторая, допускающая в идеальном случае возможность образования новой межатомной связи без дополнительной активации), несмотря на принципиальное отличие их исходных положений, в конечном счете дают близкие результаты. В дальнейшем мы будем исходить н і теории, предусматривающей необходимость создания активных центров, как более общей и распространяющейся на сварку в твердой фазе любых кристаллических тел. [1]
стадии химического взаимодействия. В реальных процессах сварки давлением образование физического контакта и химическое взаимодействие во времени строго не разграничены и частично перекрываются, так как еще задолго до завершения процесса образования контакта по всей соединяемой поверхности на отдельных уже сближенных ее участках становится возможным химическое взаимодействие.
Скорость образования связей в основном зависит от скорости создания активных центров на сближаемых поверхностях. При наличии активных центров на металле время их непосредственного химического взаимодействия (образования связи) мало и практического значения не имеет [76]. Таким образом, если атомы уже сближены до расстояния, равного периоду решетки (для чего требуется преодоление потенциального барьера высотой Еа, см. рис. 6) то образование связи между ними произойдет мгновенно и с выделением энергии.
Образование активных центров обусловлено разрывом хотя бы части связей поверхностных атомов с их соседями, нарушающим стабильные электронные конфигурации этих атомов. Разрушение связей возможно: а) механически при удалении с поверхности части самого металла (обнажение так называемых ювенильных поверхностей) или химически связанного с ним инородного вещества (например, окислов); при движении дислокаций, сопровождающем пластическую деформацию; б) термически при нагреве, сопровождаемом заметной диффузией и самодиффузией, движением вакансий и другими процессами, изменяющими положение атомов в кристаллической решетке; в) бомбардировкой поверхности ионами или быстродвижущимйся частицами с достаточно высокой энергией.
Если после создания активного центра условия, необходимые для поддержания его в возбужденном состоянии, перестают действовать (например, прекращается движение дислокации), то в результате обменного взаимодействия с соседними атомами возбужденные атомы возвратятся в нормальное, неактивное состояние — система релаксирует. Продолжительность процесса релаксации различна в зависимости от природы вещества, состояния его поверхности, температуры и других факторов.
При сварке давлением наибольшее практическое значение имеет образование активных центров при пластической деформации (с нагревом или без нагрева). Дислокация в А (см. рис. 4) может перемещаться при пластической деформации под действием напряжений т, а также без приложения внешнего усилия за счет диффузионных процессов при достаточном нагреве. Необходимая для этого энергия активации соответствует энергии активации само - диффузии. В месте выхода краевой дислокации на поверхность тела при ее перемещении на величину а один из атомов на поверхности отрывается от чцсти своих ближайших соседей и переходит 20
її новое положение. Такой переход сопровождается возбуждением самого атома и группы его близлежащих соседей — создается активный центр. При выходе дислокации на параллельную ей поверхность образуется уступ (см. рис. 4) с созданием вдоль него ряда активных центров.
Плотность дислокаций (их число, приходящееся на 1 см2) в зависимости от степени наклепа обычно достигает в металлах 106— К)" 1 /см2. При пластической деформации возникают все новые дислокации.
Роль дислокационного механизма в образовании активных цен - Ч'он и в осуществлении сварки давлением наглядно показана 1> И. Костецким и И. П. Ивженко [811 и подробно исследована Ю Л. Красулиным и др. [88]. В частности, в работе [88] при і пирке давлением (сжатием пуансоном 1 на воздухе) монокристалла кремния 3 с алюминиевой проволокой 2 (рис. 10) было показано, чи* прочное соединение образовывалось там, где в результате появления достаточных касательных напряжений т развивалась су - щсстненнан пластическая деформация в приповерхностных слоях, сопровождаемая движением большого числа дислокаций. Стравливание алюминиевой проволоки после сварки и последующее травление кремния, выявляющее ямки в местах выхода дислокации, показало полное совпадение мест м, юсового выхода дислокаций с участками прочного соединения. В этой же работе уі іаповлено, что дислокации, имевшиеся и мечалле до начала совместной деформация в ходе сварки, не влияли на процесс образования соединения. Это свидетель - ( жует о ранее завершающейся деактивации мест выхода этих дислокаций на поверхность.
В работе [87] после стравливания алюминия со сваренного образца было установлено, что контуры узлов схватывания (активных центров) на поверхности кремния точно соответствуют по форме ямкам травления и имеют в поперечнике около 3 мкм. При плотности дислокаций в кремнии порядка 107 11см2 в диаметре активного центра 3 мкм общая площадь активных центров достигает 70% площади соединения. В результате обеспечивается высокая степень их совпадения на соединяемых поверхностях, без чего образование прочной связи, по-видимому, невозможно. Из этой же работы следует еще один гтринци-
пиально важный вывод. Если бы активными были только атомы, расположенные в центре дислокаций, то при их плотности 1071/слг2 и общем числе атомов на поверхности порядка 1014 11смъ вероятность совпадения активных центров на соединяемых поверхностях была бы ничтожной и даже в гипотетическом случае их полного совпадения прочность полученного соединения была бы исчезающе малой. Фактически в реакции взаимодействия участвуют все атомы, расположенные в зоне заметного упругого искажения решетки вокруг центра дислокации. Возможно, что образование связей, начинающееся в центре дислокации, продолжается далее как «цепная реакция» [130], поддерживаемая высвобождаемой поверхностной энергией, суммирующейся с энергией упругого искажения. Там, где последняя становится недостаточной (за пределами зоны заметного упругого искажения), процесс приостанавливается.
