Технология изготовления полупроводников середины 60-х го­дов оказала сильное влияние на развитие технологии изготов­ления светодиодов. В это время выращивали большие кристаллы GaAs для подложек, а технология кремниевых приборов была высоко развита. Эпитаксиальные слои кремния и GaAs нано­сились в промышленном масштабе с помощью метода газовой эпитаксии; распространенным методом получения р — «-пере­ходов была диффузия. Поэтому не удивительно, что при изгото­влении первых удачных промышленных светодиодов (а это были приборы на основе GaAs^Pi-^) использовались GaAs-подложки, слои наносились методом газовой эпитаксии, р — п-переходы изготавливались диффузией. За прошедшие 10 лет получили развитие еще несколько технологических процессов, таких, как выращивание кристаллов из расплава по Чохральскому под флюсом и жидкостная эпитаксия, которые в настоящее время имеют важное значение при изготовлении определенных типов светодиодов.

Поскольку многие носящие общий характер технологические процессы изготовления светодиодов похожи на соответствующие процессы, используемые при изготовлении кремниевых приборов (т. е. очистка, полировка, фотолитография, напыление контак­тов и т. п.), они не будут здесь описаны. Мы обсудим только операции, которые имеют специфические особенности для соеди­нений AHIBV, а именно выращивание кристаллов, изготовление р — n-переходов и омических контактов.