Неорганические резисты
4 февраля, 2014 
admin Термин «неорганические резисты» впервые использовал Син - клэйр с сотрудниками [138] при изучении Fe203. Облученный потоком электронов материал в этом случае растворяется в 6М НС1 несравненно медленнее, чем необлученный, и ведет себя как негативный резист. Чувствительность, однако, по сравнению с органическими резистами гораздо ниже.
Интерес к неорганическим резистам возрос после опубликования ряда работ [139, пат. Великобритании 1151310, 1376836], показавших, что аморфные халькогенидные стекла при облучении УФ-светом или электронным излучением ведут себя как резисты. Пленки GeSe* наносят на подложку вакуумным испарением или из раствора и покрывают тонким слоем серебра (около 0,1 мкм) погружением пленки в водный раствор AgN03. Аморфные халькогенидные пленки легко растворяются в водных растворах как неорганических, так и органических оснований. Сразу же после облучения резиста УФ-светом или электронным излучением серебро
|
1+Л+1 |
|
Ag-2Se |
|
GeSe» |
|
1вв'П о |
|
□ □ |
|
□ □ сивы ^ Пг □□□ !вп! аппь |
|
Agr2Se iSe Se GeSe2i—I □ |
|
□ □ □ □ * □ 777,4 |
|
□ □ □ pi V////, |
|
п! Н“П □ 77///>//////v/y;yyy/, |
|
диффундирует в матрицу халькогенида, которая при этом становится нерастворимой в основаниях. Материалы, следовательно, ведут себя как негативные резисты. Чувствительность резистов относительно низка (8-10-5 Кл/см2 при 10 кВ), однако контрастность исключительно высока (у = 8). Система при экспонировании электронным пучком дает линии шириной 0,3 мкм. Подобные результаты получил Тай с сотрудниками [140] для системы халькогенидного стекла GeSe2 с Ag2Se в качестве радиа - ционно модифицируемого слоя. Щ таких резистов лежит в интервале 10~4—10-5 Кл/см2, у > 6. Резисты совершенно не набухают, термически стабильны, обладают отличной стойкостью при плазменном травлении. Халькогенидные системы на основе As2S3 подробно изучены Чангом с сотрудниками [141]. Пленки резистов получают вакуумным испарением, а экспонирование проводят УФ-светом, электронным и рентгеновским излучением. Позже Чанг с сотрудниками [142] модифицировал эти резисты, покрыв халькогенидный слой (около 0,3 мкм) слоем AgCl (около 0,02 мкм). По мнению авторов, при облучении возникает соединение Ag—As2S3, стойкое в растворах оснований и при плазменном травлении CF4. Несмотря на то что система AgCl/As2S2 имеет большую чувствительность, чем As2S3, для практиче- Рнс. VII. 28. Изменения в системе Ag2Se/GeSe2 после облучения: 1 — излучение (УФ-, электронное, рентгеновское); 2 — маска; 3 — резист; 4~ подложка. ских целей эта чувствительность недостаточна. Предполагают [142, 143], что Ag выделившийся при облучении AgCl, диффундирует в слой As2S3, и образуется газообразный хлор. Ag, реагируя в слое с As2S3 дает соединение, которое изменяет растворимость халькогенидного стекла. Представление о путях реакций, ведущих к изменению растворимости в системе Ag2Se/GeSe2, дает рис. VII.28 (см. также [144]). Для системы Ag2S/As2S3 предложен двухступенчатый процесс проявления, позволяющий улучшить характеристики рельефа и получить хорошо разрешенные линии шириной 30 нм в слое As2S3 толщиной 70 нм. Этот рельеф легко переносится в слой полиимида при травлении плазмой [145]. Система Ag/As2S3 использована для получения офсетных печатных форм как в позитивном, так и в негативном варианте [146]. Изучены возможности применения в литографии As2S3, As2Se3, GeSe2 совместно с различными содержащими серебро веществами: Ag, Ag2S, Ag2Se, Ag2Te и др. [147]. В пат. Великобритании 1580170 описаны халькогенидные стекла SbS2 и SbSe2, причем в качестве металлического слоя использовались не только Ag, но также Си и TI, |
Опубликовано в Светочувствительные полимерные материалы