В несколько более сильных полях наклон зон в обедненном слое становится таким большим, что расстояние между изо- энергетическими уровнями в валентной зоне р-области ц зоне

Проводимости ft-области составляет ^<1000 нм. В этих условиях валентные электроны могут проникать сквозь запрещенную зону в зону проводимости вследствие квантовомеханического тунне­лирования (туннельный эффект при обратных смещениях). В уз­ких р — ft-переходах, в которых концентрации NA и Nd доста­точно велики, туннельный пробой при обратном смещении раз­вивается раньше лавинного, поскольку для последнего необхо­димо, чтобы ширина перехода была достаточной для разгона носителей до кинетической энергии, превышающей пороговую энергию ударной ионизации. Каков бы ни был механизм генера­ции избыточных носителей — лавинный или туннельный, — вбли­зи пробивного напряжения Увг ток нарастает очень быстро [31]: Is-^MIs, где

M=l[-{V-VBr)n). (2.18)

В этом выражении V ^ 0, а величина п, зависящая от свойств полупроводника, может принимать значения 2—3. Прак­тически чисто туннельный пробой происходит только в вырож­денных полупроводниках (разд. 3.3).

Мы не будем больше обсуждать вопросы, относящиеся к про­бою, поскольку эффективные светодиоды работают в режиме прямого смещения. Исключение составляют устройства на осно­ве ZnSe : Мп, описанные в разд. 3.5.4.