Прямозонные и непрямозонные полупроводники

Прямозонные и непрямозонные полупроводникиНа первом этапе люминесценции возможны различные переходы электронов: зона-зона, зона-примесный уровень и переходы между уровнями примеси. При межзонных переходах возможны два основных случая, соответствующие прямым и непрямым переходам. Наличие прямых и непрямых переходов объясняется зависимостью энергии электрона от его импульса (рис. 2.15, о). Импульс электрона Ръ равен произведению его массы тэ на скорость движения Р=тУ. (2.70)

Прямозонные и непрямозонные полупроводники

А б

Рис. 2.15. Зависимость энергии электрона от импульса для прямых (а) и непрямых (б) переходов электронов

Прямой переход — это переход электрона без изменения его импульса. Непрямой пере­ход сопровождается изменением импульса электрона, которое компенсируется импульсом излучаемого или поглощаемого фотона.

По закону сохранения импульса при излучении или поглощении фотона должно выпол­няться равенство

Р31 = Р,2±кф, (2.71)

Где Рм и Ръ2 — начальный и конечный импульсы электрона соответственно; к$ — импульс фотона.

Так как скорость движения фотона равна скорости света, то к$ = /ЯфС0, где масса фотона /Яф связана с длиной волны соотношением Бройля (де Брольи)

7Яф=Л/(Хс) (2.72)

Тогда импульс фотона

К^=тф=Иу/с«Е2/с, (2.73)

Где £ч — ширина запрещенной зоны.

Для Е3 я 1 эВ имеем кф « Рэ2, т. е. импульс электрона можно считать неизменным при прямом переходе (Рэ | « Рз2), что соответствует переходу по вертикали между максимумом валентной зоны Ев и минимумом зоны проводимости ЕП (см. рис. 2.15, о).

Могут происходить также переходы электронов из валентной зоны в зону проводимо­сти с изменением импульса электрона (Р3 *■ Рэ2) — непрямые переходы. При этом в процес­се поглощения энергии, кроме фотона и электрона, должна участвовать еще третья частица,
которая заберет часть импульса на себя (рис. 2.15, 6). Закон сохранения импульса при не­прямых переходах имеет вид

Рл = Рл±к^±к, (2.74)

Где А— импульс третьей частицы (например, фотона).

Основные материалы полупроводниковых излучателей (ОаАв и тройные соединения на его основе — ОаА1АБ и ОаАвР) относятся к прямозонным полупроводникам, т. е. к таким, в которых разрешены прямые оптические переходы зона-зона. Каждая рекомбинация носи­теля заряда при таком переходе сопровождается излучением фотона с длиной волны

Х = 1,24/£3, (2.75)

Где X — в мкм; Еъ — в эВ.

Таким образом, выполнение закона сохранения импульса (оно также обязательно для любого электронного перехода, как и соблюдение закона сохранения энергии) при прямых переходах не требует участия в рекомбинации третьей (кроме электрона и дырки) частицы. Вследствие этого вероятность прямых оптических переходов высока и прямозонные полу­проводники являются эффективными люминесцентными материалами.

В непрямозонных полупроводниках (например, в фосфиде галлии ОаР) минимум зоны про­водимости смещен по оси импульса. Излучательная рекомбинация электрона с дыркой идет лишь на некотором комплексе, которому передается избыточный импульс и, соответственно, часть энергии. Длина волны излучения при непрямых переходах получается больше. Тем не ме­нее излучательная рекомбинация может эффективно идти через подходящие примесные центры в два этапа: сначала происходит локализация носителя одного знака на примесном центре, а за­тем рекомбинация этого носителя со свободным носителем другого знака. В качестве таких центров излучательной рекомбинации в фосфиде галлия, например, выступают комплексы донор — акцептор (Тп - 0 ~) или нейтральные ловушки (атом N вместо атома Р в решетке ОаР).

Следует отметить, что самопоглощение излучения идет в прямозонных полупроводни­ках значительно сильнее, чем в непрямозонных.

В табл. 2.3 приведены материалы, используемые для изготовления полупроводниковых излучателей, и значения ширины запрещенной зоны Еъ для каждого материала.

