Диазидобензилиденовые производные циклокетонов применя­ются в композициях с полимерными связующими, содержащими ненасыщенные связи в главной цепи. Так, разработана светочув­ствительная композиция [пат. Великобритании 1470059], содержа­щая диазид I (от 0,01 до 20 %), а в качестве полимерного связую­щего— сополимер метилметакрилата и этил-М-акрилоилглицина; композиция может включать триплетные сенсибилизаторы. В ка­честве растворителей применяются ксилол, циклогексанол, ДМФА,
дихлорэтан или их смсси. Иногда в проявитель вводят добавки красителя или пигмента, ПАВ, адгезивов. Используется водно-ще­лочное проявление (10 %-ный раствор Na3P04-12H20). Эта компо­зиция может применяться на различных полимерных и металличе­ских подложках, тканях, стекле.

Высокой светочувствительностью, стабильностью при хранении, разрешающей способностью и возможностью водного проявления характеризуется азидсодержащая композиция на основе сополиме­ров с большим содержанием непредельных связей [пат. США 4275142]. Сополимер включает компоненты А, В и С, где А — конъ­югированный диолефин CH2=CR—СР'=СНР" (R = Н, Aik Ci—C4, Hal; R', R"=H, CH3, Cl), например, 1,3-бутадиен, хлоро - прен; В — ненасыщенная карбоновая кислота CHR=CR'—СООН (R, R' = H, СН^, С2Н5, С1), например, акриловая, метакриловая, малеиновая, фумаровая; С — ненасыщенный мономер CH2=CR— COOR' (R = Н, СН3; R' = Alk Ci—С]3). Слой, содержащий 2,6- бис (4-азидобензилиден)циклогексанон (диазид II) может быть получен толщиной 11 мкм, экспонирован ртутной лампой сверх­высокого давления (250 Вт, 10 с, расстояние 60 см); после прояв­ления водой он выдерживает травление подложки раствором CuS04 в 10 %-ной водной НС1 на глубину 0,17 мм. Резист обес­печивает великолепную воспроизводимость элементов и точек. Эти слои могут быть использованы в производстве печатных форм, пе­чатных плат, флексографических пластин.

Промышленность выпускает ряд составов на основе диазида I и полиметилизопропенилкетона. Их проявляют смесью циклогек - сана и 2-нитропропана. Они обеспечивают высокое разрешение и термическую стойкость рельефа, который выдерживает плазменное травление, например CF4—02 (96:4). Разрешение и светочувстви­тельность таких составов (например, ONNR-20) аналогичны пара­метрам, получаемым для позитивных фоторезистов [15].

СО / СО

СО

или

R, R' R" = Н, Aik или Alkylen до С2о, n = 0s - 10, чаще 0, 1; Z = ОН, Hal.

Другой тип пленкообразующего компонента для азндсодер - жащих фоторезистов создан на основе мономерных норборне - нов. Полимеризацию их ведут с раскрытием норборненового би - или тетрацикла (в этилхлориде при 25 °С в течение 4 ч) [пат. США 4106943]:

X, Y = Н, (CH2)„COOR, (CH2)„OCOR', (CH2)„CN, (CH2)„Z или X и Y вместе образуют следующий цикл:

Эти полимеры термопластичны, их пленки обладают низким поверхностным натяжением, они хорошо растворимы в органиче­ских растворителях. Для придания водорастворимости слоям в по­лимер вводятся гидроксильные или карбоксильные группы. В ка­честве светочувствительных компонентов предлагается использо­вать, например, диазид I, 4,4'-диазидостильбен, гс-фенилендиазид, 4,4'-диазидостильбен-а-карбоновую кислоту, 2,7-диазидофлюорен и пр. Таким образом, на основе полимеров с терпеновым циклом можно создать композиции фоторезистов как водного, так и орга­нического проявления.

Повышение механической прочности слоев и их адгезии к под­ложкам достигается введением в слои сополимеров метакрилатов, например:

О

R

CI

С1

о

он

п = 1000 ^ 2500.

Композиции очувствляются диазидом I и 4,4'-диазидостильбен- 2,2'-дисульфокислотой (диазидом III) [пат. ЧССР 186630, 144618].

