Функциональная и принципиальная электрическая схема
Обобщенная и развернутая функциональные схемы прямого следящего ЧИИП доказаны соответственно на рис. 19,а и б. Следящий ЧИИП можно рассматривать как замкнутую систему, содержащую основную (прямую) и обратную цепи воздействия. В основной цепи
ИЭТ
ПН |
Пр |
|
(У) |
u-*f |
Кл I |
воздействия связь между звеньями строится так, что сигналы приходят от входа к выходу, а в обратной — от выхода ко входу. При этом за вход и выход могут быть приняты любые точки системы. В прямых ЧИИП за вход принимается место приложения входного аналогового сигнала Л, а за выход—съема выходного дискретного сигнала Д (частоты имлульсов), как показано на рис. 19,а. Такое представление оправдывается в том отношении, что метрологические характеристики ЧИИП практически мало зависят от характеристик прямого преобразователя А-Д в прямой цепи воздействия и в основном определяются характеристиками обратного преобразователя Д-А в обратной цепи воздействия. На рис. 19,6 А-Д состоит из повторителя (или усилителя) напряжения (ПН или У) и преобразователя напряжения в частоту (При—>f)t а Д-А состоит из формирующего элемента ФЭ, источника эталонного тока ИЭТ и ключевой схемы Кл. Функции не только функциональных элементов, но и целых преобразователей А-Д или Д-А могут быть совмещены, например, в СЭ (сравнивающем элементе). В этом случае имеем дело с ЧИИП на совмещенных функциональных элементах (или узлах).
Следящий ЧИИП синтезирован на базе ИЛП, состоящего из трех элементарных моделей: двух моделей, которые были использованы в предыдущем развертывающе-следящем ЧИИП и показаны на рис. 5,г и е, и модели, показанной на рис. 5,а.
Процессы в модели ИЛП описываются сокращенной табл. 6.
Если функции ЛП совместить в ИЛП, то получим принципиальную электрическую схему следящего ЧИИП, показанную на рис. 19,в
Таблица 6
|
[Л. 4S, 54]. От предыдущей подробно описанной схемы она OTJMaet - ся добавлением следующих элементов: интегрирующего конденсатора Сз, источника эталонного тока на стабилитроне Діз и транзисторе Т5, усилителя на канальном Гз и биполярном Г4 транзисторах, ключевой схемы на диоде Д15.
Работа схемы происходит в соответствии с табл. 6. При этом уравновешивание входного и импульсного токов происходит на конденсаторе С3, напряжение на котором изменяет разрядный коллекторный ток транзистора Т4, а следовательно, и частоту импульсов.
При малых входных токах следящий ЧИИП может перейти в режим длительного периодического запирания транзистора Т4у при котором ЧИИП на транзисторах Т и Т2 работает в режиме одно - вибратора. Добавление упомянутых элементов и, в частности, канального транзистора Г3, в предыдущий ЧИИП на порядок расширяет диапазон преобразования и повышает точность. Кроме того, следящий ЧИИП более помехоустойчив, чем предыдущий.