Мы показали ранее, что изменение произведения / VK является хорошим индикатором изменения произведения ImVm и соответственно эффективно­сти фотодиода. Ссылаясь на уравнение (48), можно увидеть, что рост 10 ведет к уменьшению / Г и эффективности. Этот вывод подтверждается и численны­ми оценками примера 5.

Хорошие фотодиоды должны иметь минимальные значения /0. Это может быть обеспечено следующими мерами (см. § 12.8):

1) использованием сильно легированных полупроводников;

2) стремлением к максимально возможному сроку жизни неосновных носи­телей.

Продолж примера 5

Увеличим Jf] и пересчитаем tm. После того как все выбранные значения У0 будут ис­пользованы. выберем новое значение Рт и повторим всю процедуру снова. Для того чтобы рассчитать т)т. мы должны знать значения 1т и Vm в функции от выбранных параметров Р[п и /0.

Расчет Vm

Взяв выбранные параметры, рассчитаем V по соотношению (51)

Vm = VAn

где (52)

VA = 2.2885- 10“2 -139.9 • Ю-61пУ0 - 2.5734 • КГ6 (1п/0)

Нам нужна зависимость / от Рт. Из уравнения (25)

ф = 0,5577------ ——

8 223,7-Ю-21’

С помощью приведенных выше соотношений, рассчитаем идеальную эффективность кремниевого фотодиода, облучаемого черным телом при температуре 6000 К.

Окот, примера 5

Данный расчет был выполнен для различных плотностей излучения и различных значений обратного тока насыщения. Результаты суммированы в табл. 12.5 и пред­ставлены на рис. 12.16.