Таблица 2.3. Перспективные материалы для элементной базы оптоэлектроники

Характеристика материала

Легирующая примесь

Тил

Материала

Химическая

Формула

Ширина запрещенной зоны, Эв

Показатель

Преломления

Р-типа

Л-типа

GaP

2,25

3,3

Zn, Cd

Se, Те

GaAs

1,43

3,6

Zn, Cd

Se, Те

GaN

3,25

2,1...2,4

Zn, Cd

Se. Те

InN

2,4

2,9

Zn, Cd

Se, Те

A1N

3,8

2,0

Zn, Cd

Se, Те

AIP

2,45

-

Zn, Cd

Se, Те

Ga,_xlnxP

1,35...2,25

2,9...3,3

Zn, Cd

Se, Те

АП|ВУ

Ga,.xAsxP

1,43...2,25

3,3...3,6

Zn, Cd

Se, Те

AlAs,.xPx

2,16...2,45

-

Zn, Cd

Se, Те

Al|.JnxP

1,30...2,45

-

Zn, Cd

Se, Те

Ga|.*AlxP

2,25...2,45

-

Zn, Cd

Se, Те

GaAlN

3,25...3,8

-

Zn, Cd

Se, Те

Ga,_xlnxAS|.yPy

0,36...2,25

2,9...3,3

Zn, Cd

Se, Те

Ga|_xAlAs]_yPy

1,43...2,45

2,9...3,2

Zn, Cd

Se, Те

Al|.xlnxAs,.vPv

0,36...2,45

3,0...32

Zn, Cd

Se, Те

Продолжение табл. 2.3

Характеристика материала

Легирующая примесь

Тип

Материала

Химическая

Формула

Ширина

Запрещенной

Зоны, Эв

Показатель

Преломления

Р-тнпа

N-типа

ZnS

3,8

2,4

Cu, Р

Ai, Br, CI

CdS

2,9

2,5

Си, Р

Al, ln, Ga, Br

ZnSe

2,7

2,9

-

Al, Br, In, Ga

CdSe

1,8

2,6

-

CI, Br, 1

ZnTe

2,3

3,6

Си, Ag, Р

Al, CI, Ga

А|ПВУ|

CdTe

1,6

2,8

Li, Sb, Р

Al, CI, In

Zn,_xCdxS

2,9...3,8

2,4...2,5

Си, Р

Al, In, Br, Ga

Zn,.xCdxSe

1,8...2,7

2,6. .2,9

-

Br, Ga, In, Al

ZnSe j. jjSj

2,7...3,8

2,4...2,9

-

Al, Br, CI

Cd|_xSexS

1,8...2,9

2,5...2,6

-

Al, Br, CI

CdTe,.xSx

1,6...2,9

2,5...2,7

Си, Р, Sb

CI, In, 1

AV, BV1

SiC

2,8-3,3

2,5...2,7

AJ, ln

N

Другие

Материалы

Si CuAlS2 GaS ZnSe-GaP ZnS - GaP

1,1

3,5

3,4

2.25.. .2.70

2.25.. .3.80

3,5

2.9.. .3.3

2.4.. .3.3

В, Ga, Al

As, P, Sp

Предпочтение в современных излучателях отдано полупроводникам с прямыми перехо­дами. Выбор ширины запрещенной зоны Еъ определяется рабочей длиной волны излучателя в оптическом диапазоне волн.

Из выражения (2.74) имеем

£,=1,24/^. (2.76)

Следовательно, для работы в диапазоне видимого излучения (0,38...0,78 мкм) необхо­димы полупроводники с шириной запрещенной зоны 1,5...3,0 эВ. Это требование сразу исключает использование германия, кремния и других полупроводников, технология кото­рых хорошо разработана, и обусловливает переход к материалам типа АШВ их твердым растворам и др.

В полупроводниках генерация оптического излучения обеспечивается обычно с помо­щью электролюминесценции. При электролюминесценции энергия возбуждения потребля­ется из электрического поля. Различают два вида электролюминесценции:

- инжекцгюнную, которая возникает в /?-«-переходе, находящемся под прямым напря­жением,

- предпробойную, которая развивается в сильных полях, близких к тем, при которых по­является электрический пробой ^-«-перехода.

Наибольшее применение в излучателях нашла инжекционная электролюминесценция.

Комментарии закрыты.