Совместная деформация при сварке металлов, и в частности металлов с одинаковыми или близкими физико механическими свойствами, сопровождается движением дислокаций одновременно на обеих соединяемых поверхностях, что повышает вероятность «встречи» активных центров на этих поверхностях. Однако и в этом случае трудно объяснить активацию всей или почти всей поверхности за счет дислокаций, не прибегая к модели активного центра как достаточно протяженной области упругого искажения решетки. Можно было бы предположить, что повышения энергии поверхностного атома уже достаточно для приобретения им необходимой активности. Если бы это было так, то подтвердилось бы представление о том, что при сварке металлов необходима только энергия' активации для «подстройки» взаимодействующих атомов, а обрыв имеющихся связей необязателен.
В любом реальном металле имеются значительные искажения решетки, в частности, вблизи «старых» дислокаций, несмотря на то, что в результате миграции примесных атомов и других причин высокие исходные напряжения здесь существенно снижаются. Как указывалось выше, «старые» дислокации не являются активными центрами [88]. Однако экспериментального доказательства того, что для сварки металлов, тем более при атомночистых поверхностях, необходима активация с обязательным разрывом существующих связей, пока пет.
Условия образования и релаксации активных центров на деформируемой поверхности кристаллического тела можно иллюстрировать эффектом Крамера [199]. При пластической деформации и в течение нескольких часов после ее прекращения наблюдается облегченная эмиссия электронов (экзоэлектронная эмиссия) с обработанной поверхности, свидетельствующая об ее активации. Нагрев повышает интенсивность такой эмиссии, но ускоряет релаксацию.
А. Мелека и В. Барр установили связь эффекта Крамера с дислокациями [204]. Деформированный образец из монокристалла 22
цинка покрывали чувствительной эмульсией, на которой после часовой экспозиции места потемнения, соответствующие участкам экзоэлектронной эмиссии, совпадали с зонами выхода на поверхность дислокаций (с линиями скольжения при большой деформации или с ямками травления при малой). Экзоэлектронная эмиссия п характерное для нее последействие, вызываемые пластической деформацией, связываются не с процессами, протекающими в металле, а с изменениями в поверхностных пленках окислов [110].
11ет данных, указывающих на наличие и длительность эффекта Крамера на металле с атомночистой поверхностью, но вряд ли иремя релаксации в этом случае соизмеримо с общей продолжи - п'лыюстью сварочных процессов.
Сваривая кремний с алюминием, Ю. Л. Красулин показал, что ці же при окисной пленке толщиной до 2000 А возможно их соедините. Предполагается, что активация поверхности пленки А1203 сопровождается разрушением одной из связей атома кислорода с алюминием. Перенос (трансляция) освободившейся связи на кремний ведет к образованию соединения А1—О — Si через атом кислорода. Дислокации, возникающие в алюминии, пробивают голстую пленку. Механизм этого явления неясен, так как теоре - шчески показано, что твердые пленки отталкивают дислокации, цшжущиеся в мягких металлах (алюминии, цинке) [147].
Кинетика образования связей между сближенными поверхностями определяется кинетикой образования активных центров, ывисящей от способа активации. Если это дислокационный процесс, идущий под действием внешних сил, то его кинетика будет н основної^ определяться скоростью деформирования. Она может быть очень высокой, достигающей при сварке взрывом скорости шука в металле, и, как следствие, скорость сварки будет также очень велика.
Если же активные центры образуются путем термической ак - твации, то количество связей, создающихся на поверхности 1 смг, подчиняется закону
Е'ЛЕ'а
N = Ctxe~ ** , (6)
где С — постоянная, связанная с частотой колебаний атомов;
Еа -f - Еа — энергия активации, необходимая для возбуждения и приведения в требуемое положение атомов на поверхности (при ненаправленных связях Еа 0); k — постоянная Больцмана;
Т — температура в °К; tx — время.
Прочное соединение, по-видимому, уже получается при образовании связи между 70—90% атомов на соединяемых
поверхностях [122]. Необходимое для этого время tx в условиях термической активации быстро растет с понижением температуры и с увеличением энергии активации. Процесс химического взаимодействия можно рассматривать (по Ю. Л. Красулину) как состоящий из двух стадий: зарождения активных центров и распространения связей по всей активной зоне. Общая продолжительность этих стадий равна tx.
Чисто дислокационный механизм активации осуществляется при низких температурах и возможен только для пластичных металлов. При высоких температурах термическая активация может иметь большее или меньшее значение в зависимости от степени и скорости пластической деформации.
Особый интерес представляет сварка разнородных металлов с резко отличающимися свойствами. Для образования связей необходимо, чтобы активные центры образовались на поверхности обоих металлов. Представим себе сварку давлением металлов с резко отличающейся жаропрочностью. Под действием внешней силы в контактах между ними возникнут большие напряжения смятия и начнется пластическая деформация, сопровождаемая движением дислокаций, образованием активных центров и связей. По мере увеличения площади контакта напряжения в нем будут падать и деформация более жаропрочного металла может приостановиться. Однако вследствие термической активации образование связей будет продолжаться, хотя и с незначительной скоростью. Можно представить себе и такой случай, когда различие в свойствах свариваемых металлов будет столь велико, что даже при температуре, близкой к точке плавления менее жаропрочного металла, в более жаропрочном не возникнет заметного количества активных центров. При этом сварка в твердом состоянии может стать практически неосуществимой.