Ратной связи (ОС). Обычно для них используется двойная гетероструктура с полосковым контактом, который только с одной стороны доходит до торца кристалла. Основное отличие от стороны лазера — отсутствие резонатора Фабри-Перо (нет положительной обратной связи, ПОС). Длина усиливающей области больше, чем в лазере (»1,5 мм). Спонтанное из­лучение происходит равновероятно во все стороны, однако часть его удерживается, направ­ляется планарным световодом и усиливается за счет вынужденного излучения. Спектр излу­чения ССИД сплошной, как у поверхностных СИД, однако значительно уже (3...5 нм). Диа­грамма направленности более узкая, чем у поверхностных, и несимметричная, как у лазеров с угловыми размерами 120° и 40°. Эффективность ввода излучения в многомодовые волок­на выше, чем у поверхностных СИД.

Мощность излучения (1... 10 мВт) вводится в многомодовый световод (0,1... 1 мВт).

Особенности ССИД:

- суперлинейная ватт-амперная характеристика (близка к экспоненциальной);

- пороговая плотность тока, меньше чем у лазеров;

- выходная мощность во много раз больше, чем у светодиодов;

-ширина спектральной линии АХ = 2...6нм

На порядок меньше, чем у светодиодов, но значительно больше, чем у лазеров;

- излучение в отличие от излучения светодио­дов, может быть поляризованным;

- диапазон рабочих температур и долговечность больше, чем у лазера, но уступает обычным СИД.

Конструкция суперлюминесцентного диода представлена на рис. 5.22.

Параметры лазерных светодиодов для приво­дов оптических носителей информации и принте­ров приведены в табл. 5.2.

Продолжение табл. 5.2