Для предварительно очувствленных печатных плат разработаны составы [пат. США 4139390], включающие карбонил - и сульфо - нилазиды: ArCON3; ArCH = CHArCON3; BCbH4S02N3

Ar = феннл, феннлен, а - или [5-нафтил с различными заместителями; Q=0, S, Se, Na (А = Н, AlkCj—С6, АгС6 —Сю, карбалкокснл илн карбамнл); R, R'=H, Aik, ArAlk, ArAlkoxyl, Hal; R", R'" = N3 или Aik; Z = СН или N; R"" = H, Aik, ArAlk, Ac; В = Ac C2 — C5.

Они поглощают в области 280—360 нм.

Целесообразно визуализировать элементы изображения непо­средственно после экспонирования. По цвету видимого изображе­ния точнее выбирается экспозиция, облегчается проявление фото­рельефа. Наибольшую сложность представляет введение красите­лей, не приводящее к уменьшению скорости фотосшивания. По­скольку этого трудно достичь, то технологичными считаются уже те фоторезистные композиции, в которых скорость структурирова­ния слоя уменьшается не более, чем на порядок. Исходя из этих соображений, предлагается введение в слои лейкооснований три - фенилметановых красителей, а также производных ксантена, тио - ксантена или диметилантрацена. При экспонировании происходит фотоокисление лейкооснования красителя с окрашиванием осве­

щенных участков слоя. В качестве полимерной основы этих слоев обычно используют полиэфиры, поликарбонаты или полисульфо­наты, содержащие в главной цепи халконовую группировку —СН=СН—СО—. Например, предлагается для широкого приме­нения полимер формулы:

где тип равны 1, 2 или 3, одинаковы либо различны.

р

Триплетные сенсибилизаторы ускоряют сшивание азидсодер­жащих полимерных матриц; кроме того, в композицию вводятся стабилизаторы, например:

R где Х = 0, СН2; R, R' = Н, Aik; R" = О, NH; R'", R"" « ОН, NH2;

Эти соединения препятствуют появлению окраски при хранении композиций, содержащих лейкооснований красителя.

Азидсодержащие фоторезисты могут быть использованы для создания контрастных фотошаблонов, защищающих от УФ-излу - чения при экспонировании светом 340—450 нм [яп. заявка

51— 40452; пат. Великобритании 1475579. При этом пленка имеет прозрачную подложку, и водо - или спирторастворимый свето­чувствительный слой, содержащий диазид I или II, диазидо - бензилиден - или диазидоциннамалиденацетон. Содержание арил - азида в композиции должно быть достаточно высоким, чтобы после экспонирования продукты его фотолиза в слое обеспечивали оптическую плотность не менее 1 в области 340—450 нм. Для до­стижения оптической однородности проэкспонированного слоя воз­можно использование комбинации арилазидов, области поглоще­ния которых перекрываются. В качестве полимерного связующего используется азидсодержащий полимер или смесь полимеров, на­пример: модифицированный производными дикарбоновой кислоты сополимер бутилметакрилата, 2-гидроксиэтилгексилакрилата и 2-гидроксиэтилметакрилата (60:10:30). Кроме того добавляется Жирорастворимый розовый, 4-гидроксибензальазин. Проявляют во­дой с добавлением в нее моноэтаноламина и красителя, например Турецкого красного. Иногда в проявитель могут быть добавлены

ПАВ, например лаурилсульфат. После проявления слой ополаски­вают водой, покрывают защитным слоем (раствор ПВС) и изме­ряют оптическую плотность. Удается, например, получить шаблон со следующей спектральной характеристикой:

Длина волиы, им 300 320 340 360—450 460 500

Оптическая плотность ^2 ^2 1,9 ^-2 1,9 1,2

В 1981 г. предложено использовать в фотомаскирующем эле­менте два слоя [яп. заявка 56—44415]: светочувствительный слой состоит из диазидобензилиден- или диазидоциннамалиденкетонов с высокой оптической плотностью, а сверху его покрывают клей­ким твердым защитным слоем, прозрачным к УФ-свету. Защитный слой практически не пропускает кислород, что способствует усиле­нию взаимодействия арилнитренов с полимерами.

В композиции, чувствительные к излучению с длинами волн до 600 нм, рекомендуется [яп. заявка 57—59954] вводить 1,5- или 1,8-бис (я-азидобензоилокси)антрахиноны; они содержат циклокау­чук или стирол-бутадиеновый каучук, растворителем служит смесь толуола, хлорбензола, тетрагидрофурана (50:30:20). Такие фото­резисты можно использовать в проекционной фотолитографии.

