Эти методы содержат признаки как методов отражения, так и методов прохо­ждения.

Зеркально-теневой (ЗТ) метод осно­ван на измерении амплитуды донного сиг­нала. На рис. 2.6, а отраженный луч пока­зан смещенным в сторону. По технике выполнения (фиксируется эхосигнал) - это метод отражения, а по физической сущно­сти (измеряют ослабление дефектом сиг­нала, дважды прошедшего ОК) он близок к теневому методу, поэтому его относят не к методам прохождения, а к комбиниро­ванным методам.

ЗТ-метод часто применяют совместно с эхометодом. Наблюдают одновременно за появлением эхосигналов и возможным ослаблением донного сигнала дефектами, которые не дают четких эхосигналов и плохо выявляются эхометодом. Это может
быть скопление очень мелких дефектов или дефект, расположенный так, что от- отраженный от него сигнал уходит в сто­рону и не попадает на приемный преобра­зователь.

Эхотеневой метод основан на анали­зе как прошедших, так и отраженных волн (рис. 2.6, б).

Эхосквозной метод (рис. 2.6, в). Из­лучатель и приемник располагают по раз­ные стороны от ОК. Наблюдают сквозной сигнал /, сигнал 11, двукратно отраженный в изделии, а в случае появления полупро­зрачного дефекта - также эхосквозные сигналы III и IV, соответствующие отра­жениям от дефекта волн, идущих от верх­ней и нижней поверхностей ОК. Большой непрозрачный дефект обнаруживают по исчезновению сигнала I, т. е. теневым ме­тодом, а также сигнала II, т. е. методом многократной тени. Полупрозрачные или небольшие дефекты обнаруживают по появлению эхосквозных сигналов 111 и IV.

Реверберационно-сквозной (аку­стико-ультразвуковой) метод сочетает признаки метода многократной тени и УЗ - реверберационного методов. На ОК не­большой толщины на некотором расстоя­нии друг от друга устанавливают прямые излучающий и приемный преобразовате­ли. Излученные импульсы продольных волн после многократных отражений от

стенок ОК достигают приемника. Наличие в ОК неоднородностей меняет условия прохождения импульсов. Дефекты регист­рируют по изменению амплитуды и спек­тра принятых сигналов. Метод применяют для контроля изделий из ПКМ и соедине­ний в многослойных конструкциях.