КОНСТРУИРОВАНИЕ МОНОЛИТНЫХ ИНДИКАТОРОВ
Большое значение внешнего квантового выхода светодиодов из GaP обусловлено не высокой эффективностью преобразования внутри диода, а прозрачностью GaP для излучения, возбуждаемого в р — я-переходе. Впрочем, последнее достоинство может стать существенным недостатком при разработке монолитных индикаторов, тогда как внутреннее поглощение в прямозонных полупроводниках обеспечивает в этом случае оптическую изоляцию между соседними излучающими свет элементами. Другим преимуществом GaAsi-^P* является возможность применения планарной диффузионной технологии, что позволило быстро создать семиэлементные монолитные индикаторы, работающие по схеме с общим катодом (рис. 6.30) [83]. В данном разделе рассмотрен вопрос о том, как достичь высокого значения коэффициента вывода света при оптической изоляции смежных элементов в прозрачном полупроводнике. Обратимся сначала к угловой зависимости светимости (поверхностной яркости) в прозрачном и поглощающем полупроводниках [84]. Чтобы избежать затруднений, связанных с поглощением коротковолновой части спектра в слоях зеленых светодиодов, содержащих азот, последующие выкладки можно непосредственно применять к GaP : Zn,0, в котором возникает только красное излучение. В таком материале скорость генерации света в единице объема падает экспоненциально с удалением от р ■— я-перехода, и на расстоянии х в р-области
g (х) = go exp (— xjLe), (6.66)
где Le — диффузионная длина неосновных носителей, составляющая в GaP обычно 1—1,5 мкм для красного и 3—6 мкм для
Рнс. 6.30. Семиэлементный диффузионный цифровой индикатор из GaAsi_xP^[83], |
а — прозрачный протяженный источник света, излучающий со скоростью go фотои/(сма*с). Интенсивность в точке Р определяется потоком излучения, возбуждаемым в цилиндрическом элементе (а, Ь), пересекающем источник; б — светимость прозрачного источника в зависимости от угла зрения. Светимость возрастает пропорционально sec 0, достигая максимального значения в плоскости источника. |
зеленого светодиодов. Полная возбуждаемая световая мощность равна
оо
g = 5 ё (х) dx — g0Le = /лМ (6.67)
о
где г|/ — внутренний квантовый выход, a j — плотность тока через р — я-переход. Для простоты предположим, что в пределах диффузионной длины Le происходит однородная генерация света СО скоростью go фотон/(см3-с) и что свет из этого объема выходит в прозрачный полупроводник изотропно (по крайней мере при первом прохождении через диод) и с произвольной поляризацией. Плотность светового потока йФй(г, 0, ср) равна световой мощности, генерируемой в цилиндрическом элементе і(0,ф)с£Д,
598 ГЛАВА 6
-— — . ...
ось которого направлена вдоль г (рис. 6.31, а):
И(Т1 {г О „Л. godA С dr' _ go dAl (Є, Ф) 1 _
аФе(г, 0, ф) — 4я ) (г_г')2 4я г2
-ь
= /(0, Ф)}, (6.68) |
= dle(r, 0, ф)(1/г2) {г»а + 6
так что
dle(r, 0, ф) — (goйА/4л) І(0, ф).
Таким образом, сила света dle прозрачного протяженного источника в данном направлении зависит от формы источника и пропорциональна длине /(0, ф) хорды, пересекающей ИСТОЧНИК' в этом направлении. Светимость источника
,МЄ. Ф) = ^ = ТГЇІ <6-69>
является радиометрическим эквивалентом яркости Lv источника и равна мощности, излучаемой единицей нормальной поверхности источника в единичный телесный угол в направлении (0, ф). С точки зрения использования в индикаторах основной характеристикой источника является его яркость.
Легко получить выражение для светимости прозрачного источника, имеющего форму слоя шириной W и толщиной d
і, (Є) — - fe- ^ — /? (0) sec 8.
где
0 < 0C = arctg (W/d). . (6.70)
Зависимость Le(Q)/Le(0) от угла 0 приведена на рис. 6.31,6 для источника с W/d = 10.
Яркость плоского прозрачного источника (W/d^> ) возрастает при увеличении полярного угла 0, достигая максимума в плоскости источника. Напротив, яркость плоского непрозрачного источника, излучающего по закону Ламберта, постоянна и не зависит от полярного угла. Яркость света двух плоских источников с одинаковыми характеристиками, один из которых прозрачный, а другой непрозрачный, можно сравнить следующим образом. Энергетическая сила излучения света непрозрачного источника, подчиняющегося закону Ламберта, пропорциональна видимой площади источника, которая уменьшается до нуля при угле зрения 90°:
/ (0) =/ (0) cos 0. (6.71)
С другой стороны, энергетическая сила света прозрачного источника одинакова во всех направлениях (т. е. вдоль и поперек плоскости р — я-перехода):
(6.72) |
/ (Є) = / <0).
/j-п-переход Рис. 6.32. Схема семиэлементного цифрового индикатора из GaP, в котором плоскости р— «-переходов перпендикулярны подложке [85]. |
Яркость ламбертовской поверхности не зависит от угла зрения в пределах 0 — 90°:
L (0) = L (0). (6.73)
Излучение прозрачного источника можно наблюдать в плоскостях, параллельных и перпендикулярных р — я-переходу. Яркость при наблюдении в плоскости, параллельной переходу, в отличие от яркости для ламбертовской поверхности зависит от
угла зрения:
L (0) = L (0) sec 0; (6.74)
она достигает предельного значения в плоскости р — п-перехода, т. е. при наблюдении источника под углом 0 = 90°:
L (90) = Le (0) (W/d). (6.75)
Энергетическую силу света 1е и яркость Ье можно преобразовать в соответствующие фотометрические величины — силу света Iv и яркость L0, умножая их на функцию видности, определенную выше выражением
К = 680($Ф^а)/($Ф^А). (6.76)
Практическим приложением уравнения (6.74) является конструкция цифрового полоскового индикатора, в котором пло-
Угол зрения 90, град Рис. 6.33. Зависимость относительной яркости от угла зрения для прозрачного и ламбертовского' источников (показатель преломления материала т — 3,31, показатель преломления покрытия по = 1,5) [84]. |
скость р — n-перехода перпендикулярна подложке (рис. 6.32) [85]. Такого рода приборы удобны для использования в индикаторах средних размеров (например, в семиэлементных цифровых индикаторах высотой 3—6 мм). Для приборов больших размеров выгоднее рассеивать излучение светодиодов с помощью дешевых пластмассовых рефлекторов [86], а для индикаторов меньших размеров расходы на монтаж семи отдельных элементов превышают экономию на материале. Поэтому для небольших индикаторов лучше всего использовать монолитные устройства (рис. 6.30). Представляет интерес сравнить видность источников света ограниченных размеров (например, с диффузион
ными р — я-переходами) из прозрачных и непрозрачных полупроводников при малых углах зрения.
На рис. 6.33 приведена зависимость яркости от угла зрения для этих двух типов излучателей в предположении, что оба светодиода имеют прозрачное пластмассовое покрытие с показателем преломления по = 1,5 [84]. Яркость обоих источников почти постоянна вплоть до угла зрения 0О « 65°. Точнее, яркость прозрачного источника немного увеличивается в области 0 < 0О < < 65°, так что при малых углах зрения его видность выше, чем видность ламбертовской поверхности. Надо отметить, что зависимость, приведенная на рис. 6.33, получается при переходе света из полупроводника в среду с меньшим показателем преломления, если предположить, что поверхности отполированы идеально плоско и на них нет просветляющих покрытий [84].