Среди композиций азидсодержащих фоторезистов более 20 по­следних лет разрабатываются составы [пат. США 2940853], вклю­чающие диазидобензилиденовые производные кетонов, чаще дру­гих диазида I и диазида II. Использование этих слоев обусловлено их спектральной чувствительностью (Ямакс 350—360 нм) в области максимальной эмиссии ртутных ламп, высоким квантовым выходом фоторазложения, в том числе и в полимерных матрицах, легкой совместимостью с полимерными матрицами. Полиизопреновый циклокаучук был первым пленкообразующим веществом, предло­женным для слоев; содержащих диазиды I и II. Широкое распро­странение этих составов вызвано универсальностью их примене­ния: они используются в полупроводниковом приборостроении, производстве интегральных схем (ИС, БИС, СБИС), при создании печатных плат и офсетных печатных форм. Именно эти составы легли в основу ряда промышленных марок фоторезистов: ФН-11, ФН-Пк, KMER, KTER, 5CR-2, FSR, OMR-83 и т. д.

При прочих равных условиях эффективность сшивания поли­мера очень сильно зависит от небольших изменений в его целях. Так, с помощью методов золь-гель-фракционирования и равновес­ного набухания установлено, что при сшивании диазидом I эпокси - Дированного циклополиизопрена частота возникновения попереч­ных мостиковых связей в 2—3 раза больше, чем у аналогичных составов на основе циклополиизопрена [42].

В ряде патентных разработок последних лет по-прежнему осно­вой азидсодержащих фоторезистов являются диазид I и цикло - каучук. В то же время предлагаются различные способы совер­шенствования качества фоторезистного слоя. Эксплуатационные характеристики рекомендуется улучшать, применяя строгие кри­терии отбора циклокаучуков (по содержанию двойных связей, степени циклизации и пр.), используя другие типы циклизованных полидиенов или вводя добавки, регулирующие свойства полимера в процессе циклизации. Другой путь улучшения фоторезиста — до­полнительное включение в него соединений, способных повышать, например, контрастность слоя или нейтрализовать эффекты стоя­чих волн в фоторельефе. Наконец, для фоторезистов, содержащих тот же диазид I, предлагаются другие типы полимеров, позволяю­щие перейти либо к водно-щелочному проявлению, либо к высокой гидрофобности рельефа, либо даже к дифференциации свойств слоев после фотолиза диазида, т. е. к сухому переносу изобра­жения. В большинстве предлагаемых композиций соотношение диазид : циклокаучук: растворитель лежит в пределах 3-н5:100: :700-4- 1000.

В 1972 г. проанализированы свойства фоторезистов с учетом соотношения в циклизованном цис- 1,4-полиизопрене со средними размерами молекул 400—550 нм циклизованных и нециклизован - ных звеньев, двойных связей, входящих в цикл и в открытую цепь, а также предложена зависимость этих соотношений в полимере от содержания диазида I в слое [пат. ФРГ 2153781], дающая опти­мальный состав. При использовании найденного оптимального со­става фоторезиста обеспечивается надежное получение высокораз - решенного фоторельефа на различных подложках. Фирмой Hunt (США) для азидсодержащих композиций разрабатываются цикло­каучуки с узким ММР, полидисперсностью менее 1,865 и ненасы - щенностью 6,0—8,2 ммоль/г [европ. пат. 0063043].

Сочетание высокой разрешающей способности, адгезии к под­ложке, кислотостойкости (практически последние два свойства и определяют резистивность состава) отмечены в фоторезисте на основе эпоксидированного циклополиизопрена и диазида I [а. с. СССР 398916]. Кроме того, этот состав после фотолитографии обладает высокими диэлектрическими свойствами, что позволяет использовать фоторельеф в качестве межслойной изоляции много­слойного печатного монтажа. Электрофизические параметры слоя и резистивность фоторезиста в значительной мере обусловлены вы­сокой плотностью пространственной сетки, возникающей на фото - и термозадубленных участках слоя.

