Если поверхность полупроводника, примыкающая к пере­ходу, оптически согласована с внешней средой, квантовый выход с внутренней поверхности T]/s макс равен ВНЄШНЄМУ КВЭНТОВОМу выходу г]в. Вследствие различия показателей преломления полу­проводника и воздуха значительная доля света может оста­ваться внутри диода. Определим коэффициент вывода света с поверхности r|os (эквивалентный коэффициенту пропускания поверхности Ts) следующим образом:

Ло5 Л /:/^ I Is макс (6.46)

и построим график зависимости 'n0s(7's) от a! ZD (рис. 6.20), взяв в качестве параметра относительный показатель преломления п.

Эти кривые соответствуют р— «-переходам с оптимальным кван­товым выходом с внутренней поверхности, сформированным в однородном полупроводнике.

Из рис. 6.20 видно, что при заданном я коэффициент вывода света с поверхности rjos возрастает с ростом a'ZD. Причиной этого является уменьшение глубины залегания перехода с воз­растанием коэффициента поглощения а'. По мере приближения плоскости р — п-перехода к поверхности полупроводника вклад излучения, направленного под углом к нормали, убывает. Ре­зультирующее влияние a'ZD на внешний квантовый выход опре­деляется, однако, произведением г|/« макс и r]os (рис. 6.19 и 6.20). Из сравнения рис. 6.19 и 6.20 следует, что влияние aZD на квантовый выход с внутренней поверхности преобладает над влиянием на rios и что результирующий квантовый выход убы­вает с ростом a'ZD-