Ниже приведен перечень критериев для правильного выбора СИД [30]. 1. Тип оборудования. 2. Наружное или внутреннее расположение индикатора. 3. Метод монтажа. 4. Освещенность окружающей среды. 5. Цвет светодиода. 6. Окружающий фон. 7. Угол обзора. 8. Расстояние наблюдения. 9. Тип фильтра (если он применяется). 10. Другие используемые методы повышения контраста. 11. Другие критерии конструирования. 12. Типы […]

Выбор конкретного типа для данного применения помимо требуемого светового выхода и тока возбуждения может зависеть и от других важных факторов. К их числу относятся: со­четание линзы с корпусом, место расположения, цвет излучения светодиода, условия осве­щенности окружающей среды, угол обзора, контраст с окружающим фоном и расстояние наблюдения. Изготовители выпускают СИД в корпусах, заимствованных у ламп накаливания […]

На рис. 4.10 показаны две основные схемы возбуждения СИД, пригодные независимо отто­го, являются ли последние излучателями, осветителями, сегментами, шкалами, буквенно­цифровыми индикаторами или входными каскадами оптронов. В схеме с активным низким уровнем с проводящим транзистором светодиод смещен в прямом направлении и испускает свет. Сопротивление токоограничивающего резистора можно рассчитать по формуле Ъ=и*/1«=и~га-+ит (4-2> Сд Где (Укн — […]

Излучающая активная область может быть по разному размещена в кристалле (рис. 4.9). Обычно стремятся сделать ее площадь минимальной, чтобы достичь требуемых значений параметров при меньших значениях инжектируемого тока. Для уменьшения потерь при выходе излучения из кристалла и улучшения диаграммы направленности иногда используют кристалл, отличный от параллелепипеда. Поскольку по­лупроводник оптически значительно более плотен, чем воздух, большая […]

Благодаря малому рабочему напряжению, току и потребляемой мощности сопряжение светодиодов с электронными схемами возбуждения осуществляется проще, чем в случае ламп накаливания или газоразрядных источников света. Жесткие герметичные корпуса обеспечивают высокую ударную и вибрационную прочность СИД, что позволяет исполь­зовать СИД при таких тяжелых условиях воздействия окружающей среды, которые не выдерживают другие источники света. Применение твердотельных материалов […]

Из кривых зависимости /пр от С/пр (рис. 4.8) видно, что после достижения точки перегиба ток /пр резко возрастает при небольшом увеличении прямого падения напряжения {Упр. Для огра­ ничения тока последовательно СО светодиодом должен быть включен резистор /?огр (см. рис. 4.2). Этим обеспечивается эксплуатация светодиода при токе, равном или меньше задаваемого техническими условиями. Величина сопротивления резистора […]

Поскольку СИД является твердотельным прибором, срок его службы должен превышать долговечность оборудования, где он установлен. Однако чрезвычайно медленная естествен­ная диффузия примесей в кристаллическое полупроводниковое соединение наряду с други­ми не совсем ясными механизмами приводит к тому, что с течением времени световой по­ток несколько уменьшается. Из кривых испытаний на срок службы, приведенных на рис. 4.7, видно, что […]

С ростом температуры прямое падение напряжения на СИД падает, соответствующий коэф­фициент составляет от (-1,3) до (-2,5) мВ/°С. Длина волны максимальной интенсивности излучения увеличивается с ростом температуры, коэффициент равен приблизительно 0,2 нм/°С или менее в зависимости от материала СИД. Кроме того, излучение СИД ослабевает с ростом температуры, типичное значение отрицательного температурного коэффициента приблизительно равно 1%/°С.

Наклон кривых для СэАбР на рис. 4.5 показывает, что удвоение тока возбуждения приводит к более чем двукратному увеличению светового потока. Это говорит о росте световой эффек­тивности таких светодиодов при больших возбуждающих токах и указывает на то, что им­пульсные схемы возбуждения позволяют получить больший световой поток по сравнению со статическими. Достигаемое таким образом увеличение световой эффективности […]

Параметры светодиодов как элементов цепей постоянного тока определяются их вольт-ампер- ными характеристиками (ВАХ). Различия прямых ветвей ВАХ связаны с разницей в ширине запрещенной зоны применяемых материалов. Чем меньше длина волн излучения, тем больше прямое падение напряжения на СИД и потери электрической энергии в нем (рис. 4.4). Об­ратные ветви ВАХ имеют малое допустимое обратное напряжение, так […]