Использование в качестве полимерной основы фоторезистов циклизованных полимеров представляется чрезвычайно перспек­тивным— в них эффективен фотолиз азидов и темновые реакции нитренов, структурирующих циклокаучуки, таким образом, инте­гральная светочувствительность фоторезистов достаточно высока. Циклокаучуки, обладая малой ММ, дают твердые и плотные плен­ки, они позволяют после экспонирования создать высокоразрешен - ные рельефы. В азидсодержащих фоторезистах для коротковолно­вого УФ-света (WR-резистов), полученных на основе циклокаучу - ков, разрешение достигает субмикронных размеров. Кроме того, именно фоторезисты на основе циклокаучуков и диазидов в настоя­щее время являются одними из наиболее плазмостойких (напри­мер, состав OMR-83, Япония), В циклокаучуки легко вводить раз­

личные функциональные группы. Включение в молекулу цйклоизо - прена атомов хлора, карбоксильных групп и других реакционно­способных центров придает фоторезистному слою ряд дополни­тельных ценных эксплуатационных свойств: повышает его свето­чувствительность, термостойкость, адгезию к подложке и т. д. С целью повышения светочувствительности были специально син­тезированы различные циклокаучуки. Так, цис- 1,4-циклополибута­диен, полученный циклизацией полибутадиена при 20 °С в присут­ствии системы дихлорид этилалюминия — трихлоруксусная кислота в разбавленном растворе (6-10-3 моль/'л), оказался весьма подхо­дящим для создания фоторезистов; композиция включает ди­азид II. Эти слои обладают прекрасной адгезией к различным суб­стратам, их светочувствительность втрое превосходит светочувстви­тельность слоев на основе циклоиолиизопрена; разрешение фото­рельефа достигает 1,6 мкм.

Циклополибутадиеновые композиции более термостабильны, чем циклополиизопреновые: пленка фоторельефа выдерживает

термообработку при 250 °С. Термогравиметрическим анализом было показано, что циклизованный полибутадиен разлагается при температурах, на 80 °С превышающих температуру разложения циклополиизопрена [43].

Для повышения термостойкости слоев разработана композиция, состоящая из диазида I, циклокаучука и конъюгированного диена, содержащего карбонил (или потенциальный карбоксил) [заявка Японии 59—13237]. Композиции, включающие циклокаучуки, устойчивы продолжительное время только до 180 °С. Предлагается [заявка Великобритании 2049211; франц. пат. 2455304; пат. ФРГ 3014261; пат. США 4294908] в обычные композиции негативных азидсодержащих фоторезистов, содержащих, например, диазид I или II, 4,4'-диазидостильбен, 4,4'-диазидобензофенон, включать в качестве основы слоя модифицированные циклокаучуки, получен­ные циклизацией в присутствии фторсодержащих производных сульфокислот CFnH3_nS03X или CFnH3_nS02Y (где X = Н, Aik или CF„H3_nS02; Y = Hal, п — 1, 2, 3) полимеров с основной цепью следующей общей формулы:

R — R'"" = Aik С, — С4, Ar, Н.

Для циклизации могут быть использованы, например, полиме­ры и сополимеры цис - и транс-1,4-бутадиена, 1,2-пентадиена, цис - и трансА,4-изопрена, 2-фенил-1,4-бутадиена. Дополнительно в све­точувствительные композиции вводят триплетные сенсибилизато­ры. По сравнению с фоторезистами на основе циклополиизопренов

эти композиции выдерживают термообработку после экспони­рования при 250°С, причем после травления заметно уменьшается число проколов в слое.

В 1981 г. была предложена арилазидная композиция [пат. США 4287294; пат. ФРГ 2919841] специально для получения тер­мостойких рельефных структур на полупроводниковых материалах, при этом в качестве светочувствительного агента используется ази - досульфофенилмалеинимид, а термостойким пленкообразующим компонентом слоя являются полиамиды карбоновых кислот; рас­творителем служит смесь диметилацетамид — диоксан (1 : 1). Этот фоторезист образует на алюминиевой фольге сшивающийся слой толщиной 6 мкм, после проявления [проявитель — смесь у-бутирол - актон —толуол (1:1), 16 с] разрешение 10 мкм, структура полу­ченного рельефа полностью сохраняет размеры изображения и абрис углов после термообработки при 340 °С в течение 1 ч. Слой обладает хорошими электроизоляционными свойствами и может быть использован в качестве межслойной изоляции.

Термостойкие фоторезисты с такими же электроизолирующими свойствами созданы при введении в композицию, приготовленную на основе соли алкенилированного амина полиамидокислоты европ. пат. 0065353], диазидобензилиденовых или диазидоциннама - лиденовых производных циклокетонов. После экспонирования слой проявляют смесью Ы-метил-2-пирролидон — этанол (5:1). Полу­чены элементы с размером 2 мкм. Полимер имидизируют при дальнейшей термообработке.

