В резисторной оптопарах в качестве излучателя используются СИД, ИК-излучающий диод или сверхминиатюрная лампочка накаливания. В качестве фотоприемного элемента приме­няется фоторезистор — полупроводниковый резистор, сопротивление которого уменьшает­ся при воздействии видимых световых или невидимых инфракрасных лучей. Уменьшение сопротивления фоторезистора происходит за счет генерации светом пар свободных носите­лей заряда — электронов и дырок, увеличивающих электропроводность полупроводника.

Фоторезисторы оптопар изготавливаются на базе селенида кадмия Ссйе или сернистого кадмия СсК. Важным требованием является согласованность излучателя и приемника по спектральным характеристикам.

Темновой ток фоторезистора при отсутствии воздействия света от излучателя обычно составляет единицы микроампер. При облучении проводимость фоторезистора значительно возрастает (в сотни, тысячи раз), она пропорциональна силе света излучателя. Поэтому пу­тем изменения тока через излучатель можно управлять проводимостью фоторезистора. Свойства фоторезисторов не зависят от полярности приложенного напряжения, что позво­ляет включать их в цепь переменного тока.

Фоторезистор и излучатель объединены внутри корпуса оптопары оптически прозрач­ной средой (клеем) с большим сопротивлением изоляции. Поэтому цепь излучателя надеж­но изолирована от выходной цепи оптопары — фотоприемника. Параметры оптопар зависят от температуры. Повышение температуры фоторезистора приводит к увеличению его свето­вого сопротивления и снижению фототока. При повышении температуры темновой ток уве­личивается, темновое сопротивление уменьшается.

К отрицательным свойствам резисторных оптопар относится их низкое быстродействие.

Важнейшими характеристиками резисторной оптопары являются: входная ВАХ (рис. 7.9, а), выходная температурная (рис. 7.9, б), передаточная, а также — зависимость выходного со­противления от входного тока (рис. 7.9, в), частотная характеристика (рис. 7.9, г).

Резисторные оптопары применяются преимущественно дня бесконтактной коммутации и управления в цепях постоянного и переменного токов.

В г

Рис. 7.9. Характеристики резисторной оптопары

Достоинствами резисторных оптопар, определяющими их широкое применение, яв­ляется линейность и симметричность выходной характеристики, отсутствие фотоЭДС, воз­можность работы при больших значениях напряжений любой полярности (сотни вольт) в выходной цепи, высокие значения темнового сопротивления (Ят = 106... 1011 Ом).