Описание типичного зеленого светодиода из GaP
Для подробного ознакомления с проблемой вывода излучения из светодиода рассмотрим различные процессы поглощения в типичном зеленом диоде из GaP (рис. 6.9). Процесс изготовления такого диода в основном сходен с изготовлением красных светодиодов (рис, 6.1). Некоторые основные характеристики прибора приведены в табл. 6.5 [22].
Таблица 6.5 Типичные параметры зеленых светодиодов из GaP прямоугольной формы с матовыми гранями
|
Кристал/іодержатемь |
Рйс. 6.9. Различные механизмы потерь излучения в светодиоде из GaP: N.
Л —поглощение атомами азота;
В —поглощение в объеме GaP;
С — поглощение контактами:
D—отражение на границе.
На подложке п-типа толщиной 200 мкм жидкостной эпитаксией выращиваются два слоя толщиной 25 мкм каждый. Диаметр контакта из Si—Au к я-области составляет 125 мкм, а большая часть поверхности со стороны p-области отделена от сплошной металлической пленки слоем диэлектрика (гл. 5). Омический контакт с металлом осуществляется через равномерно расположенные отверстия в диэлектрическом покрытии; площадь контактов составляет 14,4% площади поверхности. Металлический контактный слой со стороны p-области присоединен к кристаллодержателю термокомпрессией, пайкой или проводящим клеем. В конструкции, в которой p-область располагается внизу, наиболее оптимальным образом удовлетворяются оптические, тепловые и электрические требования к конструкции. Будучи неоптимальной с точки зрения вывода света, она обеспечивает приемлемое значение коэффициента вывода света; в ней сводится к минимуму неоднородность в распределении тока по р — я-переходу, так как омический контакт распределен по площади более высокоомной р-области [26, 27]; близкое расположение р — я-перехода к держателю подложки создает луч* ший теплоотвод; наконец, такая конструкция удобна для изготовления [19, 28]. Среднее значение коэффициента отражения золотых контактов, полученных напылением, было рассчитано [22] по табличным значениям коэффициента отражения
[29] с учетом спектрального состава излучения внутри зеленых
светодиодов [19, 20].
Зависимость коэффициента отражения #ди золота от энергии фотона є можно представить в виде
Rku (s) = 0,4 + 0,53/[ 1 + 37 (е — 2)3'5] (2 < е < 2,4 эВ). (6.17)
Выражение (6.17), усредненное по спектру зеленого излучения внутри диода /0(є), который показан на рис. 6.8, и дает средний коэффициент отражения для золота
оо
■5 RAulQd*
(Я Au> = = 0,83. (6.18)
^ /о de.
о
Спектральный коэффициент отражения растет с уменьшением энергии фотона, так что средний коэффициент отражения может возрасти от 83 до 90% (и более), если коротковолновая часть спектра срезается сильным поглощением. Пластина разрезается на отдельные диоды с помощью абразива, а нарушения поверхности, вызванные абразивом, устраняются с помощью травления [24]. После травления поверхность остается неровной, что по предположению приводит к хаотическому распределению фотонов без снижения при этом коэффициента пропускания поверхности. Диоды помещаются в большую полусферу из эпоксидной смолы, прозрачной во всей области зеленого излучения.