Композиции, содержащие диазид I, помимо циклополиизопре - нов или циклополибутадиенов могут включать и полициклогекса - диен при обычном соотношении компонентов [а. с. СССР 651298], а также циклизованные производные гомо - и сополимеров конъ­югированных диенов [европ. пат. 0068808].

Широко используемый путь улучшения качества азидсодержа­щих фоторезистивных композиций — введение в слои различных мономерных добавок.

Сохранение размеров изображения, задаваемого фотошабло­ном, в большой степени зависит от того, насколько уменьшен эф­фект стоячих волн, возникающих в слое фоторезиста при отраже­нии света от подложки. Считается, что для точного воспроизведе­ния размеров изображения, заданного фотошаблоном, важно со­хранить значения поглощения света композиций во все время экспонирования, несмотря на падение по мере облучения оптиче­ской плотности собственно диазидного компонента. С этой целью в фоторезисты вводят соединения, повышающие экстинкщда всей системы в целом. Предлагается [пат. США 4287289, 4268603; за­явка Японии 53—151842] в обычные композиции резистов вводить моно - и бисазокрасители, обладающие высокими коэффициентами экстинкции в области 330—430 нм, следующих формул:

RR, C6H3N=NC6H4NR"R,,/: rR"R''/NC6HsR",'N==NC6H2RR'—]2(0)„

R, R' = Н, ОН, Aik, Alkoxyl; R", R'" = Aik, Azalk, Alkoxyl; n = 0, 1.

Так, в фоторезист OMR-83, содержащий циклокаучук и ди­азид I, вводят 1-этокси-4-(4-М,1М-диэтиламинофенилазо)бензол. Эта композиция, нанесенная на кремниевую подложку толщиной слоя 1 мкм, выдерживает 20-минутный нагрев перед экспонированием (60 или 80 °С) без заметного снижения поглощения слоя. После проявления слой обеспечивает разрешение 2,5 мкм и точцо воспро­изводит рисунок элементов шаблона.

В качестве противоореольных добавок предлагается включать в слой из циклокаучука и диазида I флюоресцирующий компонент, например, Г^Ы-замещенные азометинов на основе фенилендиами - нов или гидразинов:

[RR'C=N—Ь(А)п или rr'C=NR"

А = фенилен; R = Аг или 2-арилэтилен) R' = Н, Aik, Ar; R" = Ar; n — 0 или 1.

Уменьшая светорассеяние в слое, эти добавки способствуют бо­лее полному структурированию экспонируемых участков [заявка Японии 55—34931]. Обычно при проявлении азидсодержащих фо­торезистов уменьшение исходной толщины слоя может составлять до 50%. В результате введения добавок замещенных азометинов толщина слоя уменьшается не более, чем на 10%, что в свою очередь улучшает кислотостойкость рельефа при травлении.

Разрешение, достигаемое в позитивных фоторезистах на основе феноло-формальдегидных смол, выше, чем в составах на основе каучуков и циклокаучуков. Кроме того, при проявлении этих соста­вов водными растворами снижается токсичность материалов и пожароопасность производства. НС в ряде случаев является осно­вой азидсодержащих фоторезистов. Именно с НС были использо­ваны в качестве светочувствительных компонентов азидопирены [44]. Фотолиз азидопирена в феноло-формальдегидной смоле на­ряду с резким снижением растворимости смолы дает сине-зеленое окрашивание. Увеличение гидрофобности засвеченного слоя и из­менение окраски обусловлены появлением хиноидных структур при реакциях нитренов с фенольными группами смолы [45]. Хи - нонимины были идентифицированы в экспериментах на модельных мономерных фенолах.

Разработаны светочувствительные составы водно-щелочного проявления на основе поли-4-винилфенола и 3,3'-диазидодифенил - сульфона (MRS) [4, 22]. Азидофенольные смолы используются в фоторезистах (например, MRL), высокая чувствительность кото­рых сравнима со светочувствительностью позитивных составов. Эти фоторезисты отличаются и значительной разрешающей способ­ностью, более высокой, чем у составов на основе циклокаучука [22].

