Экспериментальные результаты

Результаты экспериментального исследования приводятся для ШИИП, выполненного по схеме на рис. 30,6 и имевшего следующие параметры: #i = 2 ком #2=330 ком #3=56 ком; #4=30 ком; #5 = =#6 = 2,4 ком #7=12 ком; #8=#ю= 150 ом #9=1,2 ком; #н = = 3 ком; #12= 1,8 ком; С4 = 1 лиеф; £п=12 в; Г4, Г5 —П308; Г4 — МП16; Тг, Тз — МП 104, Ді—Дь, Д7 —Д219А; Дв — 2С133А; /f= = 80 гц.

На рис. Зі показан график функ­ции преобразования для нормальной температуры 20 °С (точки — экспери­ментальные, жирная линия — теоре­тическая, пунктирная линия — для температуры 50°С).

Длительность выходных импульсов в линейном диапазоне изменялась от 12 мКсек до 12 мсек. Диапазон пре­образования составлял тысячу.

б) Следящий ШИИП на раздельных функциональных элементах

Функциональная и принципиальная электрическая схемы

Следящий ШИИП выполнен по обобщенной функциональной схеме на рис. 19,а. Развернутая функцио­нальная схема приведена на рис. 32,а, на которой А-Д состоит из усилителя У и управляемого одновибратора УОв с генератором Г, а Д-А — из ключевой схемы Кл и источника эталонного тока ИЭТ.

Синтез ШИИП может быть выполнен на базе двух элементар­ных моделей ИЛП: одной, состоящей из комбинации моделей на рис. 5,г и е, и другой, показанной на рис. 5,а. Процессы в модели описываются табл. 1І0 (/вх=/разг).

Таблица 10

Характеристика про* цесса преобразования

№ такта

1

2

3

Состояние

контактов

ЯзаР!

0

1

1

^Разі

1

0

0

ч^заР2

1

0 '

А"раз2

1

1

1

Процессы на конденсато­рах

Сі

Разряд по сиг­налу от Г

Заряд по сиг­налу от СЭ

Фиксация на­пряжения

с2

Заряд

Разряд

Разряд

Таблице 10 соответствует принципиальная электрическая схема ШИИП на рис. 32,6. Усилитель выполнен на канальном транзисторе Г7 и биполярных транзисторах Т% и 74, управляемый одновибра­тор—на транзисторах Тг и Уз, ключевая схема — на диодах Да и Д12, ИЭТ — на стабилитроне Дэ и транзисторе Те - Работа ШИИП описывается табл. 10. На конденсаторе Сг происходит уравновеши­вание входного тока /вх и импульсного тока обратной связи.

/дх

Выход

T.4-1QL, ф

Сг

Расчет управляемого одновибратора выполняется в соответст­вии с указаниями по расчету схемы на рис. 30,6. Расчет ИЭТ на транзисторе Те выполняется из условия получения максимального диапазона входной шкалы по формуле (82). Расчет ключевой схе­мы на диодах Дц и Ди, величины емкости конденсатора Сг и ко­эффициента усиления усилителя выполняется по формулам (83) — (85). Только вместо тпо нужно подставить ти. макс* а вместо Sy определить Ки - Большой коэффициент усиления Ки усилителя на транзисторах Тт, Т8, Ті может привести к неустойчивости. При ши­рине импульса более половины периода возможны переходы авто­колебаний с одного предельного цикла на другой.

Комментарии закрыты.