Электролюминесцентные индикаторы могут применяться как информационное табло и све­товые указатели (особенно больших форматов), плоские источники рассеянного света. Их несомненные преимущества: низкая потребляемая мощность, получение всех цветов све­чения, низкая себестоимость. Имеются перспективы создания электролюминесцентного телевизионного экрана. В от­личие от электронно-лучевой трубки электролюминесцентный экран имеет плоскую конст­рукцию и более простое управление, не требует высокого напряжения, а также […]

Электролюминесцентный индикатор (рис. 8.12) представляет собой плоский конденсатор, одной из обкладок которого является сплошной прозрачный электрод, а другой — электри­чески разделенные металлические площадки (мозаичный электрод). Рис. 8.12. Устройство электролюминесцентного индикатора: 1 — стекло; 2— прозрачный электрод: 3— изолирующая пленка; 4— слой люминофора; 5—металлический электрод; 6—пластмассовый корпус Между электродами размещается тонкопленочная структура из люминесцентного по­рошка, приготовленного […]

Рассмотрим принцип и схемы управления многоразрядными цифровыми индикаторами, имеющими восемь разрядов и более. Такие индикаторы необходимы в электронных кальку­ляторах и измерительных приборах для работы с многозначными числами. Каждый разряд индикатора состоит из семи сегментов, позволяющих набрать любую цифру, и восьмого сегмента (точки) для обозначения порядка многозначного числа. Для индикации необходи­мой цифры достаточно между выводами сегментов, […]

На рис. 8.8, а показана схема возбуждения сегментов сигналом переменного напряжения [18]. Устройство состоит из двух логических схем И с двумя входами ОО2, 003, инвертора 001 и ключа-формирователя на транзисторе УТ. На коллектор транзистора подается напря­жение, равное двойной амплитуде номинального переменного напряжения возбуждения данного жидкокристаллического индикатора. 002 Г = 15-20 Гц Рис. 8.8. Схема возбуждения […]

Как показано на рис. 8.5, принципиально ЖК-индикаторы состоят из двух плоскопараллель­ных стеклянных пластин, между которыми находится слой жидких кристаллов толщиной (12…20) мкм. Рис. 8.5. Жидкокристаллический индикатор на эффекте динамического расстояния: 1 — прокладка; 2 — жидкие кристаллы; 3 — отражающее покрытие; 4 — заднее стекло; 5 — общий электрод; 6 — прозрачные электроды сегментов; 7 […]

Схематическое изображение работы ячейки на основе скручивающих нематических струк­тур — СНС (твист-эффекта) представлено на рис. 8.2. «Укладки» молекул вблизи обеих пластин гомогенные, причем направление ориентации на одной пластине составляет 90° с направлением на другой. Вследствие этого в объеме ЖК возникает спиральная «укладка» нематических плоских структур (всего четверть витка спирали), приводящая к тому, что проходящий через […]

Первоначальная «укладка молекул» может быть любой, но для лучшего контраста жела­тельна гомеотропная. Используются НЖК с отрицательной ДА, поэтому при напряженно­стях электрического поля меньше пороговой в объеме ЖК устанавливается гомогенная ори­ентация (оптическая ось перпендикулярна к лучу света), а при напряженностях электриче­ского поля больше пороговой — хаотическая, приводящая к рассеянию, которое сопровож­дается деполяризацией света. Следовательно, если электроды […]

Рис. 8.1. Структуры жидких кристаллов: а — смектическая; б — нематическая; в — холестерическая А б в В основе принципиальной возможности практического использования ЖК лежит силь­ная зависимость их структуры от внешних факторов: температуры, давления, электрических и магнитных полей. Эта зависимость объясняется слабостью межмолекулярных сил, обес­печивающих упорядоченную структуру ЖК, вследствие чего малые изменения внешних факторов могут […]

В тиристорных оптопарах в качестве приемного элемента используется кремниевый фото­тиристор. Семейство ВАХ фототиристорного оптрона приведено на рис. 7.13. Фототиристор так же, как обычный тиристор имеет четырехслойную структуру р-п-р-п. Конструктивно оптопара выполнена так, что основная часть излучения входного диода на­правлена на высокоомную базовую область п фоторезистора. К крайним областям — аноду р и катоду п прикладывается […]

Транзисторная оптопара выполняется с фотоприемным элементом на базе фототранзистора. Как правило, в оптопарах используются фототранзисторы со структурой п-р-п на основе кремния, чувствительные к излучению с длиной волны около 1 мкм. Излучателями служат арсенидо-галлиевые диоды или диоды на тройном соединении, максимум спектрального из­лучения которых лежит вблизи области наибольшей чувствительности фототранзистора. Семейство выходных характеристик транзисторной оптопары приведено […]