Расчет одновибратора на транзисторах Г2, Тз хорошо освещен Ь литературе [Л. 6, 13, 23, 91, 96]. Расчет эталонного источника то­ка также освещен в литературе [JI. 1, 3, 15, 26} и изложен в пре­

дыдущей главе [см. уравнение (82)].

При заданной частоте fr и перепаде входного напряжения AUBX~En—Urs при требовании получения максимального коэффи­циента заполнения расчет сводится к выбору Сі и /Эт из соот­ношения

1 _ с^ивх

тн. макс— f /

/Г 1 ВТ

Основные характеристики

Основное уравнение (функцию преобразования) полу­чим при следующих упрощающих допущениях: выходное сопротив­ление ИЭТ (сопротивление коллектора транзистора Т5) считаем бесконечно большим, током утечки конденсатора С і и инерционно­стью транзисторов и диодов пренебрегаем. С учетом перечислен­ных допущений после решения уравнений заряда и разряда кон-

Дейсаторя Сі получим функцию преобразования:

CElkUr 77 О Q

ХИ = /" I / ’—1—(-/ , /---------------------- ивх, (113)

■'эх + !дь о>р эт + 'дъ 03р

где /эт определяется по формуле (82); 1дз05р— обратный ток дио­да Д3; SAUTi Д' q — сумма падегіий напряжения на соответствующих переходах транзисторов, диодах и резисторах:

54ит, д. R = I/..., + [(Уд, - Одю) + (иаЛз - изМз) - Ь

+ Wju - umJI - (tf*. + + ид)- ("4)

где индекс «О» относится к пороговым величинам.

Из основного уравнения (1113) по методике, изложенной при выводе уравнений (70) — (78) или (88)—(94), определяются основ­ные характеристики ШИИП: чувствительность, пороги чувствитель­ности, диапазоны преобразования.

Результирующая погрешность, если принять

/'•»=/» +о л» (US)

определится из выражения

= }/'8LuTt д R + 8/'вт + 8с,- (И6)

Выражение (116) в развернутом виде записывается:

*шт, д, r Д/'Э1 |2 +

иж