При разработке щелочерастворимых композиций [пат. США 4148655; пат. Великобритании 1594030; заявка Японии 56—23144] основное внимание уделяли совершенствованию состава смол. Пленкообразующим компонентом служат НС, получаемые кислот­ной конденсацией формальдегида с замещенными фенолами, причем при синтезе используется не менее двух фенолов. НС позволяет получить фоторельеф, удобный как для применения в полиграфи­ческих формах в качестве печатающих элементов, так и для за­щиты при глубинном травлении подложки. Светочувствительными компонентами, помимо обычно применяемых диазидов, служат азиды на основе гетероциклов, например 2-(4-азидофенил)-6-метил - бензотиазол, 2-(4-азидофенил)нафто[1,2-с?]оксазол-4,5. Содержание светочувствительного компонента и композиции определяется на­значением фоторезиста, чаще всего оно составляет от 10 до 30 % к массе полимера, т. е. значительно выше, чем в слоях на основе циклокаучуков. Эти композиции отличаются высокой светочувстви­тельностью и стабильностью свойств: после 6 мес хранения не изменилась ни светочувствительность, ни длительность проявления слоев. Для фоторезистов же, содержащих нафтохинондиазиды, это предельный срок хранения.

Составы, содержащие эпоксидированные НС, поли-я-винилфе - нол и 3,3'-диазидодифенил, применяют в качестве верхнего несу­щего изображения слоя, в трехслойных фоторезистных системах (см. гл. VIII) [39].

Диазобензилиденовые производные кетонов и циклокетонов ис­пользуются в композициях на основе НС, полиамидов в ряде дру­гих полимеров. Так, состав, содержащий диазид I и НС в смеси метилэтилкетон — толуол (1:1) [пат. США 4287297], разработан для нанесения на пленку из ПЭТФ. Материал используется для приготовления печатных схем и печатных плат. В качестве резистов для коротковолнового УФ-света с поглощением в области 250— 300 нм предложено использовать композиции крезоло-формальде - гидных смол (ММ 500—6000) с 1,2-ди(я-азидофенил) этаном или ди(я-азидофенил) метаном [пат. ФРГ 3125572]. Достигнуты раз­меры элементов порядка 0,85—0,9 мкм (см. также раздел VI. 1).

Сдвиг поглощения светочувствительной композиции в область максимальной эмиссии металло-галогенидных ламп достигается использованием в них арилазидов, имеющих цепи сопряжения раз­личной длины (халконовых, азометиновых, стирильных производ­ных арилазидов). Так, предложенная в пат. ФРГ 1597614, компо­зиция содержит азидохалконы общей формулы:

N3RC6H3CX==CH—(СН=СН)„—COC6H5_mRm

R = Н, Hal, Alkoxyl, R' *= ОН, N02, S02NH2, S02N3; X = H, Hal, m= 1,2; n = 0,1.

Азидная группа находится в 3- или 4-положении бензольного цикла. В зависимости от используемых заместителей максимум поглощения этих соединений лежит в области 314—394 нм. В ка­честве пленкообразующей основы используют сополимеры стирола с малеиновым ангидридом или винилацетата с кротоновой кисло­той, НС или продукты конденсации фенола и формальдегида с про­изводными целлюлозы, например этилцеллюлозой. Все эти компо­зиции растворимы в эфирах гликолей, в ДМФА при 20 °С и в 3 %-ном водном растворе NaOH. Необходимо отметить очень вы­
сокое массовое содержание светочувствительного соединения в со­ставе; предпочтительно от 1 : 1 до 1 :5. Возможно, такое соотноше­ние обусловлено рекомендацией преимущественно использовать в слоях моноазиды.

Из диазидопроизводных предложены соединения, типа

И N;

V V-so2N3

Аналогичные пленкообразователи, красители и растворители и их соотношения предлагаются [пат. ФРГ 1572067] для свето­чувствительного материала, содержащего азидоазометины следую­щих общих формул:

N3RCH=NR' и N3RCH=NR"— n=chrn3

где R, R''-фенилен, нафтилен, пиридинилен; R' — фенил; нафтил или пиридил.

Используются также [пат. ФРГ 1572070] и азидостирильные производные общей формулы: .

N3—R—СН=СН—R'R"

где R = фенилен; R' = фенилен, нафтилен или замещенный фенилен; R" = Н или СН = CHRN3.

Максимум полос поглощения в спектрах этих соединений лежит в области 290—400 нм. Соотношение азид: полимер предпочти­тельно от 1 : 1 до 1 :5. Композиции применяются при изготовлении офсетных форм. Слои настолько прочны, что их проявление осу­ществляют тампоном, смоченным органическим или лучше водным раствором щелочи. Для водного проявления рекомендованы рас­творы солей щелочеземельных металлов или четвертичных аммо­ниевых оснований.