Определение и оценка параметров светодиодов
Параметры светодиодов как элементов цепей постоянного тока определяются их вольт-ампер- ными характеристиками (ВАХ). Различия прямых ветвей ВАХ связаны с разницей в ширине запрещенной зоны применяемых материалов. Чем меньше длина волн излучения, тем больше прямое падение напряжения на СИД и потери электрической энергии в нем (рис. 4.4). Обратные ветви ВАХ имеют малое допустимое обратное напряжение, так как ширина р-п-пе - рехода в СИД невелика. При работе в схемах с большими обратными напряжениями последовательно со светодиодом необходимо включать обычный диод.
Основные параметры диодов зависят от температуры. Зависимость яркости (силы света) от температуры практически линейная. С увеличением температуры яркость (сила света) уменьшается. В интервале рабочих температур яркость может изменяться в два-три раза.
/„р. мА |
IV В |
-W •** 4.4. Вольт-амперные характеристики диодов |
Светодиоды обладают высоким быстродействием. Излучение нарастает за время менее 10 не после подачи импульса прямого тока. Однако для устройств отображения, в которых обычно используются СИД, быстродействие не является критичным. Поэтому для серийных светодиодов временные параметры не приводятся.
Светодиоды широко применяются в радиоэлектронной аппаратуре в устройствах индикации: включения, готовности и работе, наличия напряжения, аварийной ситуации, достижения температурного порога, выполнения функционального задания.
Прямое напряжение, 0,2 В/см |
Светодиоды излучают свет видимого спектра, когда через них протекает электрический ток. Приборы в металлическом корпусе со стеклянной линзой обеспечивают направленное излучение света, а изготовленные в пластмассовых корпусах, выполненных из оптически прозрачного компаунда, создают рассеянное излучение.
Хотя цвет (длина волны) излучения определяется использованным материалом, количество света, испускаемого светодиодом, зависит от тока возбуждения и быстро увеличива-
Рис. 4.5. Зависимость тока /пр ется с ростов, плотности тока.
От напряжения U™: _ „
1 — красный СИД GaAseP4; 2 — оранжевый СИД Положение точки перегиба любой из кри-
GaAs35P65N. 3 — желтый СИД GaAsuPeeN; вых на рис. 4.5 непосредственно связано с ши-
4 — зеленый СИД GaPN риной запрещенной зоны и для красных свето
Диодов соответствует меньшему прямому падению напряжения. Согласно рис. 4.5 динамическое сопротивление красных светодиодов равно (1 ...2) Ом, в то время как для материалов, дающих более коротковолновое излучение, оно составляет (7... 15) Ом.
По мере роста плотности тока через р-и-переход большее число электронов и дырок инжектируется в запрещенную зону. При их движении возникают вторичные эффекты, по-
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
АШ ваБ • • •• ГпБ ваМ СиА1Б, |
СаБ |
А|р гпте 1пМ рар |
ГлБе |
ВаАз |
1пР |
|
|
|
|||||
|
|||||||
|
|||||||
|
|||||||
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
||||
|
|||||||
|
|
|