Параметры оптического излучения, а также их определения, расчетные формулы, единицы величин и обозначения сведены в табл. 2.4.

Излучение в оптическом диапазоне может характеризоваться как волновыми, так и кор­пускулярными категориями и параметрами и может быть представлено в виде потока фото­нов. Энергия каждого фотона определяется соотношением

£ф = йу = Ис/(пХ), (2.81)

Где А — постоянная Планка, равная 4,13-10-13 эВ с; с — скорость света в вакууме, равная

3108 м/с; п — показатель преломления оптической среды; V, X — частота колебаний, Гц,

И длина волны оптического излучения, м.

Пусть в единицу времени через единичную площадь проходит Л'ф фотонов. Тогда поток излучения Ф определяется выражением Ис

Ф = ЛГф£^ = ЛГф. — -5, (2.82)

Где 5 — площадь.

Поток излучения при заданном тем больше, чем короче длина волны излучения. По­лезно выразить число фотонов через энергетические параметры излучения Ф Ф

=510ХТ’ (2'83>

Где — в 1/(м2 с); X — в мкм; Ф/51 — в Вт/м2.

Тесты

2.1. Какой длине волны соответствует максимальная чувствительность глаза:

А) 0,41 мкм; б) 0,56 мкм; в) 0,63 мм; г) 0,72 мм?

2.2. Какой длине волны соответствует минимальная чувствительность глаза в области, близкой к ультрафиолетовому излучению:

А) 0,4 мкм; б) 0,45 мкм; в) 0,5 мкм; г) 0,6 мкм?

2.3. Какой длине волны соответствует минимальная чувствительность глаза в области, близкой к ин­фракрасному излучению:

А) 0,72 мкм; б) 0,62 мкм; в) 0,55 мкм; г) 0,5 мкм?

2.4. Какой из материалов относится к непрямозонным материалам:

А) гпБе; б) СаР; в) СаЫ; г) СёБ?

2.5. Какие из пар материалов позволяют создавать гетерооптоэлектронные приборы:

A) Ge-Ge; б) Si-Si; в) GaAs-GaAlAs; r)GaAs-GaAs?

2.6. Какой механизм генерации излучения реализуется в полупроводниках:

А) эффект термоэлек - б) эффект генерации в) эффект г) эффект фотолю-

Тронной эмиссии; электронно-дыроч - рекомбинации; минесценции?

Ных пар;

2.7. Какие из указанных материалов пригодны для изготовления излучающих приборов:

A) Ge; б) Si; в) Си; г) GaP?

2.8. Какие из указанных материалов пригодны для изготовления фотоприемников:

А) А1; б) Au; в) Ge; г) Si?

2.9. Материалы с какой шириной запрещенной зоны используются для изготовления оптоэлектрон­ных приборов видимой области спектра:

A) AW=0,l эВ; б)Д»'=1,5эВ; в)Д»'=3,5эВ; г)Д^=6эВ?

2.10. Какая из составляющих общего тока р-п-первхода обеспечивает инжекционную электролюми­несценцию:

А) обратный ток б) прямой ток в) туннельный г) ток утечки

Р-и-перехода; р-и-перехода; током; по поверхности

Р-и-перехода?