На рис. 4.10 показаны две основные схемы возбуждения СИД, пригодные независимо отто­го, являются ли последние излучателями, осветителями, сегментами, шкалами, буквенно­цифровыми индикаторами или входными каскадами оптронов. В схеме с активным низким уровнем с проводящим транзистором светодиод смещен в прямом направлении и испускает свет. Сопротивление токоограничивающего резистора можно рассчитать по формуле

Ъ=и*/1«=и~га-+ит (4-2>

Сд

Где (Укн — напряжение насыщения транзистора; /сд — ток через световод.

Н

Рис. 4.10. Схемы формирователя с активным низким (а) и высоким (б) уровнями

В схеме с активным высоким уровнем СИД излучает, когда транзистор выключен (не проводит). В этом случае резистор должен удовлетворять двум критериям — гарантировать прохождение через светодиод тока /сд, достаточного для создания требуемого светового вы­хода при выключенном транзисторе, и обеспечивать насыщение проводящего транзистора. При выключенном транзисторе уравнение для /?огр имеет вид

^Ф=(^п-Чд)//М. (4-3)

А когда транзистор проводит,

)//*, (4.4)

Где Д — ток насыщения транзистора.

В табл. 4.2 показано несколько ТТЛ-формирователей возбуждающих напряжений, а также приведены соотношения между включенными и выключенными состояниями СИД и соответствующими логическими входными уровнями.

4-3322