Фотолитография в области глубокого (коротковолнового)' УФ-света рассматривается в микроэлектронике как техника бли­жайшего будущего. Впервые этот метод был предложен в 1975 г. Линном, который использовал в качестве позитивного резиста ПМ. М.А [1]. Теперь круг таких материалов, так называемых рези­стов WR или «белых» резистов дополнен резистами для среднего УФ-света (270—320 нм) (например, позитивный резист WX-159 [2]; негативный резист НХ-303 [3]). Предлагается использовать ком­позиции на основе разнообразных групп светочувствительных ве­ществ. Эти композиции непрерывно совершенствуются и в связи с актуальностью разработки ведутся в разных направлениях одно­временно.

Наряду с обычными свойствами резист для глубокого УФ-све­та должен не только хорошо поглощать свет в области коротко­волнового УФ-света (210—270 нм), но и не иметь поглощения в более длинноволновой области. Последнее избавляет от необходи­мости решать сложную задачу фильтрации актинкчного длинно­волнового света в спектре источника экспонирования. Одновре­менно для экспонирования в этой области разрабатываются спе­циальные методы и источники света [4], применяются эксимерные лазеры [5]. Поскольку кванты света в коротковолновом УФ-свете несут примерно в 2 раза больше энергии, чем на грани видимой области спектра, то для сокращения энергозатрат и уменьшения нагревания слоев при экспонировании важно сильно повысить светочувствительность композиций по сравнению с «обычными» резистами.