Результаты экспериментального исследования приводятся для ЧИИП (рис. 16), имевшего следующие параметры: #i=#2=#8:=#9==! = 1,3 ком; #4=10 ком; і#5=#б=100 ком #7=510 ом Сі=3 600 пф С2=0,11 мкф Дх—Дп — Д220; Гь Г2 — КТ301; £п=12,6 в, Lu L2 — катушки самоиндукции на ферритовых сердечниках типа Фі—1 ООО, УВ7.076.272 с числом витков to=50.

На рис. 17,а приведена характеристика зависимости частоты импульсов от входного тока (точки — экспериментальные, жирные ли­нии — теоретические, пунктирные линии — для повышенной темпера­туры + 50°С). Частота импульсов изменялась от 30 гц до 30 кгц.

Для улучшения характеристик ЧИИП целесообразно с целью по­вышения верхнего предела вместо резистора Rs применить транзи­стор, как показано на рис. 12 в первой строке столбца Л, а с целью

a.) t)

Рис. 17.

устранения погрешности от Од вместо зарядного сопротивления #9 применить источник тока на транзисторе, как показано на рис. 9 в первой строке столбца Л.

Недостатками рассмотренного ЧИИП являются существенная не­линейность характеристики вход—выход на высоких частотах и при­менение индуктивностей L и L2, что затрудняет его изготовление в виде полупроводниковой интегральной схемы.

Для устранения указанных недостатков можно рекомендовать несколько усложненную схему ЧИИП, которая приведена на рис. 18 [Л. 29, 49]. Принцип действия и расчет этой схемы аналогичен рас­
смотренной. Отличие заключайся, во-пер&ыХ, в toM, что 6Me£fo Ка­тушек самоиндукции для расширения зоны мягкого самовозбуждения применена нелинейная отрицательная обратная связь на диодах Дз, Д4, во-вторых, для компенсации нелинейности применен транзи­стор Те, обеспечивающий вычитание коллекторного тока /к из заряд­ного тока конденсатора С2 [JI. 57]. ЧИИП по рис. 18 имел следую­щие параметры: Лі = 1,3 ком; #2=Л5=Лі2=#і4=Л2о=5,1 ком» ^3= =/?б=Ліо=Лі5= 1,5 ком і?4==Ліз==200 ком і?7==Лц = 100 om Rs—

= 10 ком; R9=2 ком; Лі6=1,8 ком; #17=470 ом і? і9=910 ом С1 = = 1 мкф С2= 15 мкф Ти Т2 — П307; Г3, 7,4 — МП105; Ге —МП103; Д,, Д2 — Д220; Дз, Д* Д7, Де, Дю, Дц—Д9И; Д5, Д6-Д814Б; Д9 — 2С156А; £п=27 в.

Результаты экспериментального исследования приведены на рис. 17,6, где 1 — характеристика с дополнительным транзистором Т% 2 — без него.

Существенное улучшение точности, диапазона преобразования и линейности можно получить, если на базе рассмотренного ЧИИП по­строить следящий ЧИИП, который и описывается ниже.

6) Следящий ЧИИП на раздельных